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公开(公告)号：CN113880041A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010636745.2
申请日：2020-07-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种微系统模组芯片嵌入式封装结构及封装方法，通过自上往下进行重新布线工艺的待封装芯片周围的光刻胶重新定形的方法，先在临时承载基底上制作重新布线结构，再将待封装芯片有芯片焊盘的一面与再布线结构上的电互连焊盘进行回流，之后再用厚膜光刻胶对待封装芯片的外层进行重新定形，最后将带有再布线结构的重新定形的待封装芯片扣到半导体基底的凹槽内，大大的减小了内埋芯片后硅空腔周边的剩余宽度，进而消除了悬空走线结构提高了模组整体的可靠性；避免了走线与芯片上的互连PAD偏离引起电互连失效，待封装芯片表面一次又一次承受强度较大的工艺及待封装芯片上表面的结构受到损坏等。
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公开(公告)号：CN113880040A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010635428.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种微系统模组不同深度硅空腔的一次刻蚀方法，包括步骤：于半导体衬底上形成上下叠置的第一光刻胶层及第二光刻胶层，形成第一刻蚀开口及第二刻蚀开口，基于形成的光刻胶图形形成初始硅空腔，去除剩余第一光刻胶层，刻蚀形成第一深度硅空腔及第二深度硅空腔。通过上述方案，本发明在半导体基底上形成上下两层光刻胶层，即第一光刻胶层及第二光刻胶层，在一次刻蚀之前形成所有不同深度空腔的光刻胶图形，刻蚀过程中，通过更换刻蚀气氛与刻蚀能量等实现上一个深度的硅空腔刻蚀与下一个深度硅空腔刻蚀前表面光胶的清洗，从而实现不同深度硅空腔的一次刻蚀，避免了深硅空腔上涂胶时光刻胶覆盖性差的问题，同时也提高了工作效率，减少污染。
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公开(公告)号：CN113097151A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110348360.0
申请日：2021-03-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种GaN器件结构及制备方法，制备包括：提供基底，基底包括底层硅、中间埋氧层及顶层硅，刻蚀顶层硅形成沉积凹槽，沉积凹槽显露中间埋氧层，在沉积凹槽的侧壁上至少形成GaN沟道及GaN沟道显露表面的势垒层，制备栅极电极、源极电极和漏极电极，以得到GaN器件。本发明的GaN器件结构及其制备方法，基于顶层硅中的沉积凹槽的设计，在沉积凹槽侧壁上选择性外延，可以实现Si衬底上集成GaN器件，并可同时集成Si器件。另外，基于本发明的上述设计，还可以有效减小器件尺寸，实现器件结构的小型化。
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公开(公告)号：CN113053749A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110272079.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205
Abstract: 本发明提供一种GaN器件及制备方法，通过在衬底上采用二次外延可制备形成具有不同材料及非对称结构的第一势垒结构及第二势垒结构，以为源极及漏极提供不同的外延势垒结构，其中，第二势垒结构中的InAlN势垒层可与GaN沟道层的晶格常数相匹配，从而能形成无应力的稳定外延结构，且InAlN势垒层极化能力强，能在GaN沟道内极化出较多的二维电子气，而且通过掺杂InAlN势垒层，能更一进步的降低欧姆接触电阻，从而可为源极输入尽可能多的载流子，以及通过尽可能高的掺杂来降低源极欧姆接触电阻，且在漏极可提供稍少的载流子，以缓解电场强度，避免GaN器件的过早击穿，从而可提高GaN器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111584346B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202010469000.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供一种具有热沉结构的GaN器件及其制备方法，该器件依次包括：Cu热沉衬底、CuIn金属间化合物层、种子层、粘附层、SiC衬底层及功能层。通过裂解工艺，利用离子注入在SiC衬底层内形成缺陷层，然后在应力诱导产生层的应力作用下使SiC衬底层在缺陷层处裂解，达到衬底减薄的效果同时还可回收SiC衬底，节省工艺成本，且SiC衬底层减薄的厚度可以通过离子注入的能量、剂量来确定，工艺简单，更避免了现有采用研磨工艺减薄过程中引入的杂质颗粒；另外，利用Cu/In合金键合，缓解了热沉结构键合过程中功能层开裂的风险，工艺可靠性高。
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公开(公告)号：CN111934688B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010998421.3
申请日：2020-09-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明提供一种逐次逼近型模数转换器及方法，包括：数模转换模块，具有K位低位电容阵列及（M‑K）位高位电容阵列；比较模块，比较数模转换模块输出的差分信号，并得到比较结果；逐次逼近控制逻辑模块，基于比较结果产生M位原始码并控制数模转换模块中各开关的导通和关断；数字冗余纠错模块，对M位原始码进行冗余纠错得到N位二进制码。本发明对输入电压进行采样保持；将采样到的信号进行比较，根据比较结果进行电荷重新分配，完成M次比较后，得到M位原始码；对原始码进行数字冗余纠错以得到N位二进制码。本发明在小芯片面积情况下具备高精度带量化误差修正的能力，电荷交换和电压建立速度快，在低功耗条件下提高模数转换速度。
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公开(公告)号：CN111430238B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010274326.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/10 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种提高二维电子气的GaN器件结构的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底的上方形成沟道层；在所述沟道层的上方形成第一势垒层；将所述沟道层分为第一区域和第二区域，去除所述第一区域上方的所述第一势垒层；在所述第一区域的上方形成第二势垒层。本发明通过去除沟道层上方的第一势垒层并代以第二势垒层，提高了沟道层的二维电子气密度；通过对沟道层进行表面处理并二次外延生长第二势垒层，减少了因刻蚀损伤及异质材料原位生长所产生的界面缺陷，提升了器件性能。
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公开(公告)号：CN110601705B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910711918.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B1/16 , H04B7/0408 , H05K1/02 , G01S7/285
Abstract: 本发明公开了一种相控阵多波束射频接收组件，包括：接收射频信号的第一射频同轴连接器；将射频信号放大的射频板；将放大后的射频信号并合成波束的射频多层混压板；接收射频多层混压板输出的波束的第二射频同轴连接器。本发明具有在高集成度板材同时接收多个波束进行合成处理的特点，多个波束间射频走线的交叉引入同轴微带线垂直互联结构，在射频板内层分层传输，保证了多波束可同时接收处理，且保证接收波束微波性能良好且互不干扰影响。该结构对相控阵TR组件的高度集成化和组件多波束实现具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111952355A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010850469.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种基于多漏指结构的GaN HEMT器件及制备方法，该器件包括：形成于GaN HEMT薄膜结构上的源电极、漏电极及MIS栅电极；形成于MIS栅电极与漏电极之间的漏指金属场板，漏指金属场板包括若干个水平场板及若干个垂直场板，水平场板包括形成于漏指上的导电材料，垂直场板包括形成于漏指槽侧壁上的导电材料。通过在栅电极与漏电极之间形成与漏电极接触连接的漏指金属场板，可以有效改变漏电极端电场的走向，提高GaN HEMT器件的耐压性能，且利于器件的小型化；另外，垂直场板可有效减小整体漏电极端电阻，从而可获得低的导通电阻；再者，漏指金属场板减少了形态不良的欧姆接触的漏电极端的泄漏路径，从而抑制了泄漏电流。
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