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公开(公告)号：CN106601480B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201710104187.3
申请日：2017-02-24
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种高温高频聚酰亚胺片式薄膜电容器及其制作工艺，包括陶瓷基板，依次制备在陶瓷基板上的底电极薄膜，电容功能薄膜和顶电极薄膜；所述电容功能薄膜是聚酰亚胺薄膜；所述底电极薄膜是钛钨‑金‑钛钨三层结构；所述顶电极薄膜是钛钨‑金双层薄膜。本发明的高温高频聚酰亚胺薄膜电容器具有耐高温，温度特性好，制造成本低廉，可重复性好等特点，由于聚酰亚胺薄膜具有耐高温，耐酸碱，高频特性好，可以在使用环境要求更为苛刻的航空航天，工业应用等领域使用，因此高温高频聚酰亚胺薄膜电容器可以带来具大的军事价值及商业价值。
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公开(公告)号：CN108624851A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810378209.X
申请日：2018-04-25
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司 , 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司
摘要： 一种特殊陶瓷表面金属层外观形貌改变方法及新型陶瓷基片，涉及电子产品技术领域。其包括以下步骤：步骤S1：清洗所述特殊陶瓷基片的第一表面和第二表面；步骤S2：对所述特殊陶瓷基片的第一表面和第二表面进行溅射或沉积金属层，把溅射沉积完的所述特殊陶瓷基片的第一表面和第二表面进行表面金属层打磨、抛光处理；步骤S3：把所述特殊陶瓷基片固定在粘结膜上，用氧化铝粉、无尘布、无水乙醇对所述第一表面和所述第二表面进行湿磨抛光处理；步骤S4：对所述特殊陶瓷基片进行金属膜层加厚处理。通过该方法可以实现特殊陶瓷基片的表面的金属层的外观形貌的改变。
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公开(公告)号：CN106384635B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610735868.5
申请日：2016-08-26
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种片式NTCR及其制备方法，本发明方法中，通过对成型工艺、表面处理工艺、电极形成方式的选择和调整，从而制备得到了一种具有高精度以及高可靠性的片式NTCR，从而解决了现有技术NTCR的精度和可靠性无法满足实际使用需要等的技术问题。同时，本发明方法所制得的片式NTCR具有精度高、可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN108398859A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810418538.2
申请日：2018-05-04
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明公开了一种干膜显影方法，包括以下步骤：(1)将干膜显影槽用去离子水清洗干净；(2)向干膜显影槽中加入干膜显影剂；(3)将待显影的基片放入所述干膜显影剂中，喷淋浸泡；(4)在显影过程中，采用软毛刷轻微的来回刷洗基片干膜表面；(5)显影结束之后，取出已显影的基片，清洗干净，并吹干。本发明使用软毛刷轻微的来回刷洗并减少絮状层对产品的影响，经过多批次验证，本发明起到很大的改善，齿状边缘出现的频率(从60％降为10％)，同时显影矛盾的解决和效率提升，生产速率得到了明显的改善。增加了显影效率(速度由5m/30s～7m/30s降至2m/30s)，因此本发明有效的增加显影质量，减少锯齿状边缘出现的频率，增加了显影效率。
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公开(公告)号：CN105551703B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201610125172.0
申请日：2016-03-07
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： H01C17/065 , H01C17/22
摘要： 本发明公开了一种高电压、高功率厚膜电阻器的制造方法，属于厚膜片式电阻器的制造方法；旨在提供一种生产效率高，产品性能可靠、使用寿命长的厚膜电阻器的制造方法。其步骤如下：将印刷有电阻浆料的陶瓷基片送入真空炉中匀速加热至标称烧结温度T0，保温，匀速冷却；若阻值偏差率Δ0大于5%，则需将陶瓷基片送入真空炉中进行多次热处理，直至热处理后电阻体的阻值偏差率Δn小于或等于5%。本发明不仅可避免激光切割而造成的断口、消除产品薄弱点，而且还可以消除电阻体内部微缺陷，提高电阻膜层的致密度以及膜层表面平整度、提高产品可靠性和使用寿命；是一种制造厚膜电阻器的方法。
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公开(公告)号：CN105261657B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201510724429.X
申请日：2015-10-30
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种MIS薄膜电容器的制造工艺，包括以下步骤：低电阻率硅衬底准备、硅片清洗、生成氧化硅层、沉积氮化硅层、热处理、溅射上电极、曝光显影、电镀、腐蚀、背部减薄、溅射下电极、划片切割。本发明采用低电阻率硅片作为衬底，依次在低电阻率硅衬底上生长氧化硅层和沉积氮化硅层双层介质作为绝缘功能层，提高了电容器的Q值(大于10000)，减小了电容温度系数(小于50ppm/℃)，并有效降低了电容器内粒子贯穿几率，提高了MIS薄膜电容器的耐压和稳定性，其制备工艺简单，与普通半导体薄膜工艺兼容，成本低廉，稳定性和重复性较好，适合批量化生产。
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公开(公告)号：CN107622849A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710864156.8
申请日：2017-09-22
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
摘要： 本实施例提供了一种热敏电阻器包封方法、热敏电阻器的制备方法以及热敏电阻器，涉及热敏电阻器的包封技术领域。一种热敏电阻器包封方法，其包括：对待包封的热敏电阻元件依次进行的三次保护玻璃印刷。此包封方法可以有效地提高热敏电阻包封外观的合格率，使得热敏电阻包封外观的合格率达到99％以上，解决了因为浆料流淌沟槽致使裂片不易裂开，容易粘连的情况。再无孔洞、气泡坑等不合格现象。满足了贯标线合格率的目标要求。大幅提高产品合格率的同时减少后工序产品筛选外观的时间，节约了人工成本，提高劳动效率，消除产品质量隐患，有效地提高了企业的经济效益。
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公开(公告)号：CN105321642B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201410389400.6
申请日：2014-07-31
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司
IPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明公开了一种高TCR低方阻线性NTC电阻浆料的制备方法，该方法以非线性的锰、镍、铜NTC陶瓷反应前驱物作为线性NTC浆料的主体功能材料，通过制备合适的B值(材料常数)和电阻率的非线性NTC材料，可有效降低贵金属的加入量；同时，使用合适的非线性NTC粉混合钌粉或氧化钌粉以降低阻值和减小温度对阻值的影响，达到阻值和温度的线性关系，应用时十分稳定。本发明符合目前电子元件小型化、片式化的发展方向，自主研发并规模化生产关键电子浆料，可加快国内电子元件的发展，且制备低成本高性能的线性NTC浆料可大幅度降低热敏电阻等元器件的成本，可带来巨大经济效益。
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公开(公告)号：CN105092903B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410229478.1
申请日：2014-05-21
申请人： 中国振华集团云科电子有限公司 , 东莞市台羿电子设备有限公司
IPC分类号： G01R1/02
摘要： 本发明公开了一种加压机分度盘机构，所述固定板安装在固定架上；所述分度盘通过分度盘固定螺钉固定在固定板上；所述分度盘PO信号传感器和分度盘原点放大器连接，所述分度盘原点放大器安装在固定架上；所述分度盘PO信号传感器通过分度盘PO信号传感器连接线与分度盘连接，所述分度盘原点放大器通过分度盘原点放大器连接线与分度盘连接，所述分度盘电机与分度盘连接。该加压机分度盘机构，通过脉冲的运动方式与各加压工位的位置相结合，使分度盘中的每只产品在每个加压工位上只停留一次，即每只产品只会被加压一次，工作的精度和稳定性都都到了很大的提高。
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