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公开(公告)号：CN102420277B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110360361.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法，步骤如下：1)在GaN模板或其它半导体薄膜表面沉积一层SiO2或SiNx介质薄膜材料，厚度为10～50nm，将PS和PMMA混合共聚物涂刷至介质薄膜表面，清洗PMMA后获得PS纳米柱图形，采用等离子体刻蚀将PS纳米柱图形转移至介质薄膜层上；将纳米柱图形制备如下参数：面密度达到0.8～1.0×1011cm-2；2)采用反应离子刻蚀将纳米柱点阵图形转移至SiNx或SiO2介质薄膜层，去掉聚苯乙烯获得可供MOCVD二次生长GaN纳米点结构的模板；3)GaN基量子点结构生长，GaN量子点结构发射强烈的蓝紫光，用于制作高效率发光二极管(LED)和激光器(LD)光电子器件中有源层结构。
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公开(公告)号：CN102903886A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210287527.8
申请日：2012-08-13
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01M4/0471 , H01M4/04 , H01M10/0431 , H01M10/0436 , H01M10/0587 , H01M10/42
Abstract: 利用干法腐蚀去除电池极片毛刺的方法，利用电感线圈将反应气体离子化，使得离子化后的反应粒子在DC偏压下轰击电池极片毛刺表面，使电池极片工件边缘的毛刺在物理轰击效果下被消除，从而达到消除因工件加工带来的边缘毛刺。所使用的设备是电感耦合等离子体刻蚀仪（简称ICP）。本发明能完全去除电池极片上的毛刺，从而可以有效避免电池极片在卷绕过程中刺破隔膜而引起电池短路的现象发生。
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公开(公告)号：CN101315881B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810124323.6
申请日：2008-06-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/8247 , C23C14/28
Abstract: LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁电材料作为靶材，用脉冲激光沉积方法在所述异质结构缓冲层或复合衬底上获得高质量铁电材料薄膜；控制生长腔的真空在10-3Torr以上；将衬底温度升至300-900度，然后向腔内通入高纯氧，氧压控制在5-90帕；调整激光器频率设置为5Hz，能量为300mJ，并预先将激光预溅射靶材3-5分钟，清洁衬底表面的污染；最后，将脉冲激光聚焦于靶材上，打开靶源在异质结构复合衬底生长LiNbO3/III族氮化物异质结构铁电半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN101714604A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910212663.9
申请日：2009-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/08
Abstract: 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*1018cm-1；在N型GaN是依次生长蓝光波长量子阱材料，蓝绿或绿光量子阱材料和红黄光或红光量子阱材料；蓝光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.1到0.18之间；绿光量子阱是厚度分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的InxGa1-xN/GaN多量子阱结构，x在0.18到0.32；红黄光或红光量子阱分别为2-20nm和4-25nm的1-10个周期的In xGa1-xN/GaN多量子阱结构，其中x在0.32以上。本发明得到一种三色GaN基白光LED结构。
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公开(公告)号：CN100533667C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200810124346.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01F41/22
Abstract: 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材料GaMnN薄膜可用于自旋电子学器件，依据不同的器件应用生长不同的外延结构，可以制备自旋场效应管，自旋发光二极管，应用于量子计算等领域。本发明可有效地控制GaMnN材料的生长，获得高质量的Mn掺杂的GaN薄膜材料，研究发现Mn掺杂的GaN的本征磁性为顺磁性。本发明与现有的半导体材料生长工艺完全兼容，在材料生长掺杂技术以及生长工艺上属于首次。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355127A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810124467.1
申请日：2008-07-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5－10个周期且层厚分别为5－20nm/15－40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。
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公开(公告)号：CN117512512A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311672211.5
申请日：2023-12-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法，以AlN陶瓷靶为溅射靶材，在蓝宝石衬底表面进行射频磁控溅射生长AlN薄膜，射频磁控溅射10min后，将电源和进气阀门均关闭，使功率和气体流量降为0，靶材和样品自然冷却10min后，再启动射频磁控溅射，如此溅射‑冷却循环进行，直至得到预定厚度的AlN薄膜。所制得的氮化铝薄膜具有光滑的表面，其表面均方根粗糙度小于1nm；依据本发明方法制备的氮化铝薄膜与半导体微电子技术相兼容，具有宽禁带，高击穿电压的优点，适用于与CMOS相关的高性能光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号：CN117311045A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311296137.1
申请日：2023-10-08
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/137 , G02F1/1335
Abstract: 本发明实施例公开了一种矢量光束旋转器、制备方法及矢量光束旋转装置。矢量光束旋转器包括相对设置的第一基板、第二基板以及设置于第一基板与第二基板之间的胆甾相液晶层；其中，第一基板朝向第二基板的一侧设置有第一取向层，第二基板朝向第一基板的一侧设置有第二取向层；第一取向层、第二取向层具备相同的均匀取向方向，控制与第一取向层和第二取向层相邻液晶分子指向矢均匀平行排列，胆甾相液晶层呈螺旋排列，胆甾相液晶层所形成的布拉格反射带的短波带边邻域包含矢量光束旋转器的工作波长。本发明实施例的技术方案，可以提高矢量光束旋转变换的器件集成度、变换范围和操作简便性，并实现动态可控功能。
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公开(公告)号：CN114690479A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210394664.5
申请日：2022-04-14
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1335 , G02F1/137 , G01M11/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种液晶几何相位器件及其制备方法、检测装置。液晶几何相位器件包括相对设置的第一基板、第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的双手性共存液晶层，双手性共存液晶层包括第一旋向胆甾相液晶和第二旋向胆甾相液晶共存的液晶层；第一基板朝向第二基板的一侧设置有第一取向层，第二基板朝向第一基板的一侧设置有第二取向层。本发明实施例的技术方案，通过第一旋向胆甾相液晶和第二旋向胆甾相液晶形成均一分布的双手性共存体系，可以突破传统胆甾相液晶的自选选择性几何相位调控，实现双手性圆偏振光的同时反射及几何相位调制，具体表现为宽波段反射式涡旋光和矢量光的产生。
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公开(公告)号：CN113467117A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110763109.0
申请日：2021-07-06
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1337 , G02F1/1347 , G02F1/137 , G01J11/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种温度控制的矢量涡旋光束探测器及其制备方法、探测装置。其中矢量涡旋光束探测器包括级联的第一液晶盒和第二液晶盒；第一液晶盒包括相对设置的第一基板、第二基板及温度控制的第一旋向胆甾相液晶层，第一基板朝向第二基板的一侧设置有第一取向层，第二基板朝向第一基板的一侧设置有第二取向层；第二液晶盒包括相对设置的第三基板、第四基板及温度控制的第二旋向胆甾相液晶层，第三基板朝向第四基板的一侧设置有第三取向层，第四基板朝向第三基板的一侧设置有第四取向层；本发明实施例的技术方案，可以提高矢量涡旋光束探测的器件集成度、探测效率和探测波段可调性，实现圆偏振分量的选择性检测。
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