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公开(公告)号：CN115537749A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211100238.2
申请日：2022-09-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于离子注入工艺装备技术领域，具体涉及一种用于连续人工磁通钉扎制备的离子辐照装置，包括：放卷传动装置、离子注入传动装置、收卷传动装置、沉积YBCO超导层金属带材、离子注入真空室、离子源、真空抽气口、放卷室真空室和收卷室真空室；所述离子注入真空室的两侧分别连通放卷室真空室和收卷室真空室；本发明设能够实现动态粒子辐照百米级二代高温超导带材，且可控制注入的离子种类、能量、剂量和注入角度，进而达到可控磁通钉扎浓度、深度、分布及均匀性等；同时注入气体离子和金属离子，还可达到掺杂和缺陷引入的双重效果，具有独特的优势，满足工业化生产的需要。
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公开(公告)号：CN114752910A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210439957.0
申请日：2022-04-25
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 为解决现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在缺陷的技术问题，本发明实施例提供一种制备高熵合金涂层的方法，包括：将含有用于制备高熵合金涂层所需金属元素的金属材料作为离子注入MEVVA源的阴极材料；通过离子注入的方式在金属基体表面上注入金属材料含有的金属的金属离子，以在基体表面形成合金相涂层。本发明实施例解决了现有的高熵合金涂层制备方法制备的高熵合金涂层存在的金属基体和高熵合金涂层结合力较差的缺陷，制备出了与基体附着力牢固的高熵合金涂层。
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公开(公告)号：CN114369733A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111505874.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核陕西铀浓缩有限公司
Abstract: 本发明属于铀资源技术领域，具体公开一种贫化六氟化铀直接还原转化为金属铀的装置及方法，该装置包括：真空室、放电极板、放电电源、送气口、真空泵、抽气管道和过滤系统，两个放电极板分别通过真空室的电极连接端子安装于真空室内，放电电源通过真空室的电极连接端子安装于真空室外，两个放电极板与放电电源连接，真空室顶端开设有送气口，真空室外分别连接有真空泵和抽气管道，抽气管道上安装有过滤系统。本发明方法直接一步将六氟化铀还原成金属铀，简化了传统六氟化铀转化成金属铀的流程，大大减少了相关含铀废物的产生。
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公开(公告)号：CN113913770A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111151441.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
IPC: C23C14/48
Abstract: 本发明属于材料制备技术，具体涉及一种使聚四氟乙烯表面具备超疏水性的制备方法，清洗聚四氟乙烯材料表面，材料表面吹干，材料浸入无水乙醇超声清洗，聚四氟乙烯材料表面注入Ti离子。其接触角显著提升，并且防止长时间之后接触角不发生明显变化，表明疏水性能较好，性能稳定。不改变有机材料自身的性能，也没有改变弹性模量、屈服强度、耐疲劳强度等力学性能、电导率、电阻率、介电性能等电学性能，在这个过程中不产生废水废气，因此极大的简化了超疏水性材料表面的制备工艺，操作简便，同时能够解决目前制备超疏水性材料表面的其它方法的不足之处，诸如水热法污染环境的问题。
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公开(公告)号：CN108247164B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201611248209.5
申请日：2016-12-29
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于热等静压焊接技术领域，具体涉及一种真空包套管中频多段加热封装方法。本发明的真空包套管中频多段加热封装方法具体包括以下步骤：包套管道预处理；将包套以及包套管道使用夹具安装固定于电动平台之上，包套管道连接至抽气系统，抽气系统持续排气，使得包套内的真空度低于9E‑5Pa；分段夹封及复验；夹断；封焊。本发明解决了现有热等静压工艺金属包套的封焊需要在真空除气炉中进行，生产效率低，成本高，且无法检测封焊完成时包套管是否漏气的技术问题，本发明的方法不需要在真空除气炉中进行，生产效率高，成本低，通过对真空度的检测，保证了夹封质量，夹封后的包套能够承受住热等静压时包套内真空和包套外高压高温的工况检验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111205501A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201811394554.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC: C08J7/12 , C08L101/00 , C08L27/18 , C23F4/00
Abstract: 本发明属于材料技术领域，具体为一种改善有机高分子材料或复合材料表面活性的方法，首先进行基材前处理，基材定位安装，将基材利用夹具安装定位，露出需要活化的区域，并将基材装入真空室中，使得材料能在真空室中实现公转同时自转，将真空室抽至本底，通入工作气体，使用非对称双极性脉冲偏压电源对基材进行清洁活化处理，调节相关参数，改善材料表面活性。利用非对称双极性脉冲偏压，改善有机高分子材料和复合材料表面惰性。改性后的有机高分子材料和复合材料表面活性显著提高，且材料本体不受影响。
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公开(公告)号：CN108098257B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201611048216.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于聚变反应堆技术领域，具体公开了热核聚变堆增强热负荷第一壁手指部件的加工方法，铜铬锆合金/不锈钢复合板制作HVT冷却通道上盖板，进行超声波无损探伤，机加工CuCrZr合金至形成完整的HVT齿型槽结构，HVT不锈钢水盒基座，装配HVT冷却通道上盖板和HVT不锈钢水盒基座，封闭冷却通道进出口，对HVT冷却通道基座进行水压试验和氦罩检漏，铍瓦的涂层面与HVT冷却通道基座铜铬锆合金面进行组装，有效保障了聚变堆第一壁手指部件异种材料间的可靠结合和铜铬锆合金热沉材料的性能，提升了部件HVT冷却通道的热疲劳性能、耐压性能和真空密封性能，消除了冷却通道的应力腐蚀倾向，部件整体的抗高热负荷疲劳破坏能力满足聚变堆服役条件要求。
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公开(公告)号：CN109831866A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201711180889.6
申请日：2017-11-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种双环电极共面放电等离子体发生装置。本装置由电源和埋藏在介质层内的双环形电极单元紧密排列而成；所述双环形电极单元包括内环电极和外环电极，内环电极和外环电极均埋藏在介质层内一定深度，内环电极接地，外环电极连接高压电源的高频、高电压电极，多个双环形电极单元组合后可以产生大面积均匀等离子体，在所述的内环电极和外环电极之间的介质层表面，在高电压作用下产生共面放电等离子体，等离子体分布均匀。
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公开(公告)号：CN104419905A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310366767.1
申请日：2013-08-21
Applicant: 核工业西南物理研究院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/025 , C23C14/185
Abstract: 本发明属于材料表面涂层技术，具体涉及一种碳基多层复合涂层制备方法，采用碳基材料作为基体，在其上通过物理气相沉积制备含有中间层/钨涂层的多层复合涂层。碳基材料包含高纯石墨和碳/碳复合材料；多层复合涂层包括了1-3层中间层/钨涂层复合层。中间层包括铬层、钛层或钼层等。形成的碳基体表面全部钨涂层覆盖厚度均匀，涂层连续、致密，不会出现裂纹。钨涂层与基体之间的结合良好，界面平整；当涂层厚度达到20微米时，涂层与基体之间没有出现剥落情况。
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公开(公告)号：CN209912832U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201821895948.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
Abstract: 本实用新型涉及电子发射装置领域，具体涉及一种光诱导场致发射阴极电子发射装置。本装置包括阴极、阳极、发光器件、光学组件、直流高压电源，阴极与阳极连接到高压直流电源；阴极与阳极平行，都垂直于水平线，阴极表面为的薄膜材料覆盖，在单色光作用下，阴极上的薄膜材料表面内电子获得光子的能量而产生自由载流子吸收、晶格吸收或激子吸收产生较高能量电子。本装置在不影响阴极电子发射装置微型化的基础上，有效地提高场致发射阴极电子源的发射电子的电流密度，同时有效降低场致电子发射对电源的要求，并且可实现表面优异的电子发射特性和优异的导电性能的结合，进而获得优异的场致发射特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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