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公开(公告)号：CN103221888A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055104.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/62 , C08G65/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。
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公开(公告)号：CN102414619A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080017617.4
申请日：2010-04-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , C08G59/08 , C08L63/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , Y10S430/106
Abstract: 本发明的课题是提供在使用了EUV光刻的器件制作工序中使用并降低由EUV造成的不良影响、对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法是提供包含含有卤原子的酚醛清漆树脂的半导体器件制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或它们的组合构成的交联形成基团。卤原子是溴或碘原子。酚醛清漆树脂是酚醛清漆树脂或环氧化酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。
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公开(公告)号：CN108139674B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201680060001.2
申请日：2016-10-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供用于通过提高聚合物的热回流性而改善烧成时对图案的填充性、从而在基板上形成平坦化性高的涂膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法，涉及：抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含芳香族化合物(A)与具有结合于碳原子数2～26的烷基的仲碳原子或叔碳原子的甲酰基的醛(B)反应而得的酚醛清漆树脂。酚醛清漆树脂包含下述式(1)所示的结构单元。(式(1)中，A表示由碳原子数6～40的芳香族化合物衍生的二价基团，b1表示碳原子数1～16的烷基，b2表示氢原子或碳原子数1～9的烷基)。A是由包含氨基、羟基、或这两者的芳香族化合物衍生的二价基团。用于半导体的制造的抗蚀剂图案的形成方法，包含将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上然后烧成从而形成下层膜的工序。
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公开(公告)号：CN107735729B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201680034828.6
申请日：2016-06-20
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供一种用于在基板上形成平坦化性高的涂膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含环氧基加成体(C)，所述环氧基加成体(C)是通过含环氧基的化合物(A)与环氧基加成体形成性化合物(B)反应而得到的，在所述化合物(A)和所述化合物(B)中的一者或双者中包含可具有支链的碳原子数为3以上的烷基，环氧基加成体形成性化合物(B)为选自羧酸(B1)、羧酸酐(B2)、酚化合物(B3)、含羟基的化合物(B4)、硫醇化合物(B5)、氨基化合物(B6)及酰亚胺化合物(B7)中的至少1种化合物。可具有支链的碳原子数为3以上的烷基包含在环氧基加成体形成性化合物(B)中。可具有支链的碳原子数为3以上的烷基为碳原子数为3～19的烷基。
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公开(公告)号：CN106462074B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580030552.X
申请日：2015-05-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种可以形成具有耐蚀刻性、且在具有凹部和/或凸部的表面的填埋性方面优异的抗蚀剂下层膜的新型的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有聚合物及溶剂，所述聚合物具有下述式(1)或式(2)所表示的结构单元，(式中，X表示亚芳基，n表示1或2，R1、R2、R3及R4分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数1～3的烷基或苯基。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105027005B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201480005451.2
申请日：2014-02-21
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其通过降低烧成工序中从抗蚀剂下层膜中产生的升华物量且抑制老化，从而具有高保存稳定性。用于解决本发明的课题的方法涉及一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)所示的具有羟基的芳基磺酸盐化合物，(式中，Ar表示苯环或稠合了苯环的芳香族烃环，m1为0～(2+2n)的整数，m2和m3各自为1～(3+2n)的整数，(m1+m2+m3)表示2～(4+2n)的整数。其中，n表示苯环数或芳香族烃环中稠合了的苯环数，为1～6的整数。X+表示NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、季铵离子、锍离子或碘阳离子。)。
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公开(公告)号：CN106133607B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580016776.5
申请日：2015-03-17
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G14/02 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其对用于显现良好的涂布成膜性的光刻中所使用的溶剂具有高的溶解性，并可以减少在成膜时产生的升华物。抗蚀剂下层膜形成用组合物含有酚醛清漆树脂，所述酚醛清漆树脂具有通过含有芳香环的化合物(A)的芳香环结构与芳香族乙烯基化合物(B)的乙烯基的反应而得到的结构基团(C)。
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公开(公告)号：CN105874386B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201480070504.9
申请日：2014-12-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G12/08 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的在于提供具有良好的硬掩模功能、并能够形成良好的图案形状的抗蚀剂下层膜。本发明提供了用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的酚醛清漆聚合物。酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物。本发明还提供了半导体装置的制造方法，包括下述工序：利用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射和显影来形成抗蚀剂图案的工序；利用所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；利用图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及利用图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN105393172B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201480040916.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供为了增大抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性，使抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水性状态的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本课题的解决方法是包含具有由下述式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价的连接基团，X表示不具有羟基的、脂肪族烃基、脂环式烃基或杂原子是氧原子的杂环基。)
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公开(公告)号：CN107406713A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680018448.3
申请日：2016-04-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D163/00 , C08F299/02 , C08G59/16 , G03F7/11 , G03F7/20
CPC classification number: C08J3/24 , C08F299/02 , C08L2312/06 , C09D163/00 , G03F7/038 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种用于在基板上形成被膜的高低差基板被覆用组合物，所述被膜对图案的填充性高、且具有能够不发生脱气、热收缩地形成涂膜的这样的平坦化性，所述高低差基板被覆用组合物含有分子内具有式(1)所示结构部分的化合物(C)和溶剂，(式(1)中，R1和R2分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～10的烷基、或碳原子数为6～40的芳基，5个R3分别独立地表示氢原子、羟基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷基、硝基、或卤素原子，※表示与化合物的结合位置。)。
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