公开(公告)号：CN101465283A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810186165.7

申请日：2008-12-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 齐藤均 ,  佐藤亮

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供一种不会因异常放电产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(1)包括：收容基板(G)的处理腔室(2)；在处理腔室(2)内相对设置的下部电极(3)以及上部电极(20)；向下部电极(3)施加频率为10MHz以上的第一高频电功率的第一高频电源(14)；向下部电极(3)施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率的第二高频电源(17)；向第二电极(20)施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率的第三高频电源(33)；向处理腔室(2)内供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给机构(28)；和对处理腔室(2)进行排气的排气机构(41)。

公开(公告)号：CN101315877A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108840.4

申请日：2008-05-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤亮 ,  齐藤均

IPC分类号： H01L21/00 ,  G02F1/1333 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供一种基板处理系统和基板处理装置，能够不产生微粒而使等离子体均匀地分布在收容室内的空间。该基板处理系统(10)包括三个等离子体处理装置(13)和相对于各等离子体处理装置(13)对玻璃基板(G)进行搬入搬出的搬送室(11)，各等离子体处理装置(13)具有用于收容基板(G)的长方体形状的腔室(18)，腔室(18)只有侧壁(18a)与搬送室(11)相接，在所述侧壁(18a)上开设有与搬送室(11)连通的搬送口(31)，在与侧壁(18a)相对的侧壁(18b)上开设有开口部(32)，搬送口(31)的开口形状与开口部(32)的开口形状相同。

公开(公告)号：CN101159228A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710154446.X

申请日：2007-09-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤亮 ,  齐藤均

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23F4/00 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32 ,  F17D1/04

摘要： 本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括：用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。

公开(公告)号：CN1694229A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510070127.1

申请日：2005-04-30

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 里吉务 ,  佐藤亮 ,  佐佐木和男 ,  齐藤均

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/205 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  C23C16/50

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，目的在于在平行平板式的等离子体处理装置中抑制在阴极电极与处理容器的壁部之间产生等离子体。在下部电极与处理容器之间设置带有电容成分的阻抗调整部。阻抗调整部把从上部电极通过等离子体、下部电极和处理容器的壁部到匹配电路的接地框体为止的路径的阻抗值，变得比从上部电极通过等离子体和处理容器的壁部到所述匹配电路的接地框体为止的阻抗值更小。借助于此，就可以产生均匀性高的等离子体。