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公开(公告)号：CN117997304A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410184062.6
申请日：2024-02-19
申请人： 武汉敏声新技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器及其制备方法，谐振器包括衬底结构、牺牲层结构、防护栅结构和谐振堆叠结构；衬底结构包括衬底层和键合材料层；牺牲层结构包括空腔以及围绕空腔的牺牲层本体；牺牲层本体包括镂空区，镂空区围绕空腔；防护栅结构包括第一防护栅和第二防护栅，防护栅位于镂空区并且围绕空腔，第二防护栅位于牺牲层本体靠近空腔的一侧；堆叠谐振结构位于牺牲层结构远离键合材料层的一侧；堆叠谐振结构包括第一牺牲通道，第一牺牲通道贯穿堆叠谐振结构；沿衬底结构厚度方向，第一牺牲通道的位于第二防护栅靠近键合材料层的中心，并且第一牺牲通道的投影与空腔的投影重合。防护栅结构可以提升谐振器的结构稳定性，并保证谐振器整体性能更优。
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公开(公告)号：CN117945336A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410354060.7
申请日：2024-03-27
申请人： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
发明人： 徐希锐
摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括衬底及由下至上依次堆叠于所述衬底上的第一功能层和第二功能层，所述第一功能层的边缘位于所述第二功能层的边缘内，所述第二功能层中具有至少一个可视区，所述第一功能层的至少部分边缘位于所述可视区内，通过所述可视区可以直接看到所述第一功能层的边缘，从而能够准确地测量所述第一功能层被横向钻刻的尺寸。相应的，本发明还提供了一种半导体器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN117639717A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311670356.1
申请日：2023-12-06
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于VO2的频率可调MEMS方形谐振器、其生产方法和调频方法，属于通信电子器件领域。本发明在基板层上沉积并刻蚀出双端固支平板层，在双端固支平板层中央刻蚀有方形平板；在双端固支平板层上围绕方形平板刻蚀出内部电极，在内部电极两侧，围绕内部电极四周刻蚀出外部电极的输入电极和输出电极，得到驱动电极层；在驱动电极层上沉积并刻蚀出绝缘层；在绝缘层上设置加热电阻层；在加热电阻层上沉积覆盖方形平板的VO2薄膜层，最终得到谐振器。通过在内部驱动电极与外部驱动电极之间施加驱动电压，且对加热电阻层加载电流至VO2薄膜层达到预定温度，来实现对谐振频率的调节。本发明在不改变谐振器结构的情况下，实现了对谐振频率的调节。
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公开(公告)号：CN117326522A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311168232.3
申请日：2023-09-11
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的制备方法。其中，该半导体器件的制备方法包括：提供第一晶圆和第一晶粒；在第一晶圆上形成第一焊盘、第二焊盘、第一焊球和第二焊球，第一焊盘电连接第一焊球，第二焊盘电连接第二焊球；将第一晶粒键合于第一晶圆上，以使第一晶粒的第三焊盘和第一焊球电连接，第二焊球用于电连接外部电路；对键合后的第一晶圆进行封装；对封装后的第一晶圆进行切割。通过上述方式，能够使不同大小的第一焊球和第二焊球同时在集成电路晶圆上形成，且MEMS晶粒在采用倒装键合技术键合时无需形成所需的焊球，从而减少MEMS晶圆的工艺过程中对MEMS器件产生的影响。
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公开(公告)号：CN110995188B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201911245331.0
申请日：2019-12-06
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的键合层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫；有机材料的封盖层，位于键合层上。依照本发明的谐振器封装结构，采用沉积工艺制备的键合层替代Si盖板而取消了Au‑Au键合，再结合有机封盖层以降低成本、简化工艺并提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN116131799A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310019427.5
申请日：2023-01-06
申请人： 贵州大学
摘要： 本发明涉及一种弱耦合分数阶MEMS谐振器的模拟电路，属于谐振器电路设计领域。该电路包括4个比例积分运算电路，4个反相比例电路，14个乘法器，2个直流电源和2个交流电源；其中，比例积分运算电路包括分数阶单元电路、第一运算放大器和1个电阻；分数阶单元电路由三组并联的电容‑电阻结构串联而成。本发明提高了弱耦合分数阶MEMS谐振器模拟电路的准确性，为后续硬件层面的工程开发提供了有力的技术支撑。
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公开(公告)号：CN116111978A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211417870.X
申请日：2022-11-11
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开的基于VO2相变材料的温控频率可调MEMS带阻滤波器，从下到上依次包括：SiO2基板、包含四个独立电极模块的底部电极、包含四个平板的Si3N4双端固支平板、包含四个独立电极模块的顶部电极、Si3N4绝缘层、加热电阻、VO2层；顶部电极与底部电极相对应；加热电阻位于Si3N4绝缘层上方且其电阻最大区域位于Si3N4双端固支平板的两端区域；加热电阻采用Pt制作以增加其耐高温特性，同时加热电阻由不同宽度的Pt金属带构成以保证Si3N4双端固支平板上下平板区域的电阻值最大。
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公开(公告)号：CN114679152B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210299706.7
申请日：2022-03-25
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种动态可调的石墨烯声子波导及制备方法和工作方法，包括衬底上周期性排列的电极、石墨烯悬浮凹槽及悬浮于其上的石墨烯薄膜。向栅极施加直流电压，对石墨烯产生静电力，从而调节石墨烯的弹簧常数，使其谐振模式被调控，实现静电感应声子晶体。每个石墨烯声子波导单元可被其对应的栅极独立调节，从而改变相应声子色散关系，调整能带结构，使声子带隙被动态调控。相比于其他声子波导装置，本发明所述石墨烯声子波导可灵活动态调节，有望在信号处理、波形工程、噪声防治等领域中有重要应用。
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公开(公告)号：CN111786644B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201910272252.2
申请日：2019-04-04
申请人： 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司
发明人： 罗海龙
摘要： 本发明提供一种体声波谐振器及其制造方法和滤波器、射频通信系统，形成于压电谐振层外围的且悬空于空腔上方的底电极凸起部，能够阻挡压电谐振层产生的横波向空腔外围传输，将横波反射回有效工作区中，继而减少和降低了声波损耗，使谐振器的品质因子得到提高，最终能够提高器件性能。进一步地，底电极搭接部和顶电极搭接部与空腔的重叠部分均是悬空的，且底电极搭接部和顶电极搭接部相互错开，可以大大降低寄生参数，并避免漏电、短路等问题，能够提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN114726339A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210173329.2
申请日：2016-06-19
申请人： 芯时光公司
摘要： 本申请涉及一种微机电谐振器。在具有基板和可移动微机械构件的MEMS装置中，机械结构将可移动微机械构件固定到基板，将可移动微机械构件与基板热隔离，并提供传导路径以使得可移动微机械构件能够加热到至少300摄氏度的温度。
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