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公开(公告)号：CN107186612A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710142830.1
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/013 , B24B37/042 , B24B37/20 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B49/12 , B24B57/02
Abstract: 本发明的技术问题在于提供一种能够提高处理对象物的研磨处理面上的处理精度的研磨装置和研磨方法。提供一种对处理对象物进行研磨处理的方法。该方法具有：一边使尺寸比处理对象物的尺寸小的第一研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第一研磨垫相对运动来进行第一研磨处理的步骤；在第一研磨处理之后、一边使尺寸比处理对象物的尺寸大的第二研磨垫与处理对象物接触、一边使处理对象物和第二研磨垫相对运动来进行第二研磨处理的步骤；以及在进行第一研磨处理之前对处理对象物的研磨处理面的状态进行检测的步骤。
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公开(公告)号：CN104044057B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410104150.7
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备（1）具有抛光垫（22）、用于夹持半导体晶片（W）的顶环（20）、可操作地沿垂直方向移动顶环（20）的垂直运动机构（24）、当顶环（20）的下表面接触抛光垫（22）时可操作地检测顶环（20）的距离测量传感器（46）、可操作地基于距离测量传感器（46）检测到的位置计算顶环（20）抛光半导体晶片（W）的最佳位置的控制器（47）。垂直运动机构（24）包括可操作地将顶环（20）移动到最佳位置的滚珠丝杆机构（30，32，38，42）。
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公开(公告)号：CN103252714B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310158460.2
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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公开(公告)号：CN104942704A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510136596.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/10 , H01L21/687
CPC classification number: B24B37/30 , B24B7/228 , B24B37/10 , H01L21/68714 , H01L21/68721
Abstract: 本发明提供一种可在晶片边缘部的狭窄区域精密调整研磨剖面的弹性膜。弹性膜(10)具备：抵接于基板的抵接部(11)；从抵接部(11)周端部向上方延伸的第一边缘周壁(10h)；及具有连接于第一边缘周壁(10h)的内周面(101)的水平部(111)的第二边缘周壁(10g)，第一边缘周壁(10h)的内周面(101)具有相对抵接部(11)垂直延伸的上侧内周面(101a)及下侧内周面(101b)，上侧内周面(101a)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向上方延伸，下侧内周面(101b)从第二边缘周壁(10g)的水平部(111)向下方延伸。
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公开(公告)号：CN104942698A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510144599.0
申请日：2015-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明公开一种能够对晶片等基板执行多层研磨的研磨装置。研磨装置具有：分别用于支撑研磨垫的多个研磨台；将基板按压到研磨垫的多个研磨头；以及将基板输送到多个研磨头中的至少两个研磨头的输送装置。多个研磨头具有彼此不同的构造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104786139A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510027839.9
申请日：2015-01-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32
CPC classification number: B24B37/32 , B24B37/107
Abstract: 本发明提供一种基板保持装置及研磨装置，该基板保持装置具有：顶环主体(10)，该顶环主体具有对基板进行保持并将该基板按压到研磨面上的基板保持面；以及挡环(40)，该挡环围住基板地配置且与研磨面接触，该基板保持装置具有传动环(41)，该传动环具有：在下表面保持挡环(40)的环部件；配置在顶环主体(10)的中心部且支承于顶环主体(10)的中心部件(41C)；以及将环部件(41R)与中心部件(41C)予以连结用的连结部，传动环(41)由第一材料和纵弹性系数比该第一材料小的第二材料构成。采用本发明，对从挡环传递到顶环主体的振动进行衰减，由此可减轻顶环整体的振动。
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公开(公告)号：CN103659579A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310383365.2
申请日：2013-08-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30
CPC classification number: B24B37/30
Abstract: 本发明提供一种能减小沿着基板的半径方向同心状扩展的加压区域内的研磨速度分布的范围，提高基板的研磨面的面内均匀性，提高成品率的弹性膜以及基板保持装置。弹性膜（10）具有区隔形成对基板（W）加压的多个加压区域（CA、EA、MA1～MA6）的、同心圆状配置的多个周壁（10a～10h），形成在位于中央的圆板状的中央加压区域（CA）与位于最外周的圆环状的边缘加压区域（EA）之间的多个中间加压区域（MA1～MA6）内的至少一个中间加压区域、例如中间加压区域（MA5、MA6）的半径方向区域宽度被设定为：即使改变区域宽度研磨速度响应宽度也不改变的范围内的区域宽度。
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公开(公告)号：CN100507092C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN03811966.8
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/32115
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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公开(公告)号：CN100496892C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02813831.7
申请日：2002-07-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光机，该抛光机包括：抛光表面；基片托架，其保持基片并使其与抛光表面接触。基片托架包括：托架体；基片保持元件，其保持基片，使基片的被抛光表面直接朝向抛光表面。基片保持元件在托架体上的安装方式，使基片保持元件既可以趋向抛光表面运动也可以远离抛光表面运动。基片抛光机还包括基片保持元件定位装置，该装置设置在基片保持元件的侧面，该侧面与基片保持元件保持基片的侧面相反。基片保持元件定位装置具有一种柔性元件，此元件限定了一种室，此室一经引入不可压缩流体，便朝向抛光表面方向扩展。
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公开(公告)号：CN101422874A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174959.1
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/02
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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