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公开(公告)号：CN116230564A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310069463.2
申请日：2023-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/60 , C23C14/18 , C23C14/28 , B82Y30/00 , H01L23/492
Abstract: 本发明提供一种纳米铜材料的低温烧结连接方法，所述方法包括在经催化的甲酸气体氛围中进行烧结，烧结过程中，先升温至80‑200℃，保温5‑10min，再在压强0‑30MPa、温度0‑280℃条件下继续烧结3‑30min；其中，利用负载在多孔加热陶瓷片表面的催化剂薄膜催化甲酸气体。本发明利用纳米薄膜形式的催化剂催化甲酸，在特定烧结工艺窗口下对纳米铜材料进行低温烧结连接，该方法可以解决纳米铜材料力学性能不强、电气性能不佳的难点问题，而且该烧结连接方法还原效果显著、经济环保、效率高。
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公开(公告)号：CN116213738A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310036854.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及合金材料加工技术领域，尤其涉及一种Sn‑Bi合金粉末的制备方法。制备方法包括：将Sn‑Bi合金加热至变为熔体后，保持加热温度并向熔体施加脉冲电流，然后将经脉冲电流熔炼后的熔体雾化制粉；所述脉冲电流的波形函数为：其中A为控制电压的参数，W为控制频率的参数，B为任意数值；以开氏温度计，Sn‑Bi合金的熔点与所述加热的温度的比值控制在0.85～0.95:1。本发明的制备方法，改善了Sn合金钎料中添加Bi元素后脱溶析出及塑性差的问题，制得的Sn‑Bi合金粉末具有较高的固溶度、较细的共晶组织和较好的断后伸长率。
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公开(公告)号：CN116160151A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211610656.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K35/30 , B23K35/40 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供一种纳米颗粒焊膏及其制备方法和应用，所述纳米颗粒焊膏包括金属颗粒和笼形硅氧烷齐聚物，所述金属颗粒为Ag颗粒或Cu颗粒，为微米‑纳米混合型颗粒，所述笼形硅氧烷齐聚物的粒径范围为10‑100nm。本发明通过添加笼形硅氧烷齐聚物颗粒来改善纳米Ag或纳米Cu烧结的高温组织的热稳定性的问题。同时，相比市面大部分焊膏，笼形硅氧烷齐聚物颗粒的添加能够使纳米Ag焊膏、Cu焊膏在更低温低压的条件下达到更好的烧结强度。
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公开(公告)号：CN116140866A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310227613.8
申请日：2023-03-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种新型低熔点VC均热板用铜基钎料焊膏，涉及材料制备与连接领域，该焊膏中的铜基钎料成分质量占比为Cu67.5～67.9％，Sn22.6～23.0％，Ni3.7～3.9％，P5.6～5.8％，本发明利用金属锡对PH600铜基钎料进行成分调整，在保证使用性能良好的前提下，使得焊膏的熔点相对较低，同时克服了铜基钎料作为硬钎料熔点高且容易氧化的缺陷，具有节约能源、降低成本的优点。
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公开(公告)号：CN116060626A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211567737.2
申请日：2022-12-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米合金材料制备技术领域，提供一种纳米合金颗粒的制备装置及方法，该纳米合金颗粒的制备装置包括激光发生单元和制备单元。激光发生单元用于发出至少两束激光。制备单元包括制备器，制备器内形成有制备腔，制备腔内设有至少两个用于放置异种靶材的放置平台，制备器还设有用于穿过激光的入射窗以及用于收集纳米合金颗粒的收集口。其中，靶材设置为圆形，靶材的所在平面与激光的焦平面的相交处与靶材的直径相重合，放置平台可驱动靶材沿其圆心自转，激光发生单元可驱动激光沿靶材的直径方向移动。实现等离子体的充分交叉复合，提升纳米合金颗粒的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114211069B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202111661614.0
申请日：2021-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种基于IMC焊盘的多晶结构焊点制取方法，包括：获取多系焊球和待焊电路板；对多系焊球和待焊电路板进行焊球焊接操作，得到PCB凸焊点；对PCB凸焊点进行老化处理，得到改性凸焊点；对改性凸焊点进行腐蚀处理，得到IMC焊盘；对多系焊球和IMC焊盘进行焊球焊接操作，得到多晶结构焊点。本申请通过预制IMC焊盘形成多晶结构焊点，可以改善Sn基钎料焊点中由于Sn的各向异性降低焊点可靠性的情况，避免在电子产品使用过程中提前失效，进而提高电子产品的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114378474A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210037369.4
申请日：2022-01-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米银包覆微米铜焊膏及其制备方法，属于电子封装连接材料技术领域；纳米银包覆微米铜焊膏中包括以微米铜为核，纳米银为壳，微米铜和纳米银的摩尔比为(5～1)∶(1～5)的银包铜颗粒；本发明采用化学镀方法制备银包铜颗粒，银元素以纳米银颗粒的形式在微米铜颗粒表面包覆；本发明化学镀制备的银包铜颗粒，较微米铜颗粒与纳米银颗粒直接进行物理混合，混合的更加均匀，抗氧化性更好；该方法具有工艺简单，成本低、生产效率高的特点，制成焊膏后，纳米银颗粒较高的比表面能为纳米银包覆微米铜焊膏烧结过程提供更大的驱动力，可以显著降低烧结温度，并能提高其烧结致密度。
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公开(公告)号：CN114012538A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111400806.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本申请公开了一种能够控制一维线性对接焊点尺寸的方法，包括：对待焊接的两根铜棒进行焊前预处理，得到两根待焊铜棒；按照预设的空间位置对两根待焊铜棒进行焊接操作，得到一维线性对接焊棒；使用定制树脂制作打磨平台，对一维线性对接焊棒进行打磨处理，得到初始线性对接焊点；对初始线性对接焊点进行抛磨处理，得到成品线性对接焊点。本申请能够实现精确控制一维线性对接焊点的尺寸，同时获得的对接接头能够满足拉伸、蠕变、时效、电迁移测试的各种要求。
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公开(公告)号：CN113686919A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111073954.1
申请日：2021-09-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种漆包线热解气体产物热值的检测方法，属于漆包线热解产物再利用领域。具体包括以下步骤：步骤一：通过热重(TG)分析得到漆包线的特征热解温度点；步骤二：通过Py‑GC/MS分析获得漆包线的热解气体产物种类及其产率；步骤三：使用AspenPlus软件中的化学计量反应器对热解气体产物二次燃烧反应过程进行模拟，得到热解气体产物的热值；步骤四：根据热解气体产物的产率，对漆包线不同热解气体产物的热值进行加权平均，得到不同热解温度下漆包线热解气体产物的平均热值。此方法可以用于选择漆包线的最佳热解温度，可以为漆包线热解气体产物平均热值的计算提供理论指导，为能源再利用技术提供理论参考。
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公开(公告)号：CN110791746B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911086230.3
申请日：2019-11-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种液态合金快速填充垂直硅通孔的方法及装置涉及微电子封装领域。其中填充材料为焊料合金，预先在TSV硅片表面及盲孔内化学气相沉积一层二氧化硅绝缘层，再使用物理气相在孔壁上沉积钛阻挡层，最后在沉积了二氧化硅的硅片表面化学电镀一层铜作为润湿层，将上述得到的硅片放置于真空室中，加热合金使其熔化，由于焊料合金与铜之间的润湿性，合金熔化后与硅片完全接触时加压，加压后保持真空室内的压力，待温度冷却后完成填充。本发明可提高硅通孔TSV的填充效率，完成焊料合金对于高深宽比盲孔TSV的无孔洞填充。合金与TSV孔壁之间结合牢固且填充工艺简单。TSV快速填充装置，包括真空出口，氮气入口，出口和入口均有阀门控制。压力表，反应室，加热装置，温度显示装置。
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