公开(公告)号：CN101882653B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010215802.6

申请日：2010-06-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  贡伟明 ,  夏义本

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种基于纳米CdS薄膜窗口层的高效太阳能电池制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该太阳能电池的制备方法是：通过磁控溅射法在导电玻璃上制备高禁带宽度的氧掺杂纳米CdS薄膜(CdS:O薄膜)，在溅射时通入一定比例的氩气和氧气的混合气体，从而得到纳米CdS:O薄膜；薄膜制备后在氩气和氧气的混合气体及氯化镉的蒸汽下高温退火以改善薄膜性能；再在纳米CdS:O薄膜上制备CdTe或CdZnTe薄膜及背电极从而制备出太阳能电池。通过采用CdS:O薄膜制备太阳能电池，有利于提高基于CdS薄膜的太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN101871123A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010201205.8

申请日：2010-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  陈军 ,  梁小燕 ,  王东 ,  李辉 ,  张继军 ,  王林军

IPC: C30B13/02 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明涉及移动碲溶剂熔区生长碲锌镉晶体的装置和方法。属特殊晶体生长技术领域。其特点包括：分别将化学计量配比满足Cd1-xZnxTe(x＝0.04～0.8)的99.99999％的高纯原料装入两支石英管内，并向其中一支中加入质量百分数为30％～80％的过量Te，分别抽真空封结并在摇摆炉中合成得多晶棒和富Te合金；依次将籽晶、富Te合金、多晶棒装入长晶管抽真空封接后放入炉体中，富Te合金位置位于高频电磁感应加热器中，温度设置为700～950℃，以0.02～2mm/h的速度上升加热器，同时旋转长晶管；富Te合金区域由于过量Te的加入，熔点显著降低，随着上升，熔体上部不断溶解多晶棒，下部不断析出碲锌镉单晶体。采用本发明生长碲锌镉晶体显著降低了晶体的生长温度和晶体中杂质浓度。

公开(公告)号：CN101866860A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010186273.1

申请日：2010-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  曾庆锴 ,  黄健 ,  唐可 ,  张凤娟 ,  张继军 ,  闵嘉华 ,  夏义本

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/812 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于无机非金属材料器件制备工艺技术领域。本发明的主要特点是：采用高热导率自支撑金刚石薄膜作为衬底材料。并采用添加缓冲层方法，在其上制备n型ZnO薄膜，同时在ZnO薄膜上再制备源、漏和栅电极，最终制得具有高沟道迁移率的ZnO薄膜半导体场效应晶体管(MESFET)器件。器件的场效应迁移率高达3.5cm2/v·s。器件可在350℃下稳定工作。