公开(公告)号：CN103353607A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310250174.9

申请日：2013-06-17

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 王新安 ,  林科 ,  张兴 ,  雍珊珊 ,  王腾 ,  谢峥 ,  郭朝阳 ,  张国新 ,  冯晓星 ,  葛彬杰

IPC: G01V1/00 ,  G01V1/24

CPC classification number: G01V1/008

Abstract: 本发明公开了一种基于地声检测方法的大地震孕育过程及临震监测系统。通过安装在深钻孔或深井下的传感器列阵，将收集到的包含完整频率信息、强度信息、声源方位信息的地声信号，经信号处理模块、信号传输通路模块，由主控及数据存储发送模块存储和发送至监测中心；并由电源管理模块保证系统可在野外环境中或灾害来临时也可正常工作1个月以上。该系统可以低成本地、可靠地、无人值守地、密集且大规模地对大地震孕育过程中及临震前地声信息进行长时间的监测。

公开(公告)号：CN103268133A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310136185.4

申请日：2013-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  刘琦 ,  陆光易 ,  曹健 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及集成电路的输入输出管脚，特别涉及一种低功耗的多工作电压下的输入输出管脚单元电路。该电路包括电源管脚、接地管脚，前置驱动电路、输出级驱动电路和输入级驱动电路，前置驱动电路，其连接与所述电源管脚及接地管脚之间，用于将使能信号OE和待输出信号Dout转换为后续输出；输出级驱动电路，其输入端与所述前置驱动电路输出端相连，用于根据所述前置驱动电路的输出，驱动PAD；输入级驱动电路，其输入端与PAD相连，用于根据PAD信号驱动Din。本发明提供的多工作电压输入输出管脚单元电路，可有效保护晶体管，提高电路的可靠性。同时，本发明通过在此单元用作输出时，关断输入驱动级电路，从而有效的降低功耗。

公开(公告)号：CN103001200A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210545910.9

申请日：2012-12-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 王源 ,  陆光易 ,  曹健 ,  刘琦 ,  贾嵩 ,  张兴

IPC: H02H9/00

Abstract: 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，具体涉及一种多重RC触发电源钳位ESD保护电路。该电路通过ESD冲击探测单元探测静电脉冲的接入并发送响应信号至泄放晶体管开启通路，泄放晶体管将冲击带来的静电电荷释放后由泄放晶体管关断通路关断，并保证正常上电时漏电很小；进一步的，利用CR结构代替RC+反相器结构作为ESD冲击探测单元，简化了电路结构，也在一定程度上延长了泄放晶体管开启时间；更进一步的，通过对泄放晶体管关断通路的无源电容使用电流镜单元，更有效的延长了泄放晶体管的开启时间；因此，本发明能够在合理的版图面积下有效的延长泄放晶体管在ESD冲击下的开启时间，并保证保护电路正常上电时漏电很小。

公开(公告)号：CN102339735B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110308804.4

申请日：2011-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏芹芹 ,  崔晓锐 ,  尹金泽 ,  曹宇 ,  魏子钧 ,  赵华波 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯晶体管的制备方法，该方法将置于纳米尺度沟槽内的碳纳米管作为栅电极，利用空气作栅介质，将机械剥离、CVD技术或用其它生长方法制备的石墨烯转移至碳纳米管所在沟槽的上方，则可制得沟道长度接近碳纳米管直径的、碳纳米管作为栅电极的单栅或多栅石墨烯晶体管结构。本发明利用碳纳米管和石墨烯的结合，实现全碳结构的新型晶体管。

公开(公告)号：CN102237369B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010151362.2

申请日：2010-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  郭岳 ,  安霞 ,  杜菲 ,  张兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种半导体锗基衬底材料及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明在半导体基片上形成一多孔层，在多孔层上设置半导体锗片，形成多孔层上半导体锗基衬底材料。本发明利用多孔层的低介电常数，在多孔层上形成半导体锗基衬底材料，可有效减小漏端通过埋层对沟道电势的耦合作用，从而有效抑制DIBL效应，并可降低源漏和衬底的寄生电容，改善器件速度特性。同时，本发明提供了这种半导体锗基衬底材料的制备方法，巧妙利用智能剥离技术在多孔绝缘层上制备超薄的半导体锗材料。这样既解决了运用BESOI技术时减薄的困难，同时又兼顾了SIMOX技术和键合技术的优点。

公开(公告)号：CN102789418A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210214968.5

申请日：2012-06-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 谢峥 ,  陈旭 ,  王新安 ,  苏吉婷 ,  李世军 ,  周芝丽 ,  胡子一 ,  张兴

IPC: G06F11/36

Abstract: 本申请公开了一种处理器功能仿真模型生成装置，包括寄存器配置模块、指令集配置模块、输入处理单元生成模块、功能仿真单元生成模块、仿真结果配置模块、仿真结果输出单元生成模块和指令功能库。采用本申请提供的生成装置可自动生成满足仿真功能需要的功能仿真模型，避免了完全手工开发导致大量错误的可能性；同时，采用本申请的自动生成方法也大大节省了功能仿真模型的开发时间。

公开(公告)号：CN102045569B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010619784.8

申请日：2010-12-31

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 王腾 ,  王新安 ,  胡子一 ,  张兴

IPC: H04N7/26 ,  H04N7/30

Abstract: 本发明公开了一种用于视频编码器的整数变换装置，包括用于单步整数变换和整数反变换的变换功能块、用于单步量化和反量化的量化反量化功能块、用于存储的存储转置功能块、用于选择输入的多选功能块、用于选择输出的分发功能块、以及控制功能块。本发明有利于预测的匹配性和解码图像的准确性，还可提高硬件设计的效率。

公开(公告)号：CN102043886B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201010619849.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 王新安 ,  胡子一 ,  安辉耀 ,  谢峥 ,  王腾 ,  张兴 ,  周生明 ,  赵秋奇 ,  马芝 ,  孙亚春

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种集成电路下层硬件映射方法及装置，通过对描述集成电路算方法的计算机语言程序进行分析，并将其映射为数据控制流图，再转换为算子时空图，并对数据控制流图进行时序约束，从而根据时序标注对算子时空图进行聚类压缩，再生成集成电路下层硬件电路逻辑描述，从而创造了一种从计算机语言到集成电路下层硬件电路的映射工具，标准化地实现了集成电路从C或MATLAB等语言生成下层硬件的过程，实现起来方便快捷。本发明公开的数据控制流图时序约束方法及装置通过对数据控制流进行时序约束，使得根据该约束方法得到的电路具有规整性，并且该方法适用于数字电路的时序设计和验证，可以更大程度上帮助硬件工程师进行硬件设计。

公开(公告)号：CN102709155A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210112738.8

申请日：2012-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 周梦杰 ,  李晨 ,  魏芹芹 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种金属电感的制备方法，属于无线通讯器件领域。该方法利用石墨烯独特的晶体结构和物理特性，通过在电感线圈的金属上包裹一层石墨烯，提高了线圈的抗电迁移能力以及寿命，减少整体铜互连线因电迁移现象所致的性能退化，避免金属电感在制备及使用过程中被氧化。同时因石墨烯具有优良的热传导性能，缓解了电感线圈因局部温度过高而发生的熔断或者是介质击穿的现象。

公开(公告)号：CN102701196A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210213754.6

申请日：2012-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 魏子钧 ,  叶天扬 ,  周梦杰 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种制备石墨烯纳米带的方法，可用于制备石墨烯纳米带阵列及基于此结构的各种器件。该制备方法利用金属纳米颗粒在退火过程中会沿择优方向刻蚀石墨烯，在所述石墨烯形状边界限域作用下，金属纳米颗粒呈“之”字形轨迹刻蚀，从而形成石墨烯纳米带及其阵列。利用本发明所提出的方法，可以刻蚀出纳米尺度宽度的石墨烯纳米带阵列，而且石墨烯纳米带具有原子尺度的光滑边缘和相同的手性。