一种多储能电站联合远程监控系统

    公开(公告)号:CN103812219A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201410050595.1

    申请日:2014-02-14

    IPC分类号: H02J13/00

    摘要: 本发明提供了一种多储能电站联合远程监控系统包括,储能电站监控子系统对光伏发电系统的储能电站运行状态进行实时监控,并将储能电站实时运行数据发送至远程监控数据平台;远程监控数据平台对储能电站实时运行数据进行监控和分析;能量管理子系统依据监控数据和分析结果,制定储能电站的控制策略;储能电站监控子系统依据能量管理子系统下发的功率调整指令,对储能电站进行出力调整。和现有技术相比,本发明提供的一种多储能电站联合远程监控系统采用能量管理子系统-远程监控数据平台-储能电站监控子系统的分级监控,集中统一管理模式,确保储能电站处于高效的工作状态,有效地延长电力设备的使用寿命,同时使得日常监控和维护的工作更加简便。

    一种全压接IGBT模块及其装配方法

    公开(公告)号:CN103400831A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310308903.1

    申请日:2013-07-22

    IPC分类号: H01L25/07 H01L21/50 H05K1/18

    摘要: 本发明涉及电力半导体器件技术领域的功率器件及其装配方法,具体涉及一种全压接IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块及其装配方法。该IGBT模块包括至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件和PCB板,所述至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件均被压接在PCB板上对应的孔位内,所述PCB板通过PCB板定位块定位,设置于上、下端盖之间;IGBT封装结构为至少一层IGBT组件和二极管组件组合的叠层结构。本发明不用加工凸出电极群,降低加工量,提升加工效率,降低新产品设计成本,同时可降低模块尺寸及重量;整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好。

    一种储能并网系统一体化量测装置

    公开(公告)号:CN103197174A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310077828.2

    申请日:2013-03-12

    IPC分类号: G01R31/00 G01R1/04

    摘要: 本发明涉及一种储能并网系统一体化量测装置,该装置对待测设备进行温湿度和电压电流信号采集,并将采集的数据传输给上位机,所述的一体化量测装置包括机箱和设在机箱内的电源模块、温湿度采集模块、电压电流采集模块、信号转换模块和通信模块,所述的电源模块分别连接温湿度采集模块、电压电流采集模块、信号转换模块和通信模块,所述的温湿度采集模块通过信号转换模块与通信模块连接,所述的电压电流采集模块与通信模块连接,所述的通信模块通过网络与上位机连接。与现有技术相比,本发明各硬件模块进行集成,具有量测精度高、操作灵活等优点。

    一种适用于杆上作业的电测仪表接线组合装置

    公开(公告)号:CN102998499A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210533836.9

    申请日:2012-12-11

    IPC分类号: G01R11/04 G01R1/04

    摘要: 一种适用于杆上作业的电测仪表接线组合装置,属测量仪表领域。其在仪表箱中设置一个带有过载保护的空气开关;在电测仪表安装位置下方设置一多功能接线排;所述多功能接线排的下方为分相接线端子排,中部按相分别设置有短接插片,上部设置有多根硬质插针式连接桩;所述的多根硬质插针式连接桩的数量和位置分别与电测仪表下部多孔接线端子排的接线孔的数量和位置对应。其通过采用设置多功能接线排和硬质插针式连接桩的方式,实现外部接线与电测仪表多孔接线端子排的电联接,既方便了现场电测仪表的接线安装,还可对电测仪表在仪表箱中的安装位置进行定位限制,保证电测仪表的接线正确率,避免电测仪表因接线错误而造成损坏。

    一种功率器件的背面buffer层制作方法

    公开(公告)号:CN105023836B

    公开(公告)日:2017-12-05

    申请号:CN201410169697.5

    申请日:2014-04-25

    IPC分类号: H01L21/283

    摘要: 本发明涉及一种功率器件制作方法,具体涉及一种功率器件的背面buffer层制作方法。在3300V以上单晶硅片背面外延一层掺磷浓度高的外延N+层,然后进行背封,防止磷溢出及对相邻片正面造成自掺杂。进行芯片正面工艺,背面的外延N+层会在正面热过程作用下向单晶硅片N‑层进行扩散形成buffer层,在外延N+层浓度确定后,buffer层厚度决定于正面热过程,如厚度不足可在芯片正面工艺前增加一步热过程。本发明通过外延N+层,在实现buffer层的同时保留现有功率器件背面成熟工艺,避免金属粘附性问题;从结构上保证buffer层的完整及背面良好的欧姆接触。