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公开(公告)号：CN118639209A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410739936.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种辊装置(100)，所述辊装置用于导向卷材(200)并且用于在真空环境下的卷材涂覆工艺中控制与辊装置接触的卷材(200)的温度。辊装置包含辊装置(100)的曲面(101)，用于接触卷材(200)，其中曲面(101)包含卷材导向区域(103)。辊装置进一步包含在曲面(101)中的气体出口(104)的组和气体分配系统(105)，所述气体分配系统用于选择性地提供气流至气体出口(104)的第一子组和选择性地避免气体流至气体出口(104)的第二子组。辊装置进一步包含驱动单元(110)，用于旋转曲面(101)，其中曲面(101)适用于导引卷材(200)在曲面旋转时的移动。
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公开(公告)号：CN109075109B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201780026150.1
申请日：2017-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·M·怀特
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施方式大体涉及一种基板支撑组件中的温度控制系统。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括支撑板组件。所述支撑板组件包括第一流体供应歧管、第二流体供应歧管、第一流体返回歧管、第二流体返回歧管、多个第一流体通道、多个第二流体通道和流体供应管道。所述多个第一流体通道从所述第一流体供应歧管延伸至所述第一流体返回歧管。所述多个第二流体通道从所述第二流体供应歧管延伸至所述第二流体返回歧管。所述多个流体通道以交替方式跨越支撑板组件的上表面延伸。所述流体供应管道被配置为将流体供应至所述流体供应歧管。
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公开(公告)号：CN108350563B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201680062308.6
申请日：2016-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·M·怀特
Abstract: 本公开内容提供了一种经构造以用于在基板上溅射沉积的设备。所述设备包括：圆柱形的溅射阴极，所述圆柱形的溅射阴极可围绕旋转轴线而旋转；和磁体组件，所述磁体组件经构造以提供在圆柱形的溅射阴极的相对侧上的第一等离子体跑道和第二等离子体跑道，其中磁体组件包括二个、三个或四个磁体，每个磁体各自具有两个极和一个或多个子磁体，其中二个、三个或四个磁体经经构造以用于产生第一等离子体跑道和第二等离子体跑道两者。
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公开(公告)号：CN109643629A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051762.6
申请日：2017-08-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·M·怀特
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述具有可充气狭缝阀开口密封件的真空腔室。在一个示例中，一种真空腔室包括腔室主体、第一可充气密封件和第一狭缝阀门。所述腔室主体具有顶部、底部和侧壁。第一狭缝阀开口形成在所述侧壁中。所述第一可充气密封件密封地耦接至所述侧壁并包围所述第一狭缝阀开口。所述第一可充气密封件具有耦接至所述侧壁的基部和可相对于所述基部侧向地移动的中空管状部分。所述第一狭缝阀门可在接触所述第一可充气密封件以在所述第一狭缝阀门与所述腔室主体之间提供真空密封的关闭状态与使所述第一狭缝阀门脱离所述第一狭缝阀开口的打开状态之间移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051906B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480014434.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。
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公开(公告)号：CN108603289A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081111.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/509
Abstract: 在一个实施方式中，一种用于沉积腔室的扩散器包括：具有边缘区域和中心区域的板；和多个气体通道，包括上游孔和流体地耦接到上游孔的孔洞，多个气体通道形成在板的上游侧和下游侧之间；和多个槽，环绕气体通道，其中槽的深度从板的边缘区域到中心区域变化。
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公开(公告)号：CN108350563A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680062308.6
申请日：2016-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约翰·M·怀特
Abstract: 本公开内容提供了一种经构造以用于在基板上溅射沉积的设备。所述设备包括：圆柱形的溅射阴极，所述圆柱形的溅射阴极可围绕旋转轴线而旋转；和磁体组件，所述磁体组件经构造以提供在圆柱形的溅射阴极的相对侧上的第一等离子体跑道和第二等离子体跑道，其中磁体组件包括二个、三个或四个磁体，每个磁体各自具有两个极和一个或多个子磁体，其中二个、三个或四个磁体经经构造以用于产生第一等离子体跑道和第二等离子体跑道两者。
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公开(公告)号：CN102737949B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210206264.3
申请日：2008-06-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: H01F17/06 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01F27/08 , H01F2017/065 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J2237/0206 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，而喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF场或是零RF场，以避免早期气体在气体供应管中分解，而早期气体在气体供应管中分解可能导致在气体源及喷气头之间形成寄生等离子体。将气体供应通过RF扼流器，则RF场及工艺气体可经过共同位置而导入工艺室中，并因而简化腔室设计。
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公开(公告)号：CN101978473B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980109686.5
申请日：2009-03-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/687
CPC classification number: C23C16/4581
Abstract: 本发明一般地提供用于在等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。在一个实施例中，在等离子体反应器中使用的一基板支撑件包括一导电主体，该导电主体包括一顶面，所述顶面具有多个滚轧成型的压印。
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