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公开(公告)号：CN114824003A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210732385.5
申请日：2022-06-27
申请人： 江西兆驰半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种发光二极管外延片及其制作方法，外延片包括：衬底、缓冲层、未掺杂的u‑GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层包括前插入层、量子阱层、后插入层及量子垒层；前插入层包括InxN1‑x层和InyGa1‑yN层，InxN1‑x层与InyGa1‑yN层所接触的表面经H2处理形成孔洞及经NH3处理形成N极性面；后插入层包括AlzGa1‑zN层和GaN层，量子阱层与AlzGa1‑zN层所接触的表面经NH3处理后形成N极性面，GaN层与量子垒层所接触的表面经H2处理。本发明解决了现有发光二极管的发光效率较低及波长均匀性不高的问题。
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公开(公告)号：CN114729730A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080480.0
申请日：2020-10-01
申请人： 瑞尔D斯帕克有限责任公司
IPC分类号： F21K9/90 , F21V5/00 , G02B19/00 , G02B5/00 , H01L25/075 , H01L27/15 , H01L33/24 , H01L33/58 , H01L33/62 , B82Y20/00
摘要： 通过从发光元件的单片阵列选择性地去除无源光学纳米结构同时保持它们的相对空间位置来制造照明设备。选择所述纳米结构，使得在至少一个方向上，对于至少一对选择性去除的无源光学纳米结构，对于每个相应的对，存在至少一个未被选择的纳米结构，所述至少一个未被选择的纳米结构在所述单片阵列中位于在所述至少一个方向上的所述一对选择性去除的无源光学纳米结构之间，用所述选择性去除的无源光学纳米结构形成无源光学纳米结构的非单片阵列，同时保持他们的相对空间位置，且使所述非单片阵列中的所述无源光学纳米结构中的每一个与发光元件的非单片阵列中的相应的发光元件对准。
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公开(公告)号：CN114695613A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011634122.8
申请日：2020-12-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种单光子源器件及其制备方法，通过设置电极层、单光子源层以及场发射微尖结构，其中，单光子源层为通过六方氮化硼材料形成的单光子源层，将单光子源层和场发射微尖结构键合，且场发射微尖结构的场发射区域覆盖所述单光子源层的发光中心，然后通过电极层施加电压，使得场发射微尖结构在电压作用下发射高能电子到单光子源层，使得所述单光子源层的发光中心发射光子，实现了能够在室温下运行的电泵浦的单光子源。
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公开(公告)号：CN111048639B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911253699.1
申请日：2019-01-31
申请人： 深圳第三代半导体研究院
摘要： 本发明涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。本发明提供一种正装集成单元发光二极管，包括多个二极管单元以及设置于二极管单元之间的第一导电类型电极和第二导电类型电极，其中第一导电类型电极和第二导电类型电极在二极管单元之间的间隔区域内重叠设置。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。
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公开(公告)号：CN114597299A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210255429.X
申请日：2022-03-15
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极，所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光，且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。
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公开(公告)号：CN114530564A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210140014.8
申请日：2022-02-16
申请人： 合肥维信诺科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板及其制备方法和显示装置。显示面板包括阵列基板和发光功能层；阵列基板划分为第一显示区和第二显示区，第一显示区和第二显示区均包括像素区和非像素区，像素区包括多个子像素区；发光功能层位于阵列基板的一侧，发光功能层包括位于第一显示区的第一发光功能层和位于第二显示区的第二发光功能层；其中，第一发光功能层上设置有贯穿孔，以使第一发光功能层的透光率大于第二发光功能层的透光率，贯穿孔位于第一显示区中的子像素区内。本发明实施例的技术方案，有助于提升第一显示区的透光率及光透过量，以使显示装置中的感光结构可对应于第一显示区而设置，有助于提升显示面板的屏占比，从而实现全面屏设计。
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公开(公告)号：CN114464714A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210141528.5
申请日：2022-02-16
申请人： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司
摘要： 本申请公开了一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化物层，对氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。之后再通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片，通过电感耦合等离子体法在LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓。蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，对LED芯片外延片采用激光切割的方式后，形成隔离槽。采用酸性溶液对隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。本申请技术方案通过在LED芯片周围形成一圈有利于出光的多层三角锥形、半圆形或球形，这样LED芯片有源区发出的光就会以更大的概率出射，进而可提升光取出效率。
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公开(公告)号：CN114464713A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210049213.8
申请日：2018-07-13
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光元件，其包含基板；缓冲层位于基板上；第一半导体层位于缓冲层上；半导体柱位于第一半导体层上，半导体柱包含第二半导体层及活性层；第一接触层位于第一半导体层上，包含第一接触部及第一延伸部环绕半导体柱；第一电极接触层接触第一接触层；第二接触层位于第二半导体层上；第二电极接触层接触第二接触层，其中在发光元件的上视图上，第二电极接触层环绕第一电极接触层的多个侧壁；第一绝缘层位于第一接触层及第二接触层上，包含第一绝缘层第一开口位于第一接触部上及第一绝缘层第二开口位于第二接触层上；第一电极覆盖第一绝缘层第一开口且电连接第一半导体层；以及第二电极覆盖第一绝缘层第二开口且电连接第二半导体层。
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公开(公告)号：CN110473943B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910025850.X
申请日：2019-01-10
申请人： 松下知识产权经营株式会社
摘要： 本发明提供一种能够降低横向电阻的倒装芯片型的发光二极管元件。该倒装芯片型的发光二极管元件具备依次层叠载流子浓度为1×1019cm‑3以上且小于3×1020cm‑3的第一n型III族氮化物半导体层(102)、载流子浓度为5×1017cm‑3以上且小于1×1019cm‑3的第二n型III族氮化物半导体层(103)、由III族氮化物半导体构成的发光层(104)、以及p型III族氮化物半导体层(105)的层叠体结构，所述第一n型III族氮化物半导体层(102)与所述第二n型III族氮化物半导体层(103)的界面的凹凸的高低差大于所述第二n型III族氮化物半导体层(103)与所述发光层(104)的界面的凹凸的高低差。
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公开(公告)号：CN114256394A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111651209.0
申请日：2021-12-30
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层包括高温多量子阱层和低温多量子阱层，低温多量子阱层包括第一子层、超晶格结构层和第二子层；超晶格结构层包括呈周期性依次交替层叠设置的AlGaN层、GaN层和AlInGaN层。该发光二极管中的V形坑浅而小，可有效抑制电子泄漏，减缓效率衰减及改善漏电性能；且还可扩大发光横截面积，增加电子空穴的有效交叠，促进载流子在阱间交互，从而提升LED的发光效率。
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