公开(公告)号：CN102629628B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110294950.6

申请日：2011-09-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4885 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/156 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： 本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，在防止半导体有源层受到污染的同时，减少了构图工序，提高了生产效率，降低了生产成本。TFT阵列基板包括：基板，基板上形成的栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层，具有金属氧化物区域的金属阻挡层，金属阻挡层上形成有源极和漏极，金属阻挡层的金属氧化物区域位于所述源极、漏极之间，基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。

公开(公告)号：CN103560110B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310597112.5

申请日：2013-11-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/441 ,  H01L21/469 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，节约成本。该方法包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成包括像素电极的图案层、栅电极、栅线的图案层；在形成有包括栅电极、栅线的图案层的基板上，最多通过两次构图工艺形成栅绝缘层、至少包括金属氧化物半导体有源层的图案层、以及至少包括刻蚀阻挡层的图案层；其中，在像素电极上方形成露出像素电极的第一过孔；在形成有刻蚀阻挡层的基板上，通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和数据线的图案层；其中，源电极和漏电极均与金属氧化物半导体有源层接触，漏电极与像素电极通过第一过孔电连接。用于制备阵列基板、显示装置等。

公开(公告)号：CN104867945A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510243789.8

申请日：2015-05-13

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明是关于一种阵列基板、阵列基板制造方法和显示装置，属于显示技术领域。所述方法包括：基板；基板上依次形成有包括栅极的图案以及栅绝缘层，包括栅极的图案包括多个栅极；在形成有栅绝缘层的基板上形成有包括半导体层的图案；在形成有半导体层的图案的基板上形成有源极与漏极的图案，半导体层的图案分别与源极、漏极连接，第一连接点至第二连接点在半导体层的图案上的距离大于栅极的任一边长。本发明通过增加源漏极间的距离来增大源漏极间的电阻，继而减小关态电流，解决了相关技术中以目前的关态电流在低刷新频率下，无法保持加载在液晶显示像素的电压的问题；达到了在低刷新频率下，也能保持加载在液晶显示像素的电压的效果。

公开(公告)号：CN104851789A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510308890.7

申请日：2015-06-08

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杨维 ,  刘翔

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7866 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

摘要： 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法以及显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：形成有源层、栅极、分别与所述有源层电连接的源极和漏极、以及位于所述栅极和所述有源层之间的栅极绝缘层，使得所述栅极、所述源极和所述漏极在同一次构图工艺中形成。该方法可以减少薄膜晶体管或阵列基板制作过程中掩膜板的使用数量，节省工艺流程，提高产能，降低生产成本。

公开(公告)号：CN104681626A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510094564.0

申请日：2015-03-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板。所述氧化物薄膜晶体管包括：有源层；设置在所述有源层上方的源极和漏极以及设置在所述源极和漏极上方的保护层，所述保护层覆盖所述源极、所述漏极和所述有源层上位于所述源极和所述漏极之间的部分，其中，所述源极和漏极的表面与所述保护层之间设置有防氧化层，所述防氧化层用于防止用于形成所述保护层的等离子体与所述源极和漏极接触。

公开(公告)号：CN102446925B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201010502101.0

申请日：2010-09-30

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L27/1288

摘要： 本发明公开了一种阵列基板、液晶显示器及阵列基板的制造方法。阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、有源层、钝化层和栅绝缘层；薄膜晶体管包括与栅线连接的栅电极、与数据线连接的源电极和与像素电极连接的漏电极；栅绝缘层形成于栅电极上方；钝化层设置于有源层与源电极和漏电极之间；且钝化层上设有源电极过孔和漏电极过孔；源电极和漏电极分别通过源电极过孔和漏电极过孔与有源层连接。本发明技术方案通过一次构图形成有源层、钝化层和栅绝缘层，减少了构图次数，提高了生产效率；同时实现了钝化层位于有源层上方的阵列基板结构，避免了在形成源电极和漏电极时对TFT沟道造成损伤。

公开(公告)号：CN102683593B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201210088843.2

申请日：2012-03-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 张学辉 ,  薛建设 ,  刘翔

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L27/283 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形，其中，所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。本发明所述有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法与现有技术相比，能够进一步减少构图工艺次数，即只需采用四次构图工艺，因而提高了生产效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN103915379A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410112458.6

申请日：2014-03-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 秦纬 ,  刘翔 ,  金熙哲

IPC分类号： H01L21/77 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法。该方法通过形成沟道区域上保留有光刻胶的氧化物半导体层图案，从而在氧化物半导体层图案上形成源电极和漏电极的构图工艺中，沟道区域上保留的光刻胶能够保护该沟道区域不被源漏金属刻蚀液刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性不受影响。

公开(公告)号：CN103474475A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310432334.1

申请日：2013-09-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以解决现有技术中存在的TFT的半导体有源层的弯曲度不能满足柔性显示的要求的问题。本发明实施例提供的TFT，包括半导体有源层，所述半导体有源层由类石墨烯半导体制作而成，其中，所述类石墨烯半导体是由替代元素对应的原子取代石墨烯导体中的部分碳原子后的产物。本发明实施例的半导体有源层的弯曲度能够满足柔性显示的要求。

公开(公告)号：CN102749752A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210189873.2

申请日：2012-06-08

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02B5/20

CPC分类号： G02F1/133553 ,  G02F1/133512

摘要： 本发明的实施例提供一种集成彩膜的阵列基板及其制造方法和液晶显示器。其中，集成彩膜的阵列基板包括：包括阵列基板主板，形成于所述阵列基板主板上的黑矩阵以及彩色滤光膜，所述集成彩膜的阵列基板还包括形成于所述彩色滤光膜之间的反光层，所述反光层位于所述黑矩阵之上。采用该集成彩膜的阵列基板的液晶显示器，在高光强的环境下仍具有较佳的可视性。