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公开(公告)号：CN112420235A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011154145.9
申请日：2020-10-26
申请人： 南京即衡科技发展有限公司
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明提供一种可组合可控Am‑Be中子源装置，包括中子发射系统和真空系统，中子发射系统包括基本单元套筒和若干组镅铍中子发射基本单元，镅铍中子发射基本单元包括金属套筒，金属套筒内部顶端设置有铍层底座和铍片，金属套筒内底部设置有AmO2镀层底座和AmO2镀层，真空系统与各个金属套筒连通，可通过真空系统控制金属套筒内的真空度；铍片与AmO2镀层之间的距离不小于34mm。本发明通过控制(α,n)核反应中所需的两种核素间的真空度来实现中子的产生和消失，达到可控的目的，通过控制中子发射基本单元的数量来实现控制中子的产额，可提高装置的安全性；本发明镅铍中子发射基本单元体积小，自由组合使用的形式可以更为丰富，能更好的适应不同应用场地的需求。
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公开(公告)号：CN111739674A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010454670.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于负高压加速的小型中子发生器的靶电极，包括由靶基座(2)和电极(6)组成的外表光滑的圆柱形的外壳体，设置在靶基座(2)上、位于外壳体内部的靶片(3)，靶基座(2)上设有冷却液通道(12)，电极(6)上设有束流通道(13)。该靶电极组装完成后是一个端面为圆弧状的圆柱，所有不规则结构和尖端都在靶电极内部，保证了电场分布的均匀性。该靶电极对二次电子的抑制效果好，尺寸小，功能全，靶片(3)上能承载3.5mA以上、能量为130keV的D+束流。
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公开(公告)号：CN110473646A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810707116.7
申请日：2018-07-02
申请人： 中广核研究院有限公司 , 中国广核集团有限公司 , 中国广核电力股份有限公司
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明公开了一种可控同位素中子源，包括：密封容器；设在密封容器中的用以镀α粒子发射体的基体，α粒子发射体镀层设在基体外周的部分区域；设在密封容器中的金属靶核，金属靶核设置在基体的周围，且与基体的外周保持一定的距离，其中：基体和/或金属靶核设为可绕轴旋转，使改变基体上α粒子发射体镀层与金属靶核的相对位置获得不同强度中子源，使改变基体的旋转速度获得不同频率的中子束脉冲。实施本发明的可控同位素中子源，中子源强可调，能够获得不同频率的中子束脉冲；实现中子发射的开关控制，使得中子源的安全性得到提高；结构简单，体积小，重量轻。
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公开(公告)号：CN107705860B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710887724.6
申请日：2017-09-27
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种高增殖比反应堆堆芯，该反应堆堆芯为以外中子源区为中心的连续区域，连续区域由内向外依次为：放大区、功能区及屏蔽区；放大区内放置MA核素和贫铀的混合燃料，利用外中子源区产生的高能中子引发MA核素和贫铀裂变进行中子倍增；功能区内放置可转换材料，利用放大区泄露过来的中子进行燃料增殖；屏蔽区用于屏蔽从功能组件泄露出来的中子。本发明能够实现反应堆内易裂变核的产生与易裂变核的消耗的比值高，即在产生相同易裂变核的情况下，消耗的易裂变核少，反应堆的增殖比高。
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公开(公告)号：CN109830322A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910237063.1
申请日：2019-03-27
申请人： 东莞理工学院
摘要： 本发明公开了一种用于散裂中子的碳化硼屏蔽块，包括中子发生箱，输送管，调节管，调节器，上隔层，下隔层，气口，推动杆，隔膜，回程弹簧，隔板，隔离层，冷却液循环器，碳化硼屏蔽块，中子出口，所述中子发生箱通过输送管与调节管连接，所述调节管上方安装有调节器，调节器的顶部开设有与气压机连接的气口，所述调节器内部安装有推动杆，推动杆延伸至调节管与碳化硼屏蔽块连接，所述隔板安装于下隔层的底部，所述测试层的下方设置安装有隔离层，所述隔离层的下方安装有冷却液循环器，所述冷却液循环器下方设置有碳化硼屏蔽块，所述碳化硼屏蔽块安装于调节管，与推动杆连接，所述调节管内碳化硼屏蔽块两侧安装有上下两块向内倾斜的导板。
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公开(公告)号：CN109637690A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811312696.6
申请日：2018-11-06
申请人： 钱铁威
发明人： 钱铁威
IPC分类号： G21G4/02
CPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明涉及一种中子源靶核心结构，它包括冷却法兰，所述的冷却法兰右端面的中心位置设置有凹槽，所述的冷却法兰上凹槽的侧面上靠近其顶端和底端的位置分别连接有进水管道和出水管道，所述的冷却法兰的端面上凹槽的周围设置有螺栓孔A，所述的冷却法兰的右端面上固定有靶法兰，所述的靶法兰的右端面的中心位置设置有铍靶安装槽，所述的靶法兰上铍靶安装槽的周围与螺栓孔A相对应的位置设置有螺栓孔B，所述的铍靶安装槽内设置有铍靶；总的，本发明具有结构小巧、使用安全、可以实现核心靶的快速更换的优点。
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公开(公告)号：CN108806816A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810349397.3
申请日：2018-04-18
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
摘要： 本发明公开了一种中子能谱精准调控技术及装置，包括外中子源、模块化中子能谱调控区、中子能谱精细调控区、屏蔽层、以及中子能谱调节单元存储区。其中，模块化中子能谱调控区、中子能谱精细调控区、中子能谱调节单元存储区均包括多个标准中子能谱调节单元，每个标准中子能谱调节单元外壳尺寸完全相同，位置可以任意互换；每个标准中子能谱调节单元内部填充有多个模块化结构，每个模块化结构内部选择性填充所需材料或材料组分，实现对中子能谱的精准梯度调节。本发明可动态精准构建多种类型的复杂中子能谱，为先进核能系统研发及核技术交叉应用研究提供特定中子能谱辐射场。
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公开(公告)号：CN108470595A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810508220.3
申请日：2018-05-24
申请人： 河南太粒科技有限公司
发明人： 卢亮
摘要： 本发明涉及一种基于直线加速器的小型强流中子源装置，它包括电子回旋共振离子源，电子回旋共振离子源通过连接管A与螺线管A相连，螺线管A的另一端与螺线管B相连，螺线管A和螺线管B之间设置有束诊元件A，螺线管B的另一端通过连接管B与射频四极场加速器相连，射频四极场加速器的另一端通过束流输运管道A与束流输运管道B相连，束流输运管道A上设置有聚焦磁铁，束流输运管道B的另一端连接有束流输运管道C，束流输运管道C的另一端连接有加厚防护束流管道A，加厚防护束流管道A的另一端与中子靶室A相连，中子靶室A与中子应用终端A相连；总的，本发明具有安全性高、经济实用、易普及推广的优点。
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公开(公告)号：CN108320832A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810234296.1
申请日：2018-03-21
申请人： 东莞中子科学中心 , 合肥聚能电物理高技术开发有限公司
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明公开了一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构，包括靶体插件和设于靶体插件底部的靶座，靶体插件内部设有第一冷却液管路，靶座内部设有第二冷却液管路，靶体插件和靶座之间还设有过渡盘，过渡盘连通第一冷却液管路和第二冷却液管路。本发明通过在靶体插件和靶座上改进冷却系统、定位装配方式以及热电偶组件，在无需额外安装配重块、拆卸冷却线路或者拆卸热电偶的基础上，实现了靶体插件和靶座之间的密封连接、电性连接和高精度定位。
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公开(公告)号：CN108269639A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810031055.7
申请日：2018-01-12
申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
IPC分类号： G21G4/02
CPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明公开了一种强流中子源持续产生装置，包括沿束流运动方向依次设置的真空差分系统、节流管道、线性靶管及固态靶盘装置，线性靶管用于实现束流与气态介质发生反应，固态靶盘装置用于实现束流与固态介质发生反应，线性靶管内部腔体两端分别与节流管道和固态靶盘装置的固态靶盘腔室密封连接。在本申请提供的强流中子源持续产生装置中，通过将固态靶盘装置安装在线性靶盘后方，实现在线性靶盘产生线中子源后，在固态靶盘装置产生点中子源，通过设置真空差分系统实现线性靶管隔离的情况，使得稳定产生线中子源和点中子源及较高的中子源强。
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