公开(公告)号：CN114267724B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210192181.7

申请日：2022-03-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，该晶体管包括：衬底，形成有高压N型阱；紧邻设置的第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，形成于高压N型阱；第一张应变区，形成于第一N型漂移区；第二张应变区，形成于第二N型漂移区；第一漏极，形成于第一张应变区；第二漏极，形成于第二张应变区；第一源极和第二源极，形成于P型体区；衬底极，形成于第一源极与第二源极之间；第一栅极，形成于第一N型漂移区和P型体区的上表面；第二栅极，形成于P型体区和第二N型漂移区的上表面，第二栅极与第一栅极之间形成有间隔。通过本发明提供的晶体管能够提高沟道内载流子的迁移率，提升晶体管的驱动能力和速度。

公开(公告)号：CN114545139A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210365325.4

申请日：2022-04-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  黄凯 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  宋彦斌 ,  单书珊 ,  刘芳 ,  田俊 ,  张泉 ,  肖超 ,  尹强

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R31/28 ,  G01R31/12 ,  G01R1/04

摘要： 本发明实施例提供一种测试装置及方法，该测试装置包括：至少一组测试模块，每组测试模块均设有接口，用于接入待测器件；每组测试模块之间为并联连接；设置模块，用于设置所述待测器件的工作温度及输入测试信号至所述测试模块；分析模块，用于根据所述测试模块的输出信号确定所述待测器件的性能参数。该测试装置能够有效评估器件的可靠性。

公开(公告)号：CN114361243A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202210275705.9

申请日：2022-03-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。该全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述全隔离横向双扩散金属氧化物半导体场效应管还包括栅氧化介质层，其中，所述栅氧化介质层位于所述栅极区和所述N型漂移区之间，其中，所述漏极区包括漏极重掺杂区和漏极轻掺杂区，所述源极区包括源极重掺杂区和源极轻掺杂区。该LDMOSFET结构有可调长度的漏极轻掺杂区和源极轻掺杂区，并基于漏极轻掺杂区、源极轻掺杂区和栅氧化介质层实现漏极区和栅极区的全隔离，有效提高LDMOSFET开态击穿电压。

公开(公告)号：CN113990942B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111623306.9

申请日：2021-12-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  郁文 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  余山 ,  付振 ,  朱松超 ,  王帅鹏

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种圆形对称结构的LDMOS器件及其制备方法，包括：衬底、栅介质层和栅电极；衬底上划分有第一区域，第一区域形成有高压阱区；第一区域包括第二区域和第三区域；第二区域形成有体区，第三区域形成有漂移区，漂移区和体区位于高压阱区内；第二区域包括第四区域和第五区域，第四区域经离子注入形成源区；第三区域包括第六区域和第七区域；第七区域经离子注入形成漏区；栅介质层形成在第五区域和第六区域上方；栅介质层包括薄氧区和场氧区；场氧区表面划分有第八区域；栅电极设置在第八区域与薄氧区上。采用中心对称布局，消除工艺梯度误差，提升量产工艺的良率、均匀性和一致性；采用圆形场板结构，提升器件的击穿电压和可靠性。

公开(公告)号：CN114267724A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202210192181.7

申请日：2022-03-01

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，该晶体管包括：衬底，形成有高压N型阱；紧邻设置的第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，形成于高压N型阱；第一张应变区，形成于第一N型漂移区；第二张应变区，形成于第二N型漂移区；第一漏极，形成于第一张应变区；第二漏极，形成于第二张应变区；第一源极和第二源极，形成于P型体区；衬底极，形成于第一源极与第二源极之间；第一栅极，形成于第一N型漂移区和P型体区的上表面；第二栅极，形成于P型体区和第二N型漂移区的上表面，第二栅极与第一栅极之间形成有间隔。通过本发明提供的晶体管能够提高沟道内载流子的迁移率，提升晶体管的驱动能力和速度。

公开(公告)号：CN114242651A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202210171603.2

申请日：2022-02-24

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构。所述浅槽隔离结构制作方法包括：在硅衬底上生长氧化物隔离层，在所述氧化物隔离层上生长腐蚀阻挡层；对腐蚀阻挡层和氧化物隔离层进行刻蚀处理，形成至少两个相互独立的凹槽；在所述凹槽内进行硅填充，将硅填充凹槽作为硅衬底的外延结构；去除腐蚀阻挡层，以在氧化物隔离层中除外延结构之外的区域构成浅槽隔离区。本发明的浅槽隔离结构制作方法，与现有的浅槽隔离工艺相反，由于起到隔离作用的隔离浅槽不是直接刻蚀形成，不会存在尖锐角落，避免角落寄生漏电流的问题，且工艺简单、均匀性好，提高了浅槽隔离结构的隔离特性。

公开(公告)号：CN114050181B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202210014429.0

申请日：2022-01-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  吴波 ,  郁文 ,  王凯 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。

公开(公告)号：CN114019220A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202210014419.7

申请日：2022-01-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  程晓峰 ,  付振 ,  王帅鹏 ,  刘芳 ,  黄海潮

IPC分类号： G01R19/00 ,  G01R15/20

摘要： 本发明实施例提供一种电流检测器及电路，电流检测器包括：外壳及至少一组磁体，所述磁体位于所述外壳内，每组磁体包括：第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈；所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合；所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯，用于产生第一激励磁场；所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯，用于产生第二激励磁场；所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接；所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴，用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强，并且结构简单、加工难度较低，成本较低。

公开(公告)号：CN113707558A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202111257655.3

申请日：2021-10-27

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 郁文 ,  陈燕宁 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  付振 ,  刘芳 ,  王帅鹏 ,  邓永峰 ,  王凯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  G03F1/00

摘要： 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体地涉及一种用于制备高压LDMOS器件的方法及器件，包括提供第二导电类型的衬底；在衬底的中形成第一导电类型的漂移区与第二导电类型的体区；在漂移区上生长场氧化物；形成覆盖于漂移区的一部分和体区的一部分的栅介质层；在栅介质层上形成栅电极；在体区表面形成源区；以及在漂移区表面形成漏区；其中，使用局部线性掺杂工艺对第一选定区域注入第一导电类型离子，使用掩膜版调节漂移区的离子掺杂浓度，以使得漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而第一子区域和第二子区域的离子掺杂浓度相对于漂移区中的第一子区域和第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征。

公开(公告)号：CN117852462A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311550020.1

申请日：2023-11-20

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 朱亚星 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  吴波 ,  王凯 ,  王柏清 ,  宋斌斌 ,  连亚军

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04 ,  G06F111/08 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

摘要： 本申请公开可靠性仿真方法、可靠性仿真装置、仿真设备及非易失性计算机可读存储介质。方法包括获取电磁干扰信号的周期性干扰信号；对获取的电磁干扰信号周期性干扰信号进行高斯混合模拟，以获取高斯混合干扰信号时域函数；根据高斯混合干扰信号时域函数和预设加速因子模型，将周期性干扰信号转换为矩形脉冲信号，预设加速因子模型为正常工况下的预期失效时间和具有预设加速应力条件下的真实失效时间的比值，预设加速因子模型满足退化一致性条件；及将矩形脉冲信号作为输入边界条件，输入到预设的仿真软件仿真预设次数，以输出待仿真晶体管的退化率，退化率配置为表征待仿真晶体管的可靠性。如此，仿真结果可准确地反应待仿真晶体管的可靠性。