一种过渡金属基金属有机框架复合材料的制备方法及运用

    公开(公告)号:CN112553654B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202011415899.5

    申请日:2020-12-03

    Abstract: 本发明公开了一种过渡金属基金属有机框架复合材料的制备方法及运用,属于电化学催化领域,该催化材料的制备方法如下:首先,用原位还原法将硝酸银还原为银单质,后加入有机配体与过渡金属源,通过溶剂热法合成过渡金属基有机金属框架复合材料,该方法改善了有机金属框架固有导电性差,并且在碱性条件下展示优异的催化性能:内阻降低56.9%~97.4%,析氢过电势可达47mV且具有理想的稳定性,可在一定条件下代替商业铂碳,大大降低所需成本。

    一种金刚石陶瓷复合划片刀及其制备方法

    公开(公告)号:CN111704391A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010609978.3

    申请日:2020-06-29

    Abstract: 本发明涉及半导体加工领域,尤其涉及一种金刚石陶瓷复合划片刀及其制备方法,原料包括树脂、金刚石、无机填料和造孔剂,经过混料、填料、热压、二次硬化等步骤制作,并使用其特制模具制成,模具包括两个压型模、设置在两个压型模中间的外型模及设置在压型模下端的内型模;内型模包括底板和均匀固定在底板上端面的内型限位柱;压型模包括上和均匀固定在上板端面的压型管,内型限位柱外径与压型管内径相匹配;外型模包括中板和均匀开设在中板上的外型孔,压型管的外径与外型孔内径相匹配。本发明可制备一种具有超高形位精度,切缝表面质量,机械性能和寿命的超薄金刚石划片。

    一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法

    公开(公告)号:CN101323427A

    公开(公告)日:2008-12-17

    申请号:CN200810047178.6

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种制备硅微悬梁无铅压电厚膜执行器的方法,包括:①硅片清洗,生长二氧化硅和氮化硅层;②刻蚀硅片背面腐蚀窗口后刻蚀硅微桥;③采用剥离工艺制备Pt/Ti下电极;④印刷法制备无铅压电厚膜并进行抛光;⑤沉积Au上电极并对其湿法刻蚀,最后去掉微桥一端得到悬梁。本发明的优点是:结构、工艺简单,低的驱动电压,更大的位移,响应速率快,谐振频率高;采用致密的无铅压电膜,无毒环保,符合当前电子材料与器件的发展趋势;用途广泛,可用作各种微夹持、驱动的执行部件,改变尺寸参数也可用于微传感器。

    一种制备热释电陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN1927766A

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN200610124643.2

    申请日:2006-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种制备热释电陶瓷的方法,包括:①将MgO和Nb2O5按质量比1∶1混合均匀,保温合成MgNb2O6;②根据化学式Pb1+d[(ZrxTi1-x)1-y(Mg1/3Nb2/3)y]O3+z at%Mn,0.65≤x≤0.95,0≤y≤0.3,0≤d≤0.1,0≤z≤5,将MgNb2O6与PbO、ZrO2、TiO2和Mn(NO3)2溶液混合,Mn(NO3)2溶液的质量浓度为2%;③将混合物预烧后进行粉碎、过筛、预成型和成型,再保温烧结,烧结采用双坩埚密封气氛叠烧,使烧结过程在饱和铅气氛中进行;④将烧结后的材料进行磨片、清洗、被银和烧电极;⑤将材料放在100~120℃硅油中加3~5KV/mm电场极化15~30分钟,然后保压冷却至室温。本发明以Mn(NO3)2溶液的形式进行了有效的锰掺杂,制备出的PMN-PZT热释电陶瓷具有高的热释电系数,低的介电损耗和合适的介电常数,具有良好综合热释电性能,符合制作热释电红外探测器的要求。

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