-
-
公开(公告)号：CN111819311A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017792.4
申请日：2019-02-14
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为使固体碳化硅原料于生长容器内升华并使碳化硅单晶在晶种基板上生长的碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，将钽(Ta)的粉末与碳的粉末一同混合，并使其附着于所述生长容器内的所述固体碳化硅原料，进行热处理并烧结，在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜后使碳化硅单晶生长、或一边在所述固体碳化硅原料的表面上形成碳化钽(TaC)的膜一边使碳化硅单晶生长。由此提供一种减少了碳内含物的碳化硅单晶的制造方法。
-
公开(公告)号：CN107430982B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201680014896.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种贴合式半导体晶圆，在主要表面上具有单晶硅层，其中该贴合式半导体晶圆具有一自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层，并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面，以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。因此提供能避免掉Trap‑rich型的SOI基板中由于BOX氧化膜之中的电荷的影响或杂质所导致的基底晶圆的电阻率的低下，并使高频的基本讯号的失真及一电路向其它电路的环绕讯号变少，并且量产性为优良的贴合式半导体晶圆。
-
公开(公告)号：CN108026660B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201680053903.3
申请日：2016-08-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 高野清隆
Abstract: 本发明提供一种单晶拉制装置，其具备：拉制炉，其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴；以及磁场产生装置，其设置在拉制炉周围且具有超导线圈，磁场产生装置以如下方式产生磁场分布：在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时，X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布，在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下，X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80％以下，同时在水平面内与X轴正交且通过中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布，Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140％以上。由此，能够降低生成的单晶中的氧浓度且能够抑制生成的单晶中的生长条纹。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107615470B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201680029132.4
申请日：2016-03-07
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 水泽康
IPC: H01L21/66 , C30B29/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种使外延层在硅的镜面晶片上生长而成的硅外延晶片的制造方法，其特征在于，具有以下工序：用PL测量装置测量镜面晶片的光致发光(PL)光谱，并调整PL测量装置以使TO线的发光强度为30000～50000计数的工序；对硅外延晶片照射电子束的工序；用调整过的PL测量装置测量来自电子束照射区域的PL光谱的工序；以及将PL光谱的CiCs缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的0.83％以下、CiOi缺陷所引起的发光强度在TO线的发光强度的6.5％以下的硅外延晶片筛选为合格的工序。由此，提供一种硅外延晶片的制造方法，其能够筛选出在使用硅外延晶片制造摄像器件的情况下白瑕疵不良不成问题的等级的硅外延晶片。
-
公开(公告)号：CN108290269B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201680064805.X
申请日：2016-10-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/34 , B24B49/12 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种晶圆的研磨方法，其特征在于，在卸载工序之后且在保持下一个进行研磨的晶圆的装载工序之前，具有：对取出了结束研磨的晶圆后的样板的凹部的深度PDt进行测定的测定工序；计算所测定的凹部的深度PDt与用于研磨前的样板的凹部的深度PD0的差ΔPD的计算工序；以及，根据算出的差ΔPD对下一个进行研磨的晶圆的研磨条件进行调整的调整工序。由此，提供一种晶圆的研磨方法及研磨装置，其能够调整因样板的凹槽深度的数值变动而引起的晶圆的平整度的变动。
-
公开(公告)号：CN111052330A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055612.7
申请日：2018-08-20
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明为一种硅晶圆的评价方法，其特征在于，其包含：预先对所述硅晶圆进行表面缺陷测定的预表面缺陷测定工序；对所述硅晶圆交替地重复利用臭氧水的氧化处理、及在不完全去除形成于所述硅晶圆表面的氧化膜的条件下利用氢氟酸的氧化膜去除处理的清洗工序；及对该清洗工序后的所述硅晶圆进行表面缺陷测定，测定相对于所述预表面缺陷测定工序中测定的缺陷而增加的增加缺陷的增加缺陷测定工序，该评价方法中，交替地重复所述清洗工序与所述增加缺陷测定工序多次，基于各清洗工序后的所述增加缺陷的测定结果来评价所述硅晶圆。由此，提供一种硅晶圆的评价方法，该评价方法能够仅对排除了起因于结晶的缺陷及在清洗等中产生的颗粒等的、起因于抛光等加工的缺陷进行评价。
-
公开(公告)号：CN110970343A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910837131.8
申请日：2019-09-05
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 吉冈翔平
IPC: H01L21/687 , H01L21/02 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种气相生长装置以及外延晶片制造方法，其能够抑制由半导体基板与基座间存在的气体造成的半导体基板在基座上的横向打滑。气相生长装置（1）具备：基座（3）；零件（4），其支撑基座（3）；升降杆（5），其在基座3上而独立于基座3进行升降；升降杆支撑件（7），其连接于促动器（6），并具有托起升降杆（5）的功能。升降杆5包括长升降杆（5a）与短升降杆（5b），当支撑半导体基板W时，半导体基板（W）略微倾斜。该倾斜角度优选为0.1°以上且不足10°，更优选为0.1°以上且不足1°。由此，当半导体基板（W）与基座（3）接触时，能够排出两者间隙中存在的气体，并能够抑制半导体基板（W）在基座（3）上的横向打滑。
-
公开(公告)号：CN108025417B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201680054788.1
申请日：2016-09-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B27/06 , B28D5/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种工件的切断方法，以线锯进行，线锯为将表面固着有磨粒的固定磨粒钢线卷绕于多个带沟滚筒以形成钢线列，在使固定磨粒钢线于轴方向往复驱行的同时，通过将圆柱状的工件对钢线列切断入送，将工件于轴方向并排的多个位置同时切断，其中工件的切断结束后，将固定磨粒钢线自工件的切断结束时的位置，卷回自工件与钢线列开始接触的开始切断时至工件的切断结束时所送出的固定磨粒钢线的长度的1/3以上2/3以下的长度后，将工件自钢线列抽出。由此在切断工件后的钢线拔除中，钢线不会勾住工件而产生锯痕，并不会发生钢线断线。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
833
records
(took 0.039 seconds)
