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公开(公告)号：CN110844876A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911136443.2
申请日：2019-11-19
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法，属于微纳加工领域。本发明在传统工艺的基础上，首先采用表面周期性处理工艺，在衬底101表面制备出一个个纳米柱106，其目的是将金属原子102的注入区域分隔开，转移石墨烯105并退火，退火过程中金属原子102团聚成金属纳米颗粒103。石墨烯105起到了完美的阻挡层作用，阻止金属原子102的蒸发。因此，退火温度可以远高于传统工艺中的退火温度。此外，表面周期性处理使得金属纳米颗粒呈现规则排列，这样能够获得结构排列可调的金属纳米颗粒阵列。同时，制备出的石墨烯被金属纳米颗粒保护，阻隔其与空气的接触，有效保证了金属纳米颗粒的长期性质稳定。
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公开(公告)号：CN110596798A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910915788.1
申请日：2019-09-25
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G02B3/00
摘要： 本发明公开了一种基于苯并环丁烯和氧化硅球的微透镜制备方法，利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。该微透镜包括衬底、BCB和SiO2微球，用匀胶机将混有SiO2微球的BCB旋涂在衬底上，经加热固化和等离子刻蚀(RIE)在衬底上制备出由BCB和SiO2微球构成的微透镜结构。利用SiO2和BCB来作为微透镜的制备材料不仅可以制备出不同球冠大小微透镜还可以制备出不同弧度的微透镜。
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公开(公告)号：CN109116684A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810808254.4
申请日：2018-07-22
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了可转移键合PDMS基纳米结构制备方法，首先在刚性基底上旋涂一种可被有机溶剂如丙酮等溶解的牺牲层；然后在所制作的牺牲层表面旋涂一层PDMS，固化后在PDMS上面通过干涉光刻的方法制作出周期性纳米图形；再将制作好的图形进行刻蚀，得到图形化了的PDMS。将刻蚀好的PDMS放入丙酮等有机溶剂中，将牺牲层溶解，最终得到具有纳米图形的可转移可键合的PDMS薄膜。本发明使用干涉光刻的方法制备周期性纳米图形，极大的提高了效率。相较于现有的几种制备柔性材料微纳结构的方法，干涉光刻具有速度快，成本低，面积大，易于调节周期及占空比的优点。大大降低了制作过程中薄膜释放的操作难度，提高了薄膜制作的成功率，社会效益及经济效益十分显著。
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公开(公告)号：CN108660430A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810455783.0
申请日：2018-05-14
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/56 , C01B32/186 , C01B32/194
摘要： 本发明公开了在氧化物绝缘衬底上类直接生长大面积石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。本发明采用CVD法在不具有石墨烯生长催化作用的氧化物绝缘衬底上类直接生长石墨烯，石墨烯免转移可以直接制备器件。通过在绝缘衬底镀一层金属作为催化剂，利用CVD首先在金属表面生长石墨烯，在生长同时使金属表面形成孔洞形貌。之后旋凃PMMA，以PMMA作为石墨烯支撑层利用湿法腐蚀金属。腐蚀液会穿过PMMA和石墨烯腐蚀下层的金属。金属腐蚀干净后石墨烯和PMMA会落在衬底上，再用有机溶剂去除石墨烯表面的PMMA，最终得到在绝缘衬底上类直接生长的石墨烯薄膜样品。本发明工艺简单，可重复性高，生长出的石墨烯质量高，大面积，几乎无破损。
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公开(公告)号：CN106654857A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710125696.4
申请日：2017-03-05
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，属于半导体激光器技术领域，该阵列为一种带网格电极的高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，采用质子注入法实现出光单元间的电隔离。器件工作时，使得出光孔区域的有效折射率低于间隔区域的有效折射率，形成特殊的反波导结构。而间隔区域的网格电极进一步加大了反波导的折射率台阶，使得同相耦合的难度降低。通过适当的调节质子注入的深度d和单元间距，使得阵列满足同相激射的条件，便能够实现同相耦合阵列。本发明通过合理设计阵列单元间距和质子注入深度d，可以得到同相激光输出，提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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公开(公告)号：CN104393093B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410641038.7
申请日：2014-11-13
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/108
摘要： 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接触的情况下，能形成大约0.5ev的势垒。形成之势垒表现为接近金属电极的GaN内部能带弯曲，形成空间电荷区可以进行分离电子空穴，从而产生光生电动势和光生电流。通过引入表面缺陷的方法可以大大提高探测器的响应度。这一结构工艺简单，效率高；从而增加电子空穴对的分离能力，增大探测器内量子效率，增大探测率和响应度。
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公开(公告)号：CN105655867A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610232363.7
申请日：2016-04-14
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/423
摘要： 本发明公开了一种用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极，能够解决大规模VCSEL阵列电流扩展不均匀的问题，同时还能解决传统的单条网格电极存在的同相模式吸收的问题，使阵列获得高功率同相输出。用于高光束质量大功率VCSEL同相耦合阵列的双条网格电极包括外部边框大电极、内部双条网格电极；本发明采用多次质子注入方式制备VCSEL阵列，通过合理设计阵列单元间距和新型双条网格电极，可以解决单条网格电极存在的模式吸收问题，在保证同相激光输出的同时，可以获得高功率输出，大大提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。
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公开(公告)号：CN103489982A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310447624.3
申请日：2013-09-25
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/44
摘要： 一种基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，属于LED技术领域，从上到下依次：二氧化硅保护层、单原子层石墨烯、接触层（可有可无）、LED芯片p-GaN层、LED芯片多量子井发光层、LED芯片n-GaN层、蓝宝石衬底，其中LED芯片p-GaN层为光子晶体结构，保护层覆盖了除了正电极和负电极以外的所有部分。本发明采用将光子晶体和单层石墨烯相结合的结构能够达到极大提高出光效率同时没有使用ITO的目的。
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公开(公告)号：CN103280541A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310193868.3
申请日：2013-05-23
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法，属于基于纳米碳（石墨烯）的柔性电子技术领域。在石墨烯层上制备柔性电子器件功能结构，石墨烯层是用CVD生长在金属催化剂衬底片上的，然后在柔性电子器件功能结构上制备柔性衬底；采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片与石墨烯层分离：在电解槽中，将上述石墨烯的产品作为阴极，进行水的直流电解，在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片与石墨烯层的界面间，最终分开；最后在表面涂覆石墨烯钝化层。本发明缩短了工艺流程、降低了成本，减小了对环境的重金属污染。
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公开(公告)号：CN102636261A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210130399.6
申请日：2012-04-27
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01J1/42
摘要： 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。
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