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公开(公告)号：CN116623156A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310661436.4
申请日：2023-06-06
申请人： 上海微世半导体有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C30B25/08 , C30B25/14 , F16L23/024
摘要： 本发明公开了一种LPCVD加热炉体，包括加热炉、布设于加热炉内的石英管、设于石英管末端外部的炉尾密封圈、设于石英管与炉盖之间的法兰结构，石英管末端内部轴向设有气流导向装置，该气流导向装置轴向长度至少覆盖密封圈所在的轴向位置，气流导向装置内部具有气流导向通道且内侧端外壁与对应位置的石英管内壁连接密封。通过气流导向装置可使得热气流不直接与密封圈所在的位置接触而从气流导向管内通过，从而使密封圈的工作环境较以前降低约80‑120℃，可有效提高密封圈使用寿命。另外，法兰结构采用了独立的冷却水管设计，可方便拆卸更换生成水垢的冷却水管，避免影响法兰的冷却效果及使用寿命。
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公开(公告)号：CN116555903A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310514147.1
申请日：2023-05-08
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
IPC分类号： C30B25/12 , C30B25/14 , C23C16/458 , C30B29/40
摘要： 本公开提供了一种石墨载盘，属于半导体制造领域。所述石墨载盘包括多个均匀分布的圆形第一凹槽以及多个第二凹槽，每个所述第二凹槽环绕第一凹槽布置，并且所述第二凹槽与所述第一凹槽连通，第二凹槽的深度低于第一凹槽的深度，其中第一凹槽用于承载衬底。本公开通过制作围绕第一凹槽的第二凹槽，来减少在外延生长过程中，石墨载盘高速旋转所导致第一凹槽内部气流往外逸散的现象，以及凸起产生的扰流，从而减少第一凹槽往外逸散的气流，以及凸起产生的扰流对其他第一凹槽内部气流的干扰，进而减少对第一凹槽内部温度分布产生的干扰，提升在第一凹槽承载的衬底上生长的外延片的均匀性。
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公开(公告)号：CN116121862B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310140721.1
申请日：2023-02-14
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法。本发明采用光场垂直作用于层状反应剂气流上，光场与反应剂气流的作用路径短，减小了所需激光功率，降低了光辅助MOCVD装置的设计难度、提高了安全性；同时减少了光场在MOCVD气场中的传播过程，提高了光场功率的利用效率；通过生长衬底随衬底托盘的自转和公转，使生长腔内的生长衬底之间和每片生长衬底内均匀地获得光场产生的活性反应剂，实现大尺寸IE高均匀性的光辅助MOCVD外延生长；本发明中光生反应剂的产生过程和光生反应剂的化学气相沉积过程空间上分离，简化了光辅助金属有机物化学气相沉积装置中的光场‑流场‑温场耦合设计。
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公开(公告)号：CN116356284A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211657325.8
申请日：2022-12-22
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/48 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14
摘要： 一种用于在衬底的表面上形成膜的成膜装置，包括：衬底放置在其上的工作台；雾产生源，其产生至少含有水并且用于形成膜的材料溶解在其中的溶液的雾；供给路径，其通过载气的流动朝向工作台上的衬底输送由雾产生源产生的雾；以及加热器，其加热供给路径的至少一部分。由加热器加热的供给路径的该部分设置为雾加热段，在雾加热段中，红外线从供给路径的内表面朝向雾辐射。雾加热段中的供给路径的内表面涂覆有涂层，该涂层包含存在于所述雾中的元素的氧化物和氢氧化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN116334590A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310396075.5
申请日：2017-04-11
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 袁福顺
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/08 , C30B25/14
摘要： 本发明提供的反应腔室的进气机构、反应腔室及外延生长设备，其包括进气腔体和匀流板，进气腔体包括朝向反应腔室的进气端面，匀流板设置在进气腔体的进气端面上；在进气腔体中形成有沿水平方向依次排列的多个进气腔，每个进气腔均延伸至进气端面；在进气腔体中还设置有多个进气管路，其出气端一一对应地与多个进气腔连通；多个进气管路的进气端延伸至进气腔体的外部；在匀流板中设置有多组进气孔组，每个进气腔对应一组进气孔组，每组进气孔组包括多个进气孔，进气孔的进气端和进气腔连通，进气孔的出气端与反应腔室相连通。本发明提供的反应腔室的进气机构，其可以提高进入反应腔室的工艺气体的分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN113521953B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110823107.6
申请日：2021-07-21
申请人： 苏州纳维科技有限公司
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域。本发明公开了一种尾气中镓源回收装置，回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器；腔体内壁顶面为弧形；回收装置内部的温度为300‑800℃；本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE反应后尾气经过本发明中的尾气中镓源回收装置处理后，能够富集尾气中的镓源，并进行回收，同时回收后的镓源中不含有氯化铵等杂质或含有极少杂质。本发明中的尾气处理装置能够很好的分离尾气中的镓源和氯化铵等杂质，实现尾气中高纯镓源的回收。本发明中的HVPE反应器具有镓源回收装置，能够很好的回收HVPE反应中进入尾气中的镓源，提高原料的使用率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116180235A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310175628.4
申请日：2023-02-28
申请人： 西北工业大学
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/14 , H01L31/036 , H01L31/032
摘要： 本发明涉及二硫化钼铒单晶材料的制备方法、单层二硫化钼铒单晶材料和用途。单层二硫化钼铒单晶材料中，单晶晶体中含有硫元素、钼元素和铒元素；所述二硫化钼铒单晶合金的晶体中，部分硫元素与铒元素形成共价键，部分硫元素与钼元素形成共价键，部分硫元素同时与铒元素和钼元素形成共价键。本申请提供的单层二硫化钼铒单晶材料实现了对二硫化钼晶体的改性，将铒元素部分替换到二硫化钼晶体中钼的位置，获得了二硫化钼铒单晶材料，提高了二硫化钼材料的本征电子性质，获得了宽光谱响应。
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公开(公告)号：CN116121863A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310174843.2
申请日：2023-02-28
申请人： 南通三彩集成光电科技有限公司
IPC分类号： C30B25/14 , C30B25/12 , C30B25/10 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种新型双面生长分子束外延设备，包括炉体、支撑装置、喷射装置和取样装置；所述炉体上设有若干激光加热孔和气源通道，所述激光加热孔、气源通道分别与炉体内部连通，所述支撑装置位于炉体内的中部，用于支撑生长衬底，所述喷射装置设置在炉体内，且位于支撑装置的顶部和底部，所述取样装置用于放取生长衬底。本发明可实现生长衬底的双面生长，提高外延生长的效率。
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公开(公告)号：CN116121862A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310140721.1
申请日：2023-02-14
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法。本发明采用光场垂直作用于层状反应剂气流上，光场与反应剂气流的作用路径短，减小了所需激光功率，降低了光辅助MOCVD装置的设计难度、提高了安全性；同时减少了光场在MOCVD气场中的传播过程，提高了光场功率的利用效率；通过生长衬底随衬底托盘的自转和公转，使生长腔内的生长衬底之间和每片生长衬底内均匀地获得光场产生的活性反应剂，实现大尺寸IE高均匀性的光辅助MOCVD外延生长；本发明中光生反应剂的产生过程和光生反应剂的化学气相沉积过程空间上分离，简化了光辅助金属有机物化学气相沉积装置中的光场‑流场‑温场耦合设计。
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公开(公告)号：CN116103753A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211670502.6
申请日：2022-12-26
申请人： 宁波恒普真空科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室、反应室、套筒流道、搬运系统、基座、旋转室和旋转轴；旋转轴为中空轴，旋转轴内同轴的设置有一多通道功能轴；提升杆贯穿多通道功能轴；多通道功能轴伸入基座内的一端设置有多个开孔。本发明中的具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备，在基座内设置进气管，通入保护气体使基座内外分离，相较覆盖件遮挡更为全面有效。保持基座内保护气体向外溢出，减少外部反应气体进入基座内部，从而降低基座内发热体受到外部气体影响并延长使用寿命，同时保证成膜过程中热场的稳定性，降低更换频率可提高生产效率。
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