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公开(公告)号：CN105143979B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201480021117.6
申请日：2014-04-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/02 , C08L65/00 , H01L21/027
CPC classification number: C08G61/02 , C08G61/124 , C08G73/026 , C08G2261/1422 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/02 , G03F7/091
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。
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公开(公告)号：CN104541205B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201380042336.8
申请日：2013-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。
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公开(公告)号：CN103635858B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201280033067.4
申请日：2012-07-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08F26/12 , C08F226/06 , C08G61/124 , C08G2261/3241 , C08G2261/3325 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/30604
Abstract: 本发明的课题是提供n值高，k值低，在与含有硅的中间层组合使用的3层工艺中可以有效地降低波长193nm的光从基板反射的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法是一种在光刻工序中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含由稠杂环化合物与二环化合物的反应物形成的单元结构。稠杂环化合物为咔唑或取代咔唑。二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳－3,8－二烯、或取代四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳－3,8－二烯。
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公开(公告)号：CN108139674A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680060001.2
申请日：2016-10-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供用于通过提高聚合物的热回流性而改善烧成时对图案的填充性、从而在基板上形成平坦化性高的涂膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法，涉及：抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含芳香族化合物(A)与具有结合于碳原子数2～26的烷基的仲碳原子或叔碳原子的甲酰基的醛(B)反应而得的酚醛清漆树脂。酚醛清漆树脂包含下述式(1)所示的结构单元。(式(1)中，A表示由碳原子数6～40的芳香族化合物衍生的二价基团，b1表示碳原子数1～16的烷基，b2表示氢原子或碳原子数1～9的烷基)。A是由包含氨基、羟基、或这两者的芳香族化合物衍生的二价基团。用于半导体的制造的抗蚀剂图案的形成方法，包含将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上然后烧成从而形成下层膜的工序。
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公开(公告)号：CN107735729A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680034828.6
申请日：2016-06-20
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C09D5/006 , C09D163/00 , G03F7/0045 , G03F7/16 , G03F7/2002 , G03F7/2037 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3081 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题在于提供一种用于在基板上形成平坦化性高的涂膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含环氧基加成体(C)，所述环氧基加成体(C)是通过含环氧基的化合物(A)与环氧基加成体形成性化合物(B)反应而得到的，在所述化合物(A)和所述化合物(B)中的一者或双者中包含可具有支链的碳原子数为3以上的烷基，环氧基加成体形成性化合物(B)为选自羧酸(B1)、羧酸酐(B2)、酚化合物(B3)、含羟基的化合物(B4)、硫醇化合物(B5)、氨基化合物(B6)及酰亚胺化合物(B7)中的至少1种化合物。可具有支链的碳原子数为3以上的烷基包含在环氧基加成体形成性化合物(B)中。可具有支链的碳原子数为3以上的烷基为碳原子数为3～19的烷基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104185816B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201380015579.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/0271 , C08G12/26 , C08G12/40 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , H01L21/31133
Abstract: 本发明的目的在于提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的具有耐热性的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了含有具有下述式(1)所表示的结构单元的聚合物抗蚀剂下层膜形成用组合物。环A和环B均是苯环，n1、n2、和n3是0，R4和R6是氢原子，R5是萘基。提供了一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：在半导体基板上通过所述抗蚀剂下层膜形成用组合物形成下层膜的工序，在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序，通过光或电子束的照射和显影形成抗蚀剂图案的工序，通过抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序，通过图案化的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序，以及通过图案化的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN106164774A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018433.2
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成在从上层进行图案转印、基板加工时能够进行干蚀刻，在基板加工后能够利用碱性水溶液除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物(A)、交联性化合物(B)和溶剂(C)，所述聚合物(A)含有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元，所述交联性化合物(B)具有至少2个选自封闭异氰酸酯基、羟甲基或碳原子数为1～5的烷氧基甲基中的基团，该聚合物(A)是该式(1)所示的单元结构与该式(2)所示的单元结构以摩尔百分比计为式(1)所示的单元结构:式(2)所示的单元结构＝(25～60):(75～40)的比例进行共聚而得到的聚合物。
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公开(公告)号：CN103229104A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180057083.2
申请日：2011-12-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN105940348A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006193.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L33/04 , C08L101/00 , C08L101/04
Abstract: 本发明提供一种在被膜的周边部产生的边缘凸起得以减少的被膜及其形成方法，所述边缘凸起导致产生即使通过蚀刻工序也不会被除去的不需要的残渣。本发明提供一种用于光刻工序的膜形成用组合物，所述膜形成用组合物包含表面活性剂，所述表面活性剂包含具有碳原子数3～5的全氟烷基部分结构的聚合物和低聚物。全氟烷基部分结构的碳原子数优选为4。上述全氟烷基部分结构可进一步包含烷基部分结构，上述聚合物及低聚物优选为(甲基)丙烯酸酯聚合物及低聚物。上述表面活性剂的含量为膜形成用组合物的全部固态成分的0.0001～1.5质量％。膜形成用组合物还包含涂膜树脂，该树脂为酚醛清漆树脂、缩合环氧系树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚醚系树脂或含硅树脂等。所形成的膜可作为抗蚀剂下层膜或抗蚀剂上层膜使用。
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公开(公告)号：CN103229104B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201180057083.2
申请日：2011-12-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/3081 , C09D139/04 , G03F7/0045 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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