公开(公告)号：CN101946327A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880126950.1

申请日：2008-10-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  菊池哲郎 ,  今井元 ,  北川英树 ,  片冈义晴

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G02F2201/124 ,  G09G3/3648 ,  G09G2310/0297 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供TFT、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置。从第二源极·漏极电极(4)的电极线(4a)分支的支电极(4b)与第一区域(R)开始交叉的部位(D)的第一区域(R)的外缘至电极线(4a)的距离(d1)为5μm以上。由此实现具有能够容易地修复源极·漏极间的漏电的梳齿状的源极·漏极结构的TFT。

公开(公告)号：CN101663612A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200780052574.1

申请日：2007-12-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  菊池哲郎 ,  北川英树 ,  原义仁 ,  嶋田纯也 ,  今出光则 ,  片冈义晴

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。制造效率高地提供高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括：以夹持液晶的方式配置的第一基板和第二基板；形成于所述第一基板的用于施加控制所述液晶的取向的电压的第一电极和第二电极；具有与所述第一电极电连接的电极的晶体管；形成于所述第一基板的具有凸部、凹部或者开口的金属层；和形成于所述第一基板的所述金属层上的用于使入射光向显示面反射的反射层的液晶显示装置，金属层由与所述晶体管的栅极电极相同的材料形成，反射层具有与所述金属层的所述凸部、凹部或者开口相应地形成的凸部、凹部或者台阶。

公开(公告)号：CN101589331A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200780050333.3

申请日：2007-12-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  松本仁志

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/133371 ,  G02F1/133555 ,  G02F2201/34

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置，其目的是以低成本提供开口率高、反射光的利用效率良好的高画质的半透过型液晶显示装置。本发明的液晶显示装置，其在多个像素(50)的各个中具备晶体管(32)和反射部(30)，反射部(30)包括金属层(56A、56B)、在金属层(56A、56B)上形成的绝缘层、在绝缘层上形成的半导体层和在半导体层上形成的反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(48)，在金属层(56A、56B)的至少一部分与反射层(63)的至少一部分之间形成辅助电容，金属层(56A、56B)和反射层(63)的至少一方，包括相互电分离的2个部分。

公开(公告)号：CN112349732B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010782151.2

申请日：2020-08-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  北川英树 ,  平田义晴

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部，下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部，第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内，且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触，氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。

公开(公告)号：CN110783344B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201910671345.2

申请日：2019-07-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板的制造方法，抑制由第2金属膜的蚀刻引起的缺陷的发生。阵列基板具备：半导体膜；第1绝缘膜，其配置于半导体膜的上层侧；第1金属膜，其配置于第1绝缘膜的上层侧；第2绝缘膜，其配置于第1金属膜的上层侧；第2金属膜，其配置于第2绝缘膜的上层侧；源极配线，其包括第2金属膜；栅极电极，其包括第1金属膜；沟道区域，其包括半导体膜的一部分，以与栅极电极重叠的方式配置；源极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，通过至少在第2绝缘膜开口形成的接触孔连接到源极配线；漏极区域，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的；及像素电极，其是将半导体膜的一部分低电阻化而成的，与漏极区域相连。

公开(公告)号：CN112071860B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010444250.X

申请日：2020-05-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  原义仁 ,  前田昌纪 ,  平田义晴 ,  川崎达也 ,  上田辉幸 ,  今井元 ,  大东彻

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括：基板；多个下部总线以及多个上部总线；下部绝缘层，位于多个下部总线与多个上部总线之间；氧化物半导体TFT，是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT，包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层；像素电极，配置在各像素区域；多个配线连接部，配置在非显示区域。各配线连接部包含：下部导电层，使用与多个下部总线相同的导电膜而形成；绝缘层，是在下部导电层上延伸设置的，包含下部绝缘层的绝缘层，包含露出下部导电层的一部分的第一开口部；其他导电层，在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含：包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。

公开(公告)号：CN110867453B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201910682845.6

申请日：2019-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原健吾

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法，消除随着各接触孔的形成而出现的问题。阵列基板(11B)具备：第1TFT(15)；第1源极侧连接部(19)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1源极区域(15B)；第1漏极侧连接部(20)，其包括第2金属膜(43)的一部分，连接到第1漏极区域(15C)；第2TFT(24)，其由第1TFT(15)驱动；第2源极侧连接部(28)，其包括第1金属膜(39)的一部分，连接到第2源极区域(24B)；以及第2漏极侧连接部(29)，其包括第1金属膜(39)或第2透明电极膜(48)的一部分，连接到第2漏极区域(24C)。

公开(公告)号：CN111580315B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202010092392.4

申请日：2020-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西宫节治 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原健吾 ,  高畑仁志

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12

Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。

公开(公告)号：CN110494798B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201880022067.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  今井元 ,  伊藤俊克 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  原健吾 ,  西宫节治 ,  大东彻

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30

Abstract: 提供一种既抑制像素缺陷的产生又高清晰的有源矩阵基板。其具备：第1半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的一个子像素对应；第2半导体膜，其与在行方向上相邻的2个子像素中的另一个子像素对应；晶体管，其将上述第1半导体膜的一部分作为行方向上的沟道；以及像素电极，其经由接触孔连接到上述晶体管的漏极电极，在俯视时，从上述沟道的漏极电极侧边缘到上述接触孔的底面为止的行方向上的距离(dc)为行方向上的子像素间距(dp)的0.15倍以上。

公开(公告)号：CN110320712A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910238559.0

申请日：2019-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  近间义雅 ,  平田义晴 ,  今井元 ,  大东彻

IPC: G02F1/1339

Abstract: 本发明提供一种确保承重力，并且抑制开口率降低的液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置的制造方法包含如下工序：工序(A-1)，在具有薄膜晶体管元件的第一基板的表面上涂布负性光刻胶，而形成第一涂膜；工序(A-2)，对上述第一涂膜在曝光图案处进行曝光，上述曝光图案包含第一曝光区域、以及曝光量设为小于上述第一曝光区域的曝光量的第二曝光区域；工序(A-3)，将上述第一涂膜显影，而在上述第一曝光区域形成第一空间件，并且在上述第二曝光区域形成具有高度小于上述第一空间件的高度的第二空间件。