一种PCB板清洗剂的制备方法

    公开(公告)号:CN106566721A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610911760.7

    申请日:2016-10-19

    发明人: 徐永明

    摘要: 本发明公开了一种PCB板清洗剂的制备方法,包括以下步骤:1)按照重量份数称取苯骈三氮唑50~60份、火山废料30~50份、乙醇20~30份、阳离子树脂30~40份、醋酸20~40份、甘油25~50份、甲醇35~50份、质量百分比为5~10%稀盐酸10~20份;2)将苯骈三氮唑、火山废料、乙醇、醋酸、甘油、甲醇加入质量百分比为5~10%稀盐酸中搅拌10~20min,得到溶液;3)将溶液中加入阳离子树脂搅拌加热得到PCB板清洗剂。本发明的PCB板清洗剂在清洗PCB板方面效果很好,清除率达到了95%。

    一种路灯清洗剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN106118920A

    公开(公告)日:2016-11-16

    申请号:CN201610438257.4

    申请日:2016-06-20

    发明人: 万东方 刘志平

    摘要: 本发明公开了一种路灯清洗剂及其制备方法,该路灯清洗剂由如下重量份的组份组成:碳酸钠20‑30份,碳酸氢钠5‑10份,丙酮8‑10份,醋酸15‑20份,硼酸5‑8份,聚乙烯磨砂颗粒10‑15份,化工增稠剂5‑8份,柠檬酸钠8‑10份,脂肪酸钠1‑3份,硫酸铜0.1‑0.3份,水40‑50份,所述的聚乙烯磨砂颗粒为100‑200目,所述的水为去离子水,所述的化工增稠剂为聚丙烯酸钠和聚乙烯醇的混合物。本发明的路灯清洗剂可以快速高效地清除路灯表面的顽固污渍,不需要使用刷子只需要使用软质棉布或者海绵,去污剂内含有的聚乙烯磨砂颗粒可以对漆面进行柔和的打磨,不管是灰尘还是有机物都可以清除干净不留死角,同时该清洗剂不含有强酸强碱,与漆面接触不会造成漆面变色。

    一种除垢剂
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105567469A

    公开(公告)日:2016-05-11

    申请号:CN201410536589.7

    申请日:2014-10-13

    申请人: 李晓宇

    发明人: 李晓宇

    摘要: 一种除垢剂,由以下原料组分按如下重量份数组成:水90份、碗子粉5份、工业硝酸胺5份、磷酸20份、稀硝酸5份、二氯化锡3份、柠檬酸5份、增白剂2份。本发明的优点是:运输储存方便,清洗锅炉,管道和压力容器对金属腐蚀小,除垢力强,使用安全,环境污染小。

    一种高世代平板减薄用混酸预清洗液

    公开(公告)号:CN105331465A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201510832000.2

    申请日:2015-11-25

    摘要: 本发明公开了一种高世代平板减薄用混酸预清洗液,其组分按重量百分比计包括:50~80%重量的硫酸、5~18%重量的磷酸、0.01~2%重量的盐酸和/或可溶性氯盐、1~7%重量的硝酸和余量水;可溶性氯盐为选自氯化钠、氯化钾、氯化铵中的至少一种。本发明的高世代平板减薄用混酸预清洗液采用硫酸、磷酸、盐酸和/或可溶性氯盐、硝酸和水混合而成,由于硫酸对一些无机和有机化合物都有一定的溶解能力,能有效去除玻璃基板表面的灰尘、指纹等,并且通过调整硫酸、磷酸、硝酸、盐酸和/或可溶性氯盐的浓度,可以控制硫酸对固化胶的溶解速度。

    酸性电解水及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN105232574A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510644868.X

    申请日:2015-09-30

    摘要: 本发明涉及食品加工技术领域,具体涉及一种酸性电解水及其制备方法和用途,其中酸性电解水是由质量浓度为0.05~0.1%的氯基电解质在阳极区电解获得的具有pH值为2.7~3.0、有效氯浓度为55~80mg/L、氧化还原电位为1150~1180mV的酸性电解水。与现有技术相比,本发明的酸性电解水在低pH、高氧化还原电位和高有效氯浓度的三者协同作用下,对食源性致病菌生物被膜,特别是抗性较强的蜡样芽孢杆菌生物被膜具有很强的杀灭效果,本发明提供了酸性电解水杀灭食源性致病菌生物被膜的新用途,可用于制备杀灭食源性致病菌生物被膜的药物组合物、食品添加剂组合物以及消毒剂或清洁剂,为食品工业中生物被膜的控制、清除提供了新的途径,进而为食品的安全性提供可靠的保障。

    清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法

    公开(公告)号:CN105087184A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410218925.3

    申请日:2014-05-22

    摘要: 本申请提供了一种清洗试剂、清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法及金属互连层的制作方法。其中,该清洗试剂包括H2O、H2SO4和H2O2,其中H2O、H2SO4、H2O2的体积比为100:1.24~5:0.3~1.6。本申请还提供了一种清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法。清洗半导体器件中刻蚀残留物的方法包括:配制本申请提供的清洗试剂;将经刻蚀形成的半导体器件与清洗试剂进行接触,清洗去除半导体器件中的刻蚀残留物。本申请提供的清洗试剂能够十分有效地去除刻蚀残留物,并且该试剂对金属层、介质层及衬底等半导体器件具有非常低的刻蚀速率,从而避免了清洗试剂对芯片的损害,提高了半导体器件的稳定性。