公开(公告)号：CN105590958A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510965034.9

申请日：2015-12-21

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  黄超 ,  张龙 ,  卜爱国 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7394 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66325

摘要： 一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底，埋氧层，N型外延层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，N型发射极上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有金属连接多晶硅栅至结构外围的输入\输出，在N型缓冲层中设有P型集电极，N型缓冲层上方有多晶硅场板，多晶硅场板上连有栅极金属，P型体区三面包围着N型缓冲层，留有一面的间断，P型集电极连有集电极金属连线，在集电极金属连线之下靠近结构边缘设有沟槽，沟槽内掺有介质，在整个结构外包围有沟槽，沟槽内掺有介质。所述高压互连线屏蔽结构靠近集电极的沟槽下方不与埋氧层接触，留有空隙。

公开(公告)号：CN102760756B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201210227688.8

申请日：2012-06-30

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06

摘要： 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。

公开(公告)号：CN102339866A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110311731.4

申请日：2011-10-14

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 一种具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。

公开(公告)号：CN112825301B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201911149088.2

申请日：2019-11-21

申请人： 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 孙伟锋 ,  王耀辉 ,  宋华 ,  张森 ,  杨光安 ,  张龙 ,  吴汪然 ,  刘斯扬 ,  耿和龙 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。

公开(公告)号：CN111430454A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010323101.8

申请日：2020-04-22

申请人： 东南大学

发明人： 张龙 ,  龚金丽 ,  祝靖 ,  杨兰兰 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 一种低饱和电流的绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有有埋氧层，在埋氧层上方设有N型漂移区，其上有P型体区、场氧层和集电极区，在P型体区内设有相连的P阱，在P阱内设有P型发射极区，在P型发射极区上设有N型发射极区，在P型体区、P阱、P型发射极区、场氧层和集电极区上方设有氧化层，在场氧层与氧化层之间设有多晶硅栅且延伸至P阱的上方，在P阱、P型体区与多晶硅栅之间设有栅氧化层，所述集电极区包括设在N型漂移区内且被N型漂移区隔离的重掺杂的N型集电极区和轻掺杂的N型集电极区，在重掺杂的N型集电极区内设有轻掺杂的P型集电极区，在轻掺杂的N型集电极区内设有重掺杂的P型集电极区。

公开(公告)号：CN109860301B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201910055795.9

申请日：2019-01-21

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  李阿江 ,  李少红 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 一种低反向恢复电荷SJ‑VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。

公开(公告)号：CN104916674B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201510181744.2

申请日：2015-04-17

申请人： 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

发明人： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  顾炎 ,  宋华 ,  张森 ,  苏巍

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

摘要： 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。

公开(公告)号：CN106206702A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610571475.5

申请日：2016-07-19

申请人： 东南大学

发明人： 祝靖 ,  张龙 ,  赵敏娜 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0603

摘要： 一种分段双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，之上为N型外延层，在外延层表面淀积氧化层，在外延层上设有环形沟槽，环形沟槽在埋氧层上，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，P型体区和N型缓冲层位于环形沟槽内侧，缓冲层位于P型体区内侧，在P型体区内设有N型和P型发射极，在P型体区内边界上方有多晶硅栅，在N型缓冲层中设有P型集电极，在缓冲层外边界上设有被氧化层包围的多晶硅场板，在P型集电极上引出的金属连线通过U形开口延伸，在开口外侧设有连续沟槽，在环形沟槽及连续沟槽内填充有二氧化硅，其特征在于，在开口与连续沟槽之间设有分段沟槽，在相邻分段沟槽间有载流子撤离通道。

公开(公告)号：CN104078498B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410334730.5

申请日：2014-07-14

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  杜益成 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供了一种能够提高普通绝缘栅双极型晶体管耐压能力、高温特性，且无电流回跳现象的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区一侧设有P型体区，另一侧设有N型缓冲层，且P行体区内设有相连的P型发射极区和N型发射极区，其上有用于连接两者的金属以及发射极金属场板，在N型缓冲层内设有P型集电极区，其上设有由于连接的金属以及集电极金属场板，在埋氧层和N型发射区之间的P型体区上方设有多晶硅栅，在N型体区外侧设有两个沟槽隔离层，其间有供载流子流动的间隙，在沟槽隔离层的外侧设有两个N型集电极区，其通过金属与P型集电极相连。

公开(公告)号：CN104576722A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410813021.5

申请日：2014-12-24

申请人： 东南大学 ,  无锡华润上华半导体有限公司 ,  苏州博创集成电路设计有限公司

发明人： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  易扬波 ,  苏巍 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66325

摘要： 一种高可靠性的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底、埋氧层，N型漂移区，二氧化硅层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，在P型发射极和N型发射极上连接有发射极电极金属连线，在N型缓冲层中设有P型集电极，在P型集电极上连接有集电极金属，在二氧化硅层内设有多晶硅栅和多晶硅场板，在多晶硅栅上连接有栅极金属，在N型漂移区内还设有一排沟槽，在每个沟槽的内壁上设有一层二氧化硅，在二氧化硅内填充多晶硅，所述沟槽与P型体区、P型发射极、N型发射极和多晶硅栅的U字形开口相邻，所述沟槽位于集电极金属的下方且与集电极金属垂直。