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公开(公告)号：CN101002390B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200580026531.7
申请日：2005-08-05
申请人： 微米技术有限公司
发明人： C·施纳尔
IPC分类号： H03L7/081
CPC分类号： H03L7/0814 , G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/22 , G11C7/222
摘要： 一种器件，包括具有延迟锁定电路的信号发生器，所述延迟锁定电路用于基于输入信号提供多个输出信号。所述输出信号相互间具有固定的信号关系，并与输入信号具有固定的信号关系。所述信号发生器还包括选择器，该选择器用于从由所述输出信号形成的一系列信号中选择使能信号。该器件还包括收发器电路，其中所述收发器电路使用所述使能信号进行数据处理。
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公开(公告)号：CN101615426B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910165584.7
申请日：2002-12-16
申请人： 微米技术有限公司
发明人： G·哈斯
CPC分类号： G11C13/0011 , G11C7/12 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种改进的写入电路和方法，用于写入可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元。该方法包括把位线预充电为第一电压以及把第二电压施加到硫属存储元件的第一端子。把硫属存储元件的第二端子有选择地耦合到位线，以便在存储元件上产生足以把预定阻态写入该元件的电压。第一电压可采用两个不同的值来把两个不同的阻态编程到存储元件中。
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公开(公告)号：CN1890752B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200480035888.7
申请日：2004-10-06
申请人： 微米技术有限公司
发明人： T·W·沃谢尔
CPC分类号： G11C13/0061 , G11C7/06 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2013/0057 , G11C2213/79
摘要： 使用交流感测具有电阻存储元件的存储单元的逻辑状态。存储元件可以在阵列中，且存储装置可包括该阵列和用于读出或感测阵列中每个存储单元的外围电路。外围电路可包括：时钟/控制电路，它提供控制信号，该信号控制何时感测一行存储单元；开关电路，用于接收由时钟/控制电路提供的单元板计数信号和位计数信号、来自存储元件的单元板线信号和位线信号，开关电路产生第一输出信号和第二输出信号，其中第一输出信号和第二输出信号中之一处于电源电压，而第一输出信号和第二输出信号中的另一信号随每个感测操作交变极性；以及比较电路，它接收第一输出信号和第二输出信号，并输出一个对应于存储单元逻辑状态的信号。
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公开(公告)号：CN101692219A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910205838.3
申请日：2003-11-12
申请人： 微米技术有限公司
发明人： J·W·扬岑
IPC分类号： G06F13/40
CPC分类号： G06F13/4086
摘要： 提供一种方法和装置，用于通过模块寄存器向存储器提供主动终止控制信号来进行存储器中的主动终止控制。模块寄存器监测系统命令总线上的读和写命令。响应检测到读或写命令，模块寄存器对存储器产生主动终止控制信号。存储器根据编程到存储器的一个或多个模式寄存器中的信息接通主动终止。存储器根据编程到存储器的一个或多个模式寄存器中的信息使主动终止在预定时间里保持接通状态。
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公开(公告)号：CN100565490C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200380108955.9
申请日：2003-11-12
申请人： 微米技术有限公司
发明人： J·W·扬岑
IPC分类号： G06F13/40
摘要： 提供一种方法和装置，用于通过模块寄存器向存储器提供主动终止控制信号来进行存储器中的主动终止控制。模块寄存器监测系统命令总线上的读和写命令。响应检测到读或写命令，模块寄存器对存储器产生主动终止控制信号。存储器根据编程到存储器的一个或多个模式寄存器中的信息接通主动终止。存储器根据编程到存储器的一个或多个模式寄存器中的信息使主动终止在预定时间里保持接通状态。
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公开(公告)号：CN100565481C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN02815365.0
申请日：2002-06-06
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： G06F13/00
CPC分类号： G11C29/028 , G06F13/1694 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C7/1093 , G11C11/401 , G11C29/50012 , G11C2207/2254
摘要： 公开了一种用于准确确定存储器设备上相对于写时钟数据的实际到达，以便准确对准存储器设备上数据捕获的开始和数据到达的方法和装置。在存储器设备的输入上数据到达的实际时间是通过将背对背写命令连同预定数据模式一起发送给存储器设备来确定的。数据模式存储在寄存器中，预测的数据到达时间和实际的数据到达时间之间的差异通过逻辑电路来确定。任何确定的差异皆可以通过延迟存储器设备上数据捕获的开始来补偿，由此准确对准存储器设备上数据捕获的开始和数据的到达。
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公开(公告)号：CN100559827C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200480025757.0
申请日：2004-07-14
申请人： 微米技术有限公司
发明人： S·C·洪
IPC分类号： H04N3/15
CPC分类号： H01L27/14609 , H04N5/335 , H04N5/3559 , H04N5/3591
摘要： 提供了一些像素单元，这些像素单元采用了与浮置扩散结点接合的栅电容，以有选择地增加浮置扩散结点的存储电容量。可以用相同的工艺步骤在形成所述像素单元的其他栅电路时，同时形成所述栅电容。在较弱的光照条件下，所述存储结点的固有容量便已足够满足需要。而在较强的光照条件则导致有选择地让所述栅电容起作用，从而利用栅电容提供的额外容量增加所述存储结点的电荷容量。本发明在没有电荷共用(输出信号滞后)的条件下产生高动态范围和强输出信号。形成此类像素单元的方法可应用于CMOS和CCD图像装置、CMOS和CCD图像装置中的图像像素阵列以及CMOS和CCD图像系统中。
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公开(公告)号：CN100527107C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN03816773.5
申请日：2003-05-14
申请人： 微米技术有限公司
发明人： J·M·耶德洛
IPC分类号： G06F13/16
CPC分类号： G06F3/0659 , G06F3/0613 , G06F3/0676 , G06F12/14 , G06F13/1626 , G06F2003/0691
摘要： 在存储控制器的存储器请求队列中顺序地接收存储器存取请求。检测在按所接收的顺序执行存储器存取请求时将发生的在暂时最邻近的请求之间的任何冲突或潜在延迟，以及重新排列该存储器存取请求的接收顺序以避免或最小化冲突或延迟，以及优化到存储器数据总线的数据流或来自存储器数据总线的数据流。按重新排序的顺序执行存储器存取请求，同时跟踪请求的原始接收顺序。在执行后，按原始接收读取请求的顺序将通过执行读取型存储器存取请求从存储器设备中读取的数据传送到各个请求器。
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公开(公告)号：CN100521086C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN02816057.6
申请日：2002-08-15
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·杨
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/288
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/28556
摘要： 本发明包括一种用来形成一种用于半导体结构的含有金属的物质的方法。提供一半导体基底，并靠近基底提供金属有机母体。该母体被暴露在还原气体中，使金属从母体中释放出来，之后被释放出来的金属沉积在半导体基底上。本发明还包括电容器结构以及用于形成电容器结构的方法。
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公开(公告)号：CN100487901C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200480012379.2
申请日：2004-03-12
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/76224 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 公开了一种位于第一导电类型的衬底内的具有侧壁和底部注入区的沟槽隔离结构。该侧壁与底部注入区用第一导电类型掺杂物以斜角注入、90°角注入或斜角与90°角组合注入的方式形成。位于邻近沟槽隔离的该侧壁与底部注入区可减小表面泄漏和暗电流。
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