公开(公告)号：CN104466617B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201410479293.6

申请日：2014-09-18

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 秦华 ,  孙建东 ,  黄永丹 ,  郑中信 ,  吴东岷 ,  蔡勇 ,  张宝顺

IPC分类号： H01S1/02

摘要： 本发明提供一种太赫兹光源芯片、光源器件、光源组件及其制造方法，光源芯片包括：二维电子气台面；形成在二维电子气台面上的用于激发等离子体波的电极；形成在二维电子气台面下方的太赫兹谐振腔，谐振腔底面设置有全反射镜；以及光栅，其形成在二维电子气台面上，用于将等离子体波模式与太赫兹谐振腔腔模相耦合，以产生太赫兹波发射。本发明利用太赫兹谐振腔腔模与光栅下二维电子气内的等离子体波模式的强耦合形成等离极化激元，通过等离极化激元的电学激发产生太赫兹波发射，避免了依靠单个电子的高频振荡或单个电子的量子跃迁产生太赫兹发射存在频率低或工作温度低的问题，扩大了发射频率范围和工作温度范围。

公开(公告)号：CN109038207A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810841598.5

申请日：2018-07-27

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 黄宏娟 ,  王逸群 ,  张宝顺

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/183

摘要： 本发明公开了一种可控温VCSEL器件及其制作方法，包括：提供第一晶圆，在第一晶圆上形成n组导电柱；将n组VCSEL和控温器件固定于具有n组导电柱的第一晶圆表面，并使其输入端和输出端均分别对应电连接至n组导电柱内的不同导电柱；提供第二晶圆，在第二晶圆上形成n个容置孔，并将具有n个容置孔的第二晶圆与固定有n组VCSEL和控温器件的第一晶圆对准键合，使一组VCSEL和控温器件置于一个容置孔内；提供第三晶圆，将第三晶圆与已与第一晶圆对准键合的第二晶圆键合；对键合完成的第一晶圆、第二晶圆及第三晶圆进行切割，得到单个可控温VCSEL器件。本发明的可控温VCSEL器件及其制作方法，使得VCSEL可以进行独立控温并不受外界环境影响。

公开(公告)号：CN108695383A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710219041.3

申请日：2017-04-05

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 李夏珺 ,  张宝顺 ,  蔡勇 ,  于国浩 ,  付凯 ,  张志利 ,  孙世闯 ,  宋亮

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/66462

摘要： 本发明公开了一种实现高频MIS‑HEMT的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设第一介质层，并对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体；对与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导进行减薄和表面处理；在与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极与漏极；对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的栅区域对应的所述第三半导体；在与所述异质结构的栅区域对应的第三半导体上设置复合结构栅介质，以及制作源极、漏极和栅极，使所述栅极分布于所述源极和漏极之间。

公开(公告)号：CN105097659B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410209061.9

申请日：2014-05-16

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 黄宏娟 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18 ,  B81C1/00

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种铟互连机构，用于焦平面器件的封装，包括一绝缘基板，所述绝缘基板上设置有多个通孔，所述通孔的壁上设置有一金属层，所述通孔中填充有一铟柱，所述铟柱延伸出所述通孔的两端，在所述铟柱的两端分别形成焊球。本发明还公开了如上所述的铟互连机构的制备方法。本发明还公开了一种焦平面装置及其封装方法，该焦平面装置包括焦平面器件以及读出电路，还包括如前所述的铟互连机构；所述焦平面器件和读出电路通过所述铟互连机构连接。本发明提高了焦平面器件连接的良品率以及连接质量，大大降低了器件的生产成本；并且，该铟互连机构结构简单，制备工艺简便，适于大规模的工业化生产。

公开(公告)号：CN104599976B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201410817601.1

申请日：2014-12-24

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 丁海舰 ,  王敏锐 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

摘要： 本发明涉及一种制备无铅焊料合金的方法，首先在基底上制备金属I薄膜；其次在金属I薄膜表面制备金属II薄膜；最后在金属II薄膜表面制备纳米银层，得到无铅焊料合金。其中，金属I为Cu、Ag、Bi、Zn、In或Ni中的一种，金属II为Sn。本发明还提供利用上述方法制备的无铅焊接合金，包括若干金属薄膜层，金属薄膜层依次为金属I薄膜、金属II薄膜和纳米银层，且金属I薄膜、金属II薄膜、纳米银层的厚度比为1～100:1～100:0.01～0.1，无铅焊料合金的熔点小于或者等于180℃。采用本发明的方法制备的无铅焊料合金，其熔点小于或等于180℃，使电子元器件与基板可以使用在较低的温度下进行回流焊接。

公开(公告)号：CN106449897A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201510486343.8

申请日：2015-08-10

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 黄荣 ,  张子旸 ,  李智 ,  黄源清 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0075

摘要： 本发明公开了一种基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法，包括应用激光直写工艺刻写刻蚀结构图形步骤：首先控制激光直写的曝光光斑沿光刻胶层的第一方向刻写，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻写，最终在光刻胶层上形成M行×N列的曝光光斑，其中，曝光光斑的直径为D，曝光光斑的步进均为d，并且 ；其中，在进行第i行至第i+m-1行的第j列至第j+n-1列的刻写时，关闭曝光光斑的功率形成未曝光区域，未曝光区域形成刻蚀结构图形，刻蚀结构图形沿行方向上的长度为L1，沿列方向上的长度为L2，并且，L1＝(m+1)×d-D，L2＝(n+1)×d-D，m和n的取值至少使得L1或L2的值小于曝光光斑的直径D。

公开(公告)号：CN105217565B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410253151.8

申请日：2014-06-09

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 俞骁 ,  付思齐 ,  张宝顺

IPC分类号： B81C1/00 ,  A61M37/00

CPC分类号： B81C1/00111 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055

摘要： 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。

公开(公告)号：CN105645107A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410635930.4

申请日：2014-11-13

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 刘德利 ,  张宝顺 ,  张永红 ,  王荣新 ,  李智

IPC分类号： B65G51/00 ,  B65G35/00

摘要： 本发明公开了一种应用于超高真空环境的样品传输系统及方法。该传输系统包括分布于真空互联系统内对样品小车有转向要求的选定位置处的换向中转室，所述换向中转室内部设有用于承载样品小车的可旋转轨道，并且所述可旋转轨道可在驱动机构驱动下绕中转室轴线旋转任意角度，并到达不同工作位置处而与真空互联系统内的不同样品小车固定轨道配合。进一步的，所述选定位置包括真空互联系统的选定的两条真空管线交接处和/或对样品小车有转向要求的真空管线交叉节点处。本发明通过在真空互联系统内设置换向中转室，可以有效的完成真空环境下样品小车在真空管道中的交汇及转向功能。

公开(公告)号：CN104555905B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310518366.3

申请日：2013-10-28

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 王逸群 ,  姜春宇 ,  付思齐 ,  林文魁 ,  王德稳 ,  张宝顺

IPC分类号： B81C3/00

摘要： 本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属蒸汽反应物；S3通过气密胶键合，在缓冲气体存在下将第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧外环键合，形成气密的预腔室；S4升温以使碱金属蒸汽反应物反应产生碱金属蒸汽；S5通过阳极键合使第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧表面键合，形成各自独立封闭的原子蒸汽腔；以及S6划片，未置入碱金属蒸汽反应物的腔即为晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔。本发明的封装方法，完全兼容传统制造工艺，兼具单腔室的体积优势和双腔室蒸汽纯度高的优势。

公开(公告)号：CN105366631A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410421996.3

申请日：2014-08-25

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 俞骁 ,  曾春红 ,  张宝顺

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明公开一种楔形硅结构阵列的制作方法，包括步骤：A)在衬底上键合形成预定厚度的硅层；B)在所述预定厚度的硅层上形成多个掩膜条；C)将所述硅层的未被所述掩膜条覆盖的部分去除，其中，所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分的截面形状为梯形形状；D)将所述掩膜条去除，以将所述硅层的被所述掩膜条覆盖的部分暴露；E)在步骤D)中暴露的所述硅层的侧斜壁上涂布多个光刻胶；F)将步骤E)中未被所述光刻胶覆盖的硅层去除；G)将步骤E)中涂布的所述光刻胶去除，从而形成阵列排布的楔形硅结构。本发明的楔形硅结构阵列的制作方法，工艺简单，成品率高，适合大批量制造的特点，并且所制备的楔形硅结构强度高，使用寿命长。