公开(公告)号：CN101589482B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880003179.9

申请日：2008-01-25

申请人： 东丽株式会社

发明人： 村濑清一郎 ,  城由香里 ,  塚本遵 ,  真多淳二

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。

公开(公告)号：CN102217110A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980144847.4

申请日：2009-09-09

申请人： 技术研究及发展基金有限公司

发明人： N·特斯勒 ,  O·索洛梅施赫

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/46 ,  H01L51/54

CPC分类号： H01L51/0047 ,  B82Y10/00 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  C08L65/00 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供用具有至少一个与其共价连接的吸电子取代基的富勒烯衍生物制备p-掺杂有机半导体材料的方法和由其制备的半导体组合物。本发明还提供包含这些p-掺杂有机半导体材料的电子器件，例如晶体管、太阳能电池、照明器件、OLED和检测器。

公开(公告)号：CN102027612A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980117108.6

申请日：2009-05-11

申请人： 东丽株式会社

发明人： 城由香里 ,  村濑清一郎 ,  北泽大辅 ,  塚本遵

IPC分类号： H01L51/30 ,  C01B31/02 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10

摘要： 碳纳米管复合体，其在碳纳米管表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物，所述共轭系聚合物在重复单元中含有环中具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。本发明可减少场效应晶体管的磁滞，所述场效应晶体管具有含有碳纳米管的半导体层。

公开(公告)号：CN101346808B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200680049281.3

申请日：2006-12-21

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 丹尼斯·E·沃格尔 ,  布拉因·K·纳尔逊

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 本发明提供了晶体管，包括：基板；栅电极；不位于基板和栅电极之间的半导体材料、与半导体材料接触的源电极、与半导体材料接的漏电极、和与栅电极和半导体材料接触的介电材料；其中所述半导体材料包括：如本文描述的1-99.9重量％的在1KHz时介电常数大于3.3的所述聚合物、0.1-99重量％的官能团化并五苯化合物。

公开(公告)号：CN101626062A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200810068457.0

申请日：2008-07-11

申请人： 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

发明人： 胡春华 ,  刘长洪 ,  范守善

IPC分类号： H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0579 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0566

摘要： 一种有机复合材料二极管，其包括：一个有机复合材料层，所述有机复合材料层包括均匀分散的多个碳纳米管；以及一个第一电极与一个第二电极间隔设置于所述有机复合材料层，并分别与所述有机复合材料层电连接；其中，所述有机复合材料二极管进一步包括一压力层设置于所述有机复合材料层表面并覆盖部分有机复合材料层，所述第一电极与压力层所覆盖的有机复合材料层电连接，所述第二电极与压力层未覆盖的有机复合材料层电连接。所述有机复合材料二极管的参数可以通过压力调制，具有较宽的使用温度范围，还具有柔韧性，并且可以应用于柔性电路。

公开(公告)号：CN101589482A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003179.9

申请日：2008-01-25

申请人： 东丽株式会社

发明人： 村濑清一郎 ,  城由香里 ,  塚本遵 ,  真多淳二

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

摘要： 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。

公开(公告)号：CN101346808A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680049281.3

申请日：2006-12-21

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 丹尼斯·E·沃格尔 ,  布拉因·K·纳尔逊

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 本发明提供了晶体管，包括：基板；栅电极；不位于基板和栅电极之间的半导体材料、与半导体材料接触的源电极、与半导体材料接的漏电极、和与栅电极和半导体材料接触的介电材料；其中所述半导体材料包括：如本文描述的1－99.9重量％的在1KHz时介电常数大于3.3的所述聚合物、0.1－99重量％的官能团化并五苯化合物。

公开(公告)号：CN1742393A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200480002930.5

申请日：2004-01-27

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： S·塞塔耶斯 ,  D·M·德里尤 ,  M·布伊彻 ,  T·D·安托波洛斯 ,  W·P·M·尼斯森 ,  E·J·梅杰

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L51/0083 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 提供了一种具有呈双极特性的有机半导体材料的场效应晶体管。另外，使得能够实现双极特性的有机半导体材料是具有小带隙的材料。

公开(公告)号：CN1685031A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822523.9

申请日：2003-09-24

申请人： E.I.内穆尔杜邦公司

发明人： C·苏

IPC分类号： C09K11/06 ,  H01B1/12 ,  H01L51/20 ,  H01L51/30 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L51/5088 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  C08K3/01 ,  C08K3/04 ,  C08K3/08 ,  C08K7/06 ,  C08K7/24 ,  C08K2201/011 ,  C08L25/18 ,  C08L33/24 ,  C08L65/00 ,  C08L79/02 ,  C09C1/0081 ,  C09D5/028 ,  C09D5/24 ,  C09D7/61 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D7/70 ,  H01B1/12 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0566 ,  H01L2251/5369 ,  Y02E10/549 ,  C08L2666/06 ,  C08L2666/14 ,  C08L2666/22

摘要： 提供了包含导电有机聚合物和许多纳米微粒组成的水分散体的组合物。用本发明组合物铸塑而成的膜可用作电致发光器件中的缓冲层，如有机发光二极管(OLED)和薄膜场效应晶体管的电极。含有纳米微粒的缓冲层的电导率比不含纳米微粒的缓冲层的电导率低得多。此外，本发明缓冲层嵌入电致发光(EL)器件后，它能提高EL器件的应力寿命。

公开(公告)号：CN1145218C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN00101884.1

申请日：2000-02-02

申请人： 国际商业机器公司

发明人： K·肖德鲁迪斯 ,  C·D·蒂米特拉科普洛斯 ,  C·R·卡干 ,  I·克米斯斯 ,  D·B·米特兹

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L51/0541 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0566

摘要： 根据本发明的FET结构使用一种有机-无机杂化材料作器件的源和漏极之间的半导电沟道。该有机-无机杂化材料结合了无机结晶固体与有机材料的优点。无机成分构成延伸的无机一维、二维或三维网络，从而提供无机结晶固体的高载流子迁移率特性。有机成分有助于这些材料的自组合，并使这些材料能够利用例如旋涂、浸涂或热蒸发等简单的低温处理条件淀积。有机成分还用于通过限定无机成分的维数和无机单元间的电耦合，控制无机网格的电特性。