氮化物基半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN101174557A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710167204.4

    申请日:2007-11-01

    Inventor: 幡俊雄

    CPC classification number: H01L33/0079

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物基半导体装置的制造方法,该制造方法包括步骤:在支撑衬底上形成由氮化物基半导体构成的层叠结构,在层叠结构上沉积第一接合金属,在保持衬底上沉积第二接合金属,在其中第一接合金属和第二接合金属相互面对的状态下接合第一接合金属和第二接合金属从而接合保持衬底和层叠结构,其中第一接合金属和第二接合金属构成接合金属,并且从层叠结构分离支撑结构以将其移走。设置保持衬底的表面面积比支撑衬底的表面面积小。因而可以避免在保持衬底上的裂纹、断裂、碎屑等。

    氮化物半导体发光元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1960015A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200610136622.2

    申请日:2006-10-31

    Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件,其包括依次叠置在衬底上的第一导电型氮化物半导体层、有源层和第二导电型氮化物半导体层,其中位于第二导电型氮化物半导体层上方的光取出表面具有圆锥或棱锥状凸部。本发明还提供了该氮化物半导体发光元件的制造方法。

    氮化物基化合物半导体发光器件

    公开(公告)号:CN1744337A

    公开(公告)日:2006-03-08

    申请号:CN200510099610.2

    申请日:2005-08-30

    Inventor: 幡俊雄

    Abstract: 本发明通过在氮化物基化合物半导体发光器件制造工艺中芯片分割时抑制剥落和抑制在半导体层中的短路,提供一种具有良好特性且确保高可靠性的氮化物基化合物半导体发光器件。所述半导体发光器件,具有第一欧姆电极(2)、第一焊接金属层21、第二焊接金属层(31)和第二欧姆电极(3),依次设置在导电衬底(1)上,且还具有氮化物基化合物半导体层(60),设置在第二欧姆电极(3)上。第二欧姆电极(2)的表面被暴露。

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