无针孔介电薄膜制造
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103608966A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201280029540.1

    申请日:2012-06-14

    IPC分类号: H01M14/00

    摘要: 一种沉积介电薄膜的方法可包括以下步骤:沉积薄介电层;停止沉积介电层,以及改变腔室中的气体(如果需要);在基板附近诱导和维持等离子体,以提供对所沉积的介电层的离子轰击;以及重复所述沉积、停止、以及诱导和维持步骤,直到沉积了所需厚度的电介质为止。这种方法的一种变体可包括以下步骤来代替所述重复步骤:沉积较低品质的厚介电层;沉积高品质的薄介电层;停止沉积介电层,以及改变腔室中的气体(如果需要);以及在基板附近诱导和维持等离子体,以提供对所沉积的介电层的离子轰击。所述厚介电层可以比所述薄介电层更快速地沉积。