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公开(公告)号：CN102098019A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010171023.0
申请日：2010-04-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/00
CPC classification number: H01L41/29 , H01L41/313 , H03H3/08 , H03H9/02574 , Y10T428/2804 , Y10T428/2848 , Y10T428/31515 , Y10T428/31518 , Y10T428/31616 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明涉及一种复合基板及金属图形的形成方法。其中，该复合基板是一种通过有机粘合层粘合了压电基板和支撑基板的复合基板，利用剥离加工，能够高精度地形成所需的金属图形。复合基板(10)，是通过有机粘合层(13)粘合了能够透射用于光刻蚀的光线的压电基板(11)、和支撑该压电基板(11)的支撑基板(12)的复合基板。该复合基板(10)中，支撑基板(12)和有机粘合层(13)的至少一方能够吸收用于光刻蚀的光线。
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公开(公告)号：CN101539704A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910126599.2
申请日：2009-03-16
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
IPC: G02F1/35
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2001/3548
Abstract: 本发明提供一种高次谐波生成元件。在具有用于转换激光的波长来产生高次谐波的周期极化反转结构的高次谐波生成元件中，防止高次谐波的振荡不稳定。高次谐波生成元件具有用于转换激光的波长来产生高次谐波的周期极化反转结构(18)。周期极化反转结构(18)的极化反转面(P)与激光的传播方向(L)形成的角度(θ)为80°以上，89°以下。
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公开(公告)号：CN101533201A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910128913.0
申请日：2009-03-13
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 吉野隆史
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F2201/066 , G02F2201/38 , G02F2202/20 , G02F2202/28 , Y10T156/1002 , Y10T156/1064 , Y10T156/1082
Abstract: 本发明提供一种高次谐波生成元件的制造方法。在通过有机树脂粘结剂将波长转换层夹在上下基板之间的结构的高次谐波生成元件中，防止元件的端面中的反射防止膜的剥落或裂纹，并且防止元件的端面附近的粘接层的燃烧破坏。制作以下的芯片12，该芯片具有：支撑基板(2)、具有设置了周期极化反转结构的光波导的波长转换层(5)、有机树脂制成的基底粘接层(3)、设置在波长转换层(5)的上表面一侧的上侧基板(11)、以及粘接波长转换层(5)和上侧基板(11)的有机树脂制成的上侧粘接层(10)。对该芯片(12)进行热处理。然后，在光波导的入射侧端面以及出射侧端面上分别形成防止反射膜。
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公开(公告)号：CN101026367A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078707.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可防止热膨胀之差引起的特性变动或破损。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，虽然通过对可单独承受自重的压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但作为底座基板13以及压电体基板，采用同种单晶材料的基板，使热膨胀系数在压电体薄膜(111)以及底座基板(13)中一致。
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公开(公告)号：CN111052414B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880052334.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分，氧原子的含量为1×1018atom/cm3以下，硅原子、锰原子、碳原子、镁原子以及钙原子的含量分别为1×1017atom/cm3以下，铬原子的含量为1×1016atom/cm3以下，氯原子的含量为1×1015atom/cm3以下。
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公开(公告)号：CN115698394A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180043074.1
申请日：2021-02-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 在包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板的基础上，防止在使外延结晶生长的工序中在自立基板或外延结晶发生开裂。包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板21具有氮极性面21a和13族元素极性面21b。氮极性面21a呈凸状翘曲，在氮极性面21a的外周部21c设置有倒角部21c。
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公开(公告)号：CN114341410A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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公开(公告)号：CN111033764B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201780093879.0
申请日：2017-08-24
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。其特征在于，在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。上表面13a的X射线摇摆曲线的(0002)晶面反射的半值宽度为3000秒以下20秒以上。
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公开(公告)号：CN111033763B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780093870.X
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明在包含选自氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中的13族元素氮化物结晶且具有上表面及底面的13族元素氮化物结晶层的基础上，提供一种能够降低位错密度、从整体上减少特性偏差的微结构。在利用阴极发光观察13族元素氮化物结晶层13的上表面13a时，具有线状的高亮度发光部5和与高亮度发光部5相邻的低亮度发光区域6。高亮度发光部5包括沿着13族元素氮化物结晶13的m面延伸的部分。
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