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公开(公告)号：CN112271540B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202011206563.8
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01S3/067 , H01S3/091 , H01S3/1112 , H01S3/13
Abstract: 本公开提供了一种低重频掺铒飞秒光纤激光器，包括NALM环、主环和第一耦合器，NALM环包括泵浦源输入端、波分复用器、保偏掺铒光纤、第一保偏无源光纤，第一保偏无源光纤为NALM环的环形主体，泵浦源输入端、波分复用器、保偏掺铒光纤均连接在第一保偏无源光纤上；主环包括保偏隔离器、第二耦合器、输出端、第二保偏无源光纤，第二保偏无源光纤为主环的环形主体，保偏隔离器、第二耦合器连接在第二保偏无源光纤上，输出端与第二耦合器的输出端连接；第一耦合器将NALM环和主环连接。该激光器充分利用NALM环进行锁模、降低重频，稳定性高，且结构简单，降低了成本。
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公开(公告)号：CN113830725B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010515854.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了基于柔性衬底的有机半导体阵列转移方法，根据预设阵列形式，制备获得包括硅柱阵列的硅片；对所述硅柱进行表面处理，使所述硅柱的表面顶端亲水且侧壁疏水；在表面处理后的所述硅柱的顶端表面覆盖有机半导体溶液；将中间衬底镀有金属薄膜的表面与覆盖有机半导体溶液的所述顶端表面贴合后进行处理，使所述有机半导体溶液自组装在所述金属薄膜的表面，在所述金属薄膜的表面形成半导体阵列；然后，将所述半导体阵列转移到柔性衬底上。该方法通过中间衬底上的金属薄膜为中间媒介，解决了柔性衬底不耐高温不能直接作为衬底制备有机微纳阵列的问题，从而提供了一种新的有机半导体阵列制备方法。
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公开(公告)号：CN119511525A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311067233.9
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明涉及一种二维双轴压电MEMS微镜，属于半导体设备技术领域，解决了现有技术中MEMS微镜不能进行大角度翻转的问题。所述MEMS微镜包括硅片基底、以及在硅片基底上刻蚀形成的反射镜面和N个悬臂梁，N为2或4；所述N个悬臂梁对称设置在反射镜面外围，N个悬臂梁的固定端与硅片基底一体连接，自由端与反射镜面一体连接；所述固定端均匀布设在硅片基底上，所述自由端均匀布设在反射镜面上；每个悬臂梁上设置有压电驱动块，上电后，压电驱动块带动悬臂梁弯折，悬臂梁弯折带动反射镜面翻转。实现了MEMS微镜工作时实现大角度的翻转。
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公开(公告)号：CN119493468A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202311029388.3
申请日：2023-08-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于FPC的柔性智能感知电子皮肤，属于集成电路技术领域，解决了现有技术中机器人、医疗健康等领域接触感知稳定性不好的问题。该皮肤包括柔性触觉传感器阵列、行选择模块和传感器接口电路；柔性触觉传感器阵列，用于感受外部压力信号，并将压力信号转变为电流信号；行选择模块，通过高低电平选择柔性触觉传感器阵列的行；传感器接口电路，选择柔性触觉传感器阵列的列，并将选定的行和列对应的阵元的电流信号转换为数字信号，用于表示柔性触觉传感器阵列的压力值。实现了柔性感知电子皮肤柔软、稳定、安全的特性。
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公开(公告)号：CN119489282A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411593440.2
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23K26/53 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 本发明涉及一种激光诱导碳化硅晶片裂纹扩展的等离子体控制方法，包括如下步骤：在碳化硅晶锭的待加工位置进行激光聚焦，在晶锭内部生成高激发态等离子体；等离子体生成后，施加外部磁场或电场对等离子体的运动状态进行调控，使裂纹沿预定路径和深度扩展；实时监测等离子体的特征参数，并将数据传输至反馈控制系统，根据等离子体的运动状态，动态调整激光参数、磁场或电场强度；多次扫描扩展裂纹生长范围，实现晶片的剥离。本发明的激光诱导碳化硅晶片裂纹扩展的等离子体控制方法能够有效控制裂纹的扩展路径和深度，避免裂纹的无序扩展，大幅减少碳化硅晶片加工过程中的材料损伤，能够高效地剥离碳化硅晶片，提高加工速度，提升最终产品的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111539177B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202010324225.8
申请日：2020-04-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/392 , G06V30/422 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种版图特征提取的超参数确定方法、装置及介质，方法包括：按照初始尺寸的采样窗口分别对版图上的N个样本点进行采样，对应获得N幅版图切片，N个样本点对应有N组属性参数；根据单像素物理尺寸分别对所述N幅版图切片进行特征提取，以转化为N个特征矩阵；基于N组属性参数，计算出N个特征矩阵的每个单像素位置对应的互信息值，获得互信息图；根据互信息图，确定出采样窗口的目标尺寸作为版图特征提取的超参数。本发明提供的方法、装置及介质，用以解决现有技术中对版图进行特征提取用于模型训练或模型应用时，存在选取的超参数不合适导致的运算速度和计算准确度均较差的技术问题。有效提高了运算速度和计算准确度。
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公开(公告)号：CN119486291A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411472616.9
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10F30/298 , H10F77/14 , G01T1/02
Abstract: 本发明公开一种双埋氧绝缘体上硅总剂量辐照探测器，涉及电力电子技术领域，用于解决现有技术中辐照探测器的探测线性范围受到限制，且剂量计器件与电路的集成度较低的问题。包括：硅衬底；形成于硅衬底上的第二埋氧层；形成于第二埋氧层上的配置层；以及形成于配置层上的第一埋氧层；配置层由电极引出，且配置层的引出电极在正面；第一埋氧层作为剂量计器件的栅氧化层，配置层作为剂量计器件的栅极。本发明能够将剂量计器件集成到电路中。且剂量计器件使用的厚栅氧不再需要改变器件工艺制造，很好地与电路工艺兼容；使用偏置循环控制测量技术将剂量计器件的阈值电压偏移保持在线性变化区，不让阈值电压变化饱和，能够大幅拓宽探测的剂量范围。
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公开(公告)号：CN119486130A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411554154.5
申请日：2024-11-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。本申请的半导体器件通过在晶体管内部体接触区引出体线，以体线作为载流子通道，对不同的垂直晶体管感应出的载流子进行传输。从而在较宽的栅控电压范围内具有极低的关态电流，有效减少半导体结构的浮体效应，防止寄生的PN结正向导通，显著降低漏电流。此外，不仅部分体线位于晶体管内部体接触区，无需额外占用面积，而且位线、字线、体线在第一方向上均以交叠的形式设置在沟道区域内，并通过隔离材料阻断三者之间的连接，消除了传统的环栅晶体管的DRAM阵列结构中的位线、字线、体线之间的固有间隔，有利于半导体器件的尺寸微缩。
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公开(公告)号：CN114783352B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202110089400.4
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G09G3/32
Abstract: 本申请涉及一种μLED单元电路、其发光控制方法和像素电路，属于半导体技术领域，解决了现有GOA电路驱动速度有限，当分辨率较高时多次开启导致较长的一部分时间无法用于发光的问题。μLED单元电路包括：PWM信号生成电路、发光控制电路和μLED，PWM信号生成电路基于发光控制信号和比较参考信号生成具有不同脉冲宽度的PWM信号，比较参考信号为线性降低的斜坡信号；发光控制电路包括驱动晶体管，基于不同脉冲宽度的PWM信号控制驱动晶体管的导通时间以提供驱动电流；以及μLED基于驱动电流控制μLED的发光时间。实现像素内PAM和PWM驱动模式的结合，既兼容了传统驱动模式又满足高灰阶的数字调控。
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公开(公告)号：CN114220813B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202111514469.3
申请日：2021-12-10
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H10B10/00
Abstract: 本公开提供一种存储器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该存储器件包括：衬底；衬底上的存储单元阵列，包括多个存储单元，其中，每个存储单元包括：水平方向间隔排布的左叠层和右叠层，左叠层和右叠层均包括依次叠置于衬底上的下隔离层、PMOS层、第一NMOS层、上隔离层和第二NMOS层，PMOS层、第一NMOS层和第二NMOS层均包括竖直叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，沟道层相对于第一源/漏层和第二源/漏层横向凹入；栅堆叠，在竖直方向上介于第一源/漏层与第二源/漏层之间，且设于沟道层的相对两侧以嵌入沟道层的横向凹入。
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