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公开(公告)号：CN105424572A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510981536.0
申请日：2015-12-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01N15/06
CPC分类号： G01N15/06
摘要： 一种变压器油中颗粒杂质的在线检测器，属于电气工程应用技术领域，目的是针对现有技术的不足而提供一种变压器内部油中颗粒杂质的在线检测器，其特点是解决目前大型电力变压器内部油中颗粒杂质状态的在线检测问题，预警颗粒杂质引发油中局部放电故障，确保大型电力变压器的安全运行。其方案为包括顺序连接的发光源、入射多芯光纤、光纤耦合探头、折射多芯光纤、光电转换单元和颗粒杂质状态显示单元。
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公开(公告)号：CN104538302A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410753239.6
申请日：2014-12-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/285
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种增强型HEMT器件的制备方法。本发明主要利用离子溅射的方式将金属钽溅射至栅区域AlGaN层表面，金属钽与AlGaN层反应生成化合物的同时，会消耗栅区域AlGaN层的厚度。AlGaN层势垒层的减薄使得栅区域下的二维电子气的密度减少，器件的转移特性曲线会正向移动，因此可以实现氮化镓增强型器件。本发明的有益效果为，避免了采用传统的高精度干法刻蚀等复杂工艺，具有简化工艺、可操作性高等特点。本发明尤其适用于氮化镓基增强型HEMT器件的制备，也可用来制备增强型MOS HEMT器件。
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公开(公告)号：CN102970019A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210529537.8
申请日：2012-12-11
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/72 , H03K17/687
摘要： 一种单片集成功率半导体器件的固体继电器，属于电力电子技术领域。包括集成于同一衬底上的光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件；光电池阵列由若干个光电池串联而成，每个光电池单独处于衬底的一个V型槽内；控制电路由双极型晶体管和二极管组成，每个晶体管或二极管单独处于衬底的一个V型槽内；输出端功率半导体器件作为整个固体继电器的输出元件，单独处于衬底的一个V型槽内。本发明在同一衬底的V型槽底部引入N+埋层，使得VDMOS、LDMOS或LIGBT等功率半导体器件能够与光电池阵列和控制电路集成于同一衬底，从而有效地减小了固体继电器的封装难度，减少了器件的寄生效应，并提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN102364688A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110351748.2
申请日：2011-11-09
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括金属化漏极1、N+衬底2、N-漂移区3、深P体区5、N型重掺杂源区6、P型重掺杂区7、N型埋层沟道8、P型外延层9、栅氧化层10、多晶硅栅电极11和金属化源极12。该垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管在导通时通过两个沟道的共同导电机制，大大减小器件的导通电阻；在阻断时通过P+N结势垒对沟道的电场屏蔽，实现较高的耐压水平，达到1000V以上。
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公开(公告)号：CN102170302A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110071592.2
申请日：2011-03-23
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 一种基于FPGA的智能天线抗干扰片上系统及方法。基于现场可编程门阵列(FPGA)的智能天线抗干扰片上系统，包括接收天线、多通道接收机、A/D转换器、数字正交插值模块、协方差矩阵模块、复正定厄米矩阵转实对称矩阵模块和协方差矩阵求逆模块。本发明基于FPGA的智能天线抗干扰方法的具体步骤为：1、接收数据；2、数字正交插值；3、协方差矩阵数据计算；4、复正定厄米矩阵转实对称矩阵；5、协方差矩阵求逆。本发明能在通信信道存在干扰的情况下，实现智能天线的实时、快速抗干扰，解决了基于DSP的智能天线抗干扰系统实时性差、硬件成本高、集成度低以及无法并行处理的问题。
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公开(公告)号：CN117723454A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202310876230.3
申请日：2023-07-17
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
摘要： 本发明公开了一种电力变压器油中气泡超量预警器，包括光纤耦合探头、发光源、光电转换单元、气泡状态显示单元和工作电源通过多芯光纤分别连接构成。本发明采集变压器油中气泡状态的光纤耦合探头，将这种光纤耦合探头埋设在大型电力变压器内部油中电场强度较高的部位，利用油中气泡对光的折射特性，使连接光纤耦合探头的入射多芯光纤和折射多芯光纤的通光强度发生变化，通光强度的偏差大小表征油中气泡含量程度的多少，从而实现对大型电力变压器油中中气泡超量引发局部放电故障的预警。
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公开(公告)号：CN116826728A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310779206.8
申请日：2023-06-28
申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC分类号： H02J3/00 , H02J3/38 , G06F30/20 , G06Q50/06 , G06F113/04 , G06F119/02 , G06F111/04
摘要： 本发明属于电力系统及其自动化技术领域，公开了一种少测量样本条件下的配电网状态结构估计方法及系统，配电网状态结构估计和网格化；确定分布式电源节点、网格的拓扑结构和负荷节点；配电网测量单元采集；输入配电网每个测量单元采集量，完成计算网格中与其他未有测量单元的节点间误差值和测量误差矩阵；计算各网格间的状态变量；计算各网格中的网损与电压偏差和新样本的状态估计值误差值；以配电网总体网损最小、电压偏差最小为原则，并以新样本的状态估计值误差作为权重，优化配电网的拓扑结构图。本发明为分布式新能源接入配电网的全景电网拓扑构建与数据融合提供了一种解决方法，从而提高城市配电网调控和供电的可靠性。
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公开(公告)号：CN106981510B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201710217341.8
申请日：2017-04-05
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/10 , H01L29/16
摘要： 一种碳化硅双极结型晶体管，属于高功率半导体器件技术领域。包括从下至上依次层叠设置的集电极7、N+衬底6、N‑集电区5和P型基区4，P型基区4上表面一端具有上表面设置发射极1的N+发射区3，另一端具有上表面设置基极2的第一二次外延P+区10，第一二次外延P+区10和N+发射区3之间的P型基区4上层具有第二二次外延P+区9，第一二次外延P+区10、第二二次外延P+区9和N+发射区3之间通过介质层8隔离，介质层8沿N+发射区3上表面向远离基极2的一侧延伸并与发射极1连接，介质层8沿第一二次外延P+区10上表面向远离发射极1的一侧延伸并与基极2连接。本发明降低了工艺复杂程度，提高了器件的良品率和可靠性，提高了SiC BJT器件电流增益。
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公开(公告)号：CN110163447A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910454840.8
申请日：2019-05-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开一种基于残差修正灰色预测模型的长期电力负荷预测方法，应用于电力系统负荷预测技术领域，针对现有的灰色预测模型存在的随着负荷变化的波动性增强，拟合和预测效果不佳的问题；本发明在获取前n年电力负荷序列的情况下，利用线性时变参数离散灰色TDGM(1,1)模型去预测第(n+1)年的电力负荷值，再通过傅里叶级数残差修正方法去修正原有的预测模型，最终得到修正后的模拟值和预测值；本发明修正后的TDGM(1,1)模型具有更高的拟合和预测精度，提高了灰色预测模型的适应性和灵活性。
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公开(公告)号：CN103457589B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201310322340.1
申请日：2013-07-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/687 , H01L27/142
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了一种集成度较高、可靠性较好的光集成固体继电器。该光集成固体继电器，包括集成于同一衬底上的控制电路和输出端功率半导体器件，还包括光电池阵列，所述光电池阵列集成在输出端功率半导体器件表面的漂移区，所述光电池阵列由若干个光伏电池串联而成。该光集成固体继电器的光电池阵列集成在输出端功率半导体器件表面的漂移区，因此，光电池阵列不需要占用衬底版图的面积，减小了衬底的表面积，可以大大提高芯片的集成度，而且本发明将光电池阵列、控制电路和输出端功率半导体器件集成于同一衬底上，集成功率器件的固体继电器减小了封装的难度和寄生效应，有效地提高了继电器的可靠性，适合在电力电子技术领域推广应用。
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