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公开(公告)号：CN101946327B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880126950.1
申请日：2008-10-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G3/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F2201/124 , G09G3/3648 , G09G2310/0297 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置。从第二源极·漏极电极(4)的电极线(4a)分支的支电极(4b)与第一区域(R)开始交叉的部位(D)的第一区域(R)的外缘至电极线(4a)的距离(d1)为5μm以上。由此实现具有能够容易地修复源极·漏极间的漏电的梳齿状的源极·漏极结构的TFT。
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公开(公告)号：CN101688993B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200880021979.3
申请日：2008-05-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/136286 , G02F2203/03
Abstract: 本发明以低成本提供反射光的利用效率优异、高画质的反射型或者半透过型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置具有多个像素，在上述多个像素的各个中具有使入射光向显示面反射的反射部，上述反射部包括：具有多个开口部的金属层；和夹着绝缘层、形成在上述金属层上的反射层，上述反射层的表面具有根据上述金属层的截面形状形成的多个凹部和凸部，上述金属层的上述多个开口部中相邻的两个开口部之间的距离中，最短的距离为0.3μm以上3.0μm以下。
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公开(公告)号：CN101558350B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200780045760.2
申请日：2007-10-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明提供一种低成本且高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具备使入射光朝向显示面反射的反射区域，其中，反射区域包括Cs金属层(金属层)、在Cs金属层的上面形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层的上面形成的半导体层、和在半导体层的上面形成的反射层。在反射层的表面形成有第一凹部、和位于第一凹部的内侧的第二凹部。Cs金属层和半导体层分别具有开口部，第一凹部和第二凹部的一方由Cs金属层的开口部形成，另一方由半导体层的开口部形成。
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公开(公告)号：CN101663612B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200780052574.1
申请日：2007-12-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。制造效率高地提供高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；形成于所述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和形成于所述第一基板的所述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层的液晶显示装置，金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成，反射层具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
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公开(公告)号：CN101978505A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110296.X
申请日：2009-01-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/12 , G09G3/3677 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L28/86
Abstract: TFT(61)具备：第1电容(61b)，其由第2电容电极(64a)和连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)形成；第2电容(61c)，其由第3电容电极(62b)和第4电容电极(64b)形成；第1引出配线(62i)；第2引出配线(64h)，其连接到栅极电极(64)；第3引出配线(62j)；第4引出配线(64i)；第1配线(62c)；以及第2配线(64c)。由此，实现即使连接到TFT主体部的电容发生了漏电也难以使TFT整体的成品率降低的TFT。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101946327A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200880126950.1
申请日：2008-10-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G3/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1214 , G02F2201/124 , G09G3/3648 , G09G2310/0297 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置。从第二源极·漏极电极(4)的电极线(4a)分支的支电极(4b)与第一区域(R)开始交叉的部位(D)的第一区域(R)的外缘至电极线(4a)的距离(d1)为5μm以上。由此实现具有能够容易地修复源极·漏极间的漏电的梳齿状的源极·漏极结构的TFT。
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公开(公告)号：CN101663612A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200780052574.1
申请日：2007-12-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133553 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/134372 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。制造效率高地提供高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；形成于所述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和形成于所述第一基板的所述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层的液晶显示装置，金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成，反射层具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。
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公开(公告)号：CN113257835B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202110096761.1
申请日：2021-01-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种有源矩阵基板，具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部，各氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极，其形成在基板与下部绝缘层之间，与源极总线由相同的导电膜形成，各源极接触部具有：源极接触孔，其形成于下部绝缘层和层间绝缘层，并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出；以及连接电极，其配置在层间绝缘层上和源极接触孔内，在源极接触孔内连接到第1区域的一部分和源极电极的一部分。
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公开(公告)号：CN110783344B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201910671345.2
申请日：2019-07-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
Abstract: 一种薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法，抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。阵列基板具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括第2金属膜；栅极电极，其包括第1金属膜；沟道区域，其包括半导体膜的一部分，以与栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，通过至少在第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到源极配线；漏极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的；及像素电极，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，与漏极区域相连。
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公开(公告)号：CN110867453B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910682845.6
申请日：2019-07-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362
Abstract: 一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。
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