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公开(公告)号：CN113337063B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110616855.7
申请日：2021-06-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种有机‑无机纳米复合粒子及制备方法和应用，制备过程中，利用活性阴离子聚合引发二烯类单体或苯乙烯类单体进行聚合得到大分子引发剂；利用1,1‑二苯基乙烯对聚合物大分子引发剂的活性中心进行活性转换，并引发乙烯基吡啶类单体进行活性阴离子聚合诱导自组装，得到嵌段聚合物纳米自组装粒子；利用交联剂将纳米自组装粒子交联并作为聚合物模板；使吡啶基团与金属离子进行络合，并通过还原反应制备得到系列有机‑无机纳米复合粒子。本发明制备得到的有机‑无机纳米复合粒子制备方法在一锅中实现，具有简便高效、通用性强、体系干净、固含量高、形貌可控等优势。
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公开(公告)号：CN114839822A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210583700.2
申请日：2022-05-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明属于光通信技术领域，具体为一种相变光学模数转换器。本发明相变光学模数转换器包括多模干涉仪以及覆盖在多模干涉仪的不同输出端口上不同宽度的相变材料；相变材料为具备非易失特性的相变转换材料或者为具备光吸收转变阈值的非线性材料；通过光脉冲使得波导上覆盖的晶态相变材料发生局部相变，相变材料变为部分非晶态，而晶态对光的吸收比非晶态强，因此相变后光的透射率增强；且不同宽度相变材料相变的难易程度不同，越难发生相变的通道代表更高的编码有效位。本发明的相变光学模数转换器可以减少信号在光‑电‑光域之间的转换，减少资源消耗。相对于其他光学数模转换器，相变材料的覆盖不会增加额外面积，因此规模较小，便于集成。
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公开(公告)号：CN112635565A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011555330.9
申请日：2020-12-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本发明利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触发生的固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本发明可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流，在大规模数字集成电路的制造中有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109542392A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811329936.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F7/501
CPC classification number: G06F7/501
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路。本发明电路由一传统基于阻变类型存储器交叉阵列的加权求和电路和一个电流采样电路构成；其工作分为两个阶段，第一阶段是预充电，第二阶段是加权求和和电流采样；本发明采用阻变类型存储器的交叉阵列对一组输入电压实现加权求和操作，结果以电流和形式表征，并采用电流采样将电流和转换成电荷储存。相比传统做法，本发明可以缩短加权求和操作中直流的持续时间，有利于降低功耗。
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公开(公告)号：CN107665894A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710815408.8
申请日：2017-09-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11521
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明利用二维材料能带工程，实现了准-非挥发存储特性，在写入速度纳秒级的情况下，数据保持能力达到几十秒，这一特性对于大幅降低随机存储器的功耗有重大帮助。本发明的二维半浮栅存储器的制备方法，包括能带设计、材料堆叠设计和电极版图设计。该存储器在保持纳秒级写入特性的前提下，大幅提升数据保持能力至几十秒；数据保持能力的提高可以极大的降低高速存储技术由于频繁刷新导致的功耗问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157561B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410389035.9
申请日：2014-08-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用二维金属层厚度来降低石墨烯电极接触电阻的方法。通过物理气相沉积PVD）的方法在石墨烯器件上淀积金属电极。制作一种石墨烯/二维金属层/金的结构。通过调节二维金属层的厚度来调节石墨烯与二维金属层的接触，调节接触势垒，使接触势垒最低，通过这种方法来降低石墨烯接触电阻。通过这种方法可以有效地来降低石墨烯接触电阻，从而制备性能优良的石墨烯器件，而且这方法简单方便。该方法可以作为制备二维材料器件的一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103915348B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410157130.6
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一层石墨烯纳米线；利用原子层沉积在槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。该方法简单方便可靠，可以制备超长纳米线，石墨烯纳米线禁带宽度大，可利用原子层沉积在石墨烯上形成高K栅介质。该方法可以作为制备石墨烯纳米线器件的一种基本方法。
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公开(公告)号：CN103208518B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310098165.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN103928340A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410157127.4
申请日：2014-04-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/283 , H01L21/28079
Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体为一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法。本发明在高掺硅上有一层二氧化硅薄层作为衬底，利用掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积薄钼，然后在钼的两边淀积一些不联系的铜斑点。利用钼薄膜，在衬底上生长二硫化钼；利用两边的铜，生长石墨烯。生长的石墨烯与二硫化钼相连，作为电极；在二硫化钼上生长氮化硼作为保护层，最后形成二维的二硫化钼背栅器件。本发明方法可以直接生长出二维的二硫化钼背栅器件，不需要经过光刻等工艺步骤，方法简单方便，制备的器件性能良好。可以作为制备二维材料器件的基本方法。
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公开(公告)号：CN103490009A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310449101.2
申请日：2013-09-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于氧化石墨烯的柔性阻变存储器及其制备方法。本发明包括透明的柔性衬底和衬底上的三层结构器件单元，器件单元的底层为柔性透明电极，最上层电极可以采用金属或者其他电极，中间功能层是氧化石墨烯薄膜。实验证明氧化石墨烯具有良好的阻变特性，可以在室温下进行旋涂形成阻变存储器的功能层，避免了生长其他功能层材料所需要的高温工艺，得到的柔性阻变存储器可以应用于柔性电子器件中。
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