公开(公告)号：CN108831842A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810619064.8

申请日：2018-06-08

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 曹子贵

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521

摘要： 本发明提供了一种检测对准偏移的方法，包括在所述晶圆测试区的衬底中的隔离结构上形成控制栅多晶硅层，再在控制栅多晶硅层上形成介质层，在介质层上形成两个截面宽度不同的开口，其中，两个开口覆盖所述控制栅多晶硅层的宽度均为较小的开口的截面宽度，最后去除所述介质层下方的控制栅多晶硅层，形成第一控制栅条和第二控制栅条，所述第一控制栅条和所述第二控制栅条的截面宽度不相等，所述第一控制栅条和所述第二控制栅条的长度和材料均相同，其电阻的比值为截面宽度的反比，通过检测所述第一控制栅条和所述第二控制栅条的电阻大小，可以有效的反映出所述闪存单元的浮栅和所述控制栅是否产生了移位，提高了产品的在线监测能力。

公开(公告)号：CN106129008B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610655903.2

申请日：2016-08-11

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 徐涛 ,  曹子贵 ,  王卉 ,  陈宏

IPC分类号： H01L27/11517

摘要： 一种快闪存储器的形成方法，包括：提供有字线位线区和源线浮栅区的半导体衬底；在部分半导体衬底上形成横跨字线位线区和源线浮栅区的浮栅氧化层和浮栅层；在半导体衬底中形成位于浮栅氧化层和浮栅层两侧的隔离层；之后形成覆盖字线位线区的介质层，介质层间有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；之后去除第一开口底部的浮栅层和浮栅氧化层，形成第二开口；在第一开口和第二开口中、第一侧墙和介质层上形成源线膜；研磨去除第一侧墙和介质层上的源线膜，研磨中的过研磨量根据隔离层顶部表面到浮栅层的顶部表面的高度获取；去除字线位线区的介质层、浮栅层和浮栅氧化层后，在字线位线区形成字线结构。所述方法能降低编程串扰失效。

公开(公告)号：CN105514030B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610041504.7

申请日：2016-01-21

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 徐涛 ,  陈宏 ,  王卉 ,  曹子贵 ,  陆向宇

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；其特征在于，还包括：在形成图形化的光刻胶层之前，对所述底部抗反射涂层进行热处理。本发明的方法在应用金属氮化物的局部互连工艺中，保证形成的光刻图形的尺寸的稳定性。

公开(公告)号：CN108428623A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810311966.5

申请日：2018-04-09

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 陈宏 ,  王哲献 ,  曹子贵 ,  王卉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/82

摘要： 本发明提供了一种半导体器件加工方法，提供一晶圆，所述晶圆具有缺口，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物；将所述晶圆的所述缺口固定在一清洗台的8点钟方向至10点钟方向之间，对所述晶圆进行清洗，所述晶圆清洗时竖直放置；以及所述晶圆在清洗完成后，保持所述缺口方向不变，将所述晶圆沿竖直方向取出。通过改变在晶圆清洗前，所述缺口的固定方向，并在所述晶圆清洗完成后，保持所述缺口的方向不变，将所述晶圆取出，在所述晶圆取出过程中，位于芯片器件区的残留物将由于重力的作用进入芯片的外围区，从而改善了90纳米嵌入式闪存工艺平台中生产出来的芯片的数据保持能力。

公开(公告)号：CN107369688A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710553096.8

申请日：2017-07-07

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 魏代龙 ,  曹子贵 ,  汤志林

IPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526

CPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526

摘要： 本发明提供了一种闪存的制备方法，包括在衬底上形成第一介质层、浮栅层和第二介质层，再刻蚀所述闪存区的第二介质层、浮栅层和第一介质层形成一开口，在开口的内壁形成隔离侧墙，再沉积源极多晶硅层覆盖第二介质层并填充开口，研磨直至暴露出第二介质层后，不再进行过研磨，而是使用光罩作为掩模，去除逻辑区的源极多晶硅残留，光罩保护着闪存区，所以刻蚀逻辑区的源极多晶硅层时不会对闪存区开口边缘的侧墙造成损伤，从而既减少了逻辑区的源极多晶硅残留，又不会对闪存区造成影响，保证了器件的性能和良率；并且，光罩是在闪存制备的后续工艺中使用的，使用光罩作为掩模，不额外增加工序和成本。

公开(公告)号：CN107039089A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710241890.9

申请日：2017-04-14

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 徐涛 ,  曹子贵 ,  谢中华 ,  钱亮 ,  陈宏 ,  王卉

IPC分类号： G11C29/44 ,  G11C29/50

摘要： 本发明提供一种快闪存储器的缺陷检测方法、耐久测试方法和制造方法，所述缺陷检测方法和耐久测试方法，通过选择快闪存储器芯片的奇数扇区或者偶数扇区来进行擦除，可以使快闪存储器芯片中的浅沟槽隔离结构中的多晶硅残留与相邻的至少一条字线短接或者由于被擦除而带正电荷，并在多晶硅残留带正电荷后施加更大的编程电流以及更长的编程时间来进行编程串扰测试，从而将快闪存储器中具有多晶硅残留的存储单元以编程串扰失效的形式快速、有效地检测出来，从而避免了后续产品在使用过程中所出现的可靠性问题。所述制造方法能够根据所述缺陷检测方法或所述耐久测试方法的结果来调整制造工艺参数，避免浅沟槽隔离结构中出现空洞缺陷，提高产品可靠性。

公开(公告)号：CN106876399A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710078925.1

申请日：2017-02-14

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 徐涛 ,  孔蔚然 ,  曹子贵 ,  张博 ,  李冰寒 ,  汤志林 ,  陈宏 ,  王卉

IPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L21/28

摘要： 本发明提供了一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其中将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行，包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行逻辑栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。在根据本发明的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，通过改变多晶硅氧化的工艺步骤，不仅可以解决了闪存单元中逻辑器件的短沟道效应，而且可以消除闪存单元的浮栅以及字线多晶硅蚀刻后的残留，避免闪存功能失效。

公开(公告)号：CN106449645A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610884655.9

申请日：2016-10-10

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 魏代龙 ,  曹子贵 ,  汤志林 ,  孙艳 ,  付永琴 ,  苏步春 ,  王卉 ,  陈宏 ,  徐涛

IPC分类号： H01L27/11517

CPC分类号： H01L27/11517

摘要： 本发明提供了一种提高存储器单元的数据保持力的方法，包括：第一步骤：在晶圆中制造存储器单元的工艺中，执行到浮栅的隔离侧墙的沉积步骤；第二步骤：对晶圆执行快速热氧化处理；第三步骤：执行在晶圆中制造存储器单元的工艺的后续步骤以得到制成的存储器单元。其中，所述浮栅的隔离侧墙的沉积步骤采用SiH2Cl2作为气体源来形成二氧化硅SiO2。本发明提供了一种提高存储器单元的数据保持力的工艺方法，通过在浮栅的隔离侧墙的沉积工艺步骤后加上快速热氧化工艺可以有效提高浮栅的隔离侧墙的膜质，进而有效改善数据保持力。

公开(公告)号：CN106298790A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610828320.5

申请日：2016-09-18

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 徐涛 ,  韩国庆 ,  汤志林 ,  曹子贵 ,  付永琴

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11529

摘要： 一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有浮栅极结构膜和位于浮栅极结构膜上的控制栅结构膜；在控制栅结构膜上形成若干个分立的介质层，相邻介质层之间具有第一开口；在第一开口侧壁形成第一侧墙；以第一侧墙为掩膜去除第一开口底部的控制栅极结构膜和浮栅极结构膜，在第一开口底部形成第二开口；在第二开口底部的半导体衬底中形成源区，源区中具有源离子；形成源区后，在第二开口侧壁形成第二侧墙；形成第二侧墙后，在源区中掺杂补偿离子，所述补偿离子的导电类型和源离子的导电类型相同；在源区中掺杂补偿离子后，在第一开口和第二开口中形成源线层。所述方法能避免快闪存储器擦除失效。

公开(公告)号：CN106229288A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201610596085.3

申请日：2016-07-27

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 徐涛 ,  陈宏 ,  王卉 ,  曹子贵

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232

摘要： 本发明提供一种有源区制备方法，通过多次执行先灰化处理而后湿法去胶的工艺，可以完全去除所述图形化的光刻胶层以及浅沟槽刻蚀产生的聚合物残留问题，从而保证有源区的关键尺寸，并提高了后续的浅沟槽隔离结构的圆角工艺制程以及填充工艺制程的效果，最终提高了器件的良率。