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公开(公告)号：CN114274040A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111420775.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅研磨设备，涉及半导体加工设备技术领域，包括：保温筒体，保温筒体内壁上设有第一加热元件，保温筒体底部开口处设有保温盖体，保温盖体与保温筒体配合连接；研磨组件，研磨组件设于保温筒体内，研磨组件包括由上向下依次同轴设置的第一研磨组件、行星盘和第二研磨组件，行星盘用于放置样品；驱动机构，驱动机构用于驱动第一研磨组件和第二研磨组件之间发生相对转动；研磨剂供应装置，研磨剂供应装置与保温筒体相连通。本申请的研磨设备可以将减薄和研磨一步完成，实现碳化硅片的快速研磨，提高了生产效率。同时，在高温下进行研磨加工则有利于降低加工过程引入的应力，进而提高了成品率，降低碳化硅晶片的变形。
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公开(公告)号：CN114264652A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111501114.0
申请日：2021-12-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 碳化硅中位错产生及演变的逆向分析方法，属于半导体技术领域，包括清洗烘干晶圆抛光片，按顺序置于晶片花篮中；将单个晶圆抛光片移动到显微镜的样品台上；将所述单个晶圆抛光片在显微镜视场进行面扫描，得到所述单个晶圆抛光片的形貌特征图片；根据所述形貌特征图片，对所述单个晶圆抛光片中的位错进行分类识别，并记录各个位错相对于晶圆平面的位置坐标，统计各类位错的数量；将所述单个晶圆抛光片置于置片花篮中。本发明通过三维追踪的方法，逆向分析了晶体生长过程中多型以及各类位错的起源以及相互之间的演化，这对于晶体生长工艺的改善以及晶体生长质量的提高，提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN114232095A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111385909.X
申请日：2021-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种优化碳化硅籽晶表面初期成核的方法，在初期成核阶段，在第一预设时间内，将生长腔室内的压力降低至生长压力，并同时将生长腔室内的温度升高1％‑2％；待生长腔室内的压力降低到生长压力后，在第二预设时间内，将生长腔室内的温度降低至生长温度，通入生长晶体所需的气体，进行正常生长。本发明在生长初期饱和压较大的情况下，通过提高籽晶表面的温度来抑制籽晶表面在非平衡状态下的成核概率，进而增加平衡状态下在籽晶表面成核的概率，以此达到高质量碳化硅单晶的生长目标。
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公开(公告)号：CN114167138A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111528881.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。
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公开(公告)号：CN114078692A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202210013373.7
申请日：2022-01-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗设备，所述晶圆清洗方法包括利用二氧化碳的超临界流体和二氧化碳的气溶胶同时对晶圆表面进行冲洗，然后将晶圆表面的二氧化碳挥发成气态，使得冲洗的过程中有机物和颗粒污染物脱离晶圆表面，实现对晶圆表面的有机物和颗粒污染物的清洗。本发明利用压强或温度变化可使CO2完成在超临界流体、液体、气态、气溶胶不同形态转变的物理性质，将其引入晶圆清洗流程，替代传统RCA清洗剂SC1和SPM去除颗粒和有机物，突破了传统清洗方法超纯水使用量大、化学污染多、废料多、效率低的限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113279065B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110475998.0
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义。
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公开(公告)号：CN112978731B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110551428.5
申请日：2021-05-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/977
Abstract: 本发明涉及一种高纯碳化硅颗粒的反应装置及制备方法，将高纯度的硅烷和乙炔作为原料气体，采用冷等离子体与加热的方法在惰性气氛中合成高纯度的碳化硅颗粒。由气相法合成的碳化硅颗粒避免了其他杂质的引入，保证了碳化硅颗粒的高纯度，同时冷等离子体法利用电子碰撞制备碳化硅颗粒，大大降低了碳化硅颗粒的合成温度，减少了制备成本，为高纯碳化硅颗粒的工业化生产提供了新的方向。
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公开(公告)号：CN119372784A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411960462.8
申请日：2024-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及一种半导体晶体制备方法、籽晶托和PVT生长系统。所述方法在对现有工艺制备得到半导体晶体进行检测的基础上，获得缺陷类型和位置，再依据所述缺陷类型和位置在籽晶托上制作温控凹槽。高温生长条件下，温控凹槽及填充物会引起该处籽晶托位置热辐射变化，进而会导致相邻籽晶附近温度发生变化，从而实现精准调控籽晶生长面特定位置的热场分布。此外，本发明在籽晶托背面设置的温控凹槽，其结构与制作工艺简单，与现有技术相比，成本大大降低，即通过低成本的改进实现对籽晶生长面热场分布的精准控制，进而获得应力小、缺陷密度低的半导体晶体。
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公开(公告)号：CN119260483A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411783897.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B24B1/00 , B24B7/22 , C30B33/00 , C30B29/36 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶锭的加工方法和碳化硅衬底的加工方法，所述碳化硅晶锭的加工方法包括：提供包括一价固体碱和固体含氧酸盐型氧化剂的化学改性剂并加热制成熔融混合液，将碳化硅晶锭的待处理面浸入熔融混合液中，然后进行平面机械磨削，将碳化硅晶锭的待处理面加工成平面。本发明的加工方法中，使用的熔融混合液可以使碳化硅晶锭的表面变得多孔疏松且硬度变软，降低机械磨削过程中的机械应力，同时，在机械磨削的过程中裸露出的新的表面会继续与熔融混合液进行反应，如此循环，最终能够获得相对平整、表面光滑无裂纹、应力较低的碳化硅晶锭，不仅加工效率极高，而且可以有效提高后续切片的成品率，实现高质量碳化硅衬底的制备。
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公开(公告)号：CN118493094A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410961673.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆双面同步抛光方法，利用本发明的碳化硅晶圆双面同步抛光方法进行碳化硅晶圆双面同步抛光时，通过同时改变碳化硅晶圆碳面和硅面的亲水性，同时改变后续的抛光液和碳面的接触角与抛光液和硅面的接触角，使得碳化硅晶圆碳面和硅面在双面同步抛光时的去除速率比值下降。虽然Si面去除速率有所降低，但使C/Si面去除速率比降低，降低碳化硅晶圆的加工损耗，在降低加工损耗和加工成本的同时达到器件制造的使用要求。
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