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公开(公告)号：CN104576722A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410813021.5
申请日：2014-12-24
申请人： 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 苏州博创集成电路设计有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/0684 , H01L29/66325
摘要： 一种高可靠性的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底、埋氧层，N型漂移区，二氧化硅层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，在P型发射极和N型发射极上连接有发射极电极金属连线，在N型缓冲层中设有P型集电极，在P型集电极上连接有集电极金属，在二氧化硅层内设有多晶硅栅和多晶硅场板，在多晶硅栅上连接有栅极金属，在N型漂移区内还设有一排沟槽，在每个沟槽的内壁上设有一层二氧化硅，在二氧化硅内填充多晶硅，所述沟槽与P型体区、P型发射极、N型发射极和多晶硅栅的U字形开口相邻，所述沟槽位于集电极金属的下方且与集电极金属垂直。
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公开(公告)号：CN104916674A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
申请人： 东南大学 , 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/0607 , H01L29/0808
摘要： 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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公开(公告)号：CN103728467B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210391609.7
申请日：2012-10-16
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , B81B7/02 , G01P2015/0837 , H01G5/16 , H02N1/08
摘要： 本发明提供一种平行板电容器。该电容器包括第一极板和与第一极板相对设置的第二极板，其中，该平行板电容器还包括在形成所述第一极板的基底上设置的至少一对敏感单元，所述敏感单元包括敏感元件和将敏感元件连接到所述第一极板的元件连接臂；设置在所述第二极板所在的基底上的锚定支座，其通过悬臂梁连接到所述元件连接臂；其中，每个元件连接臂与相对于其对称的至少两个锚定支座连接。该平板电容器更容易受到外界因素影响，从而更易产生电容的变化。
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公开(公告)号：CN103728467A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210391609.7
申请日：2012-10-16
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , B81B7/02 , G01P2015/0837 , H01G5/16 , H02N1/08
摘要： 本发明提供一种平行板电容器。该电容器包括第一极板和与第一极板相对设置的第二极板，其中，该平行板电容器还包括在形成所述第一极板的基底上设置的至少一对敏感单元，所述敏感单元包括敏感元件和将敏感元件连接到所述第一极板的元件连接臂；设置在所述第二极板所在的基底上的锚定支座，其通过悬臂梁连接到所述元件连接臂；其中，每个元件连接臂与相对于其对称的至少两个锚定支座连接。该平板电容器更容易受到外界因素影响，从而更易产生电容的变化。
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公开(公告)号：CN103578965A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210269511.4
申请日：2012-07-31
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3083
摘要： 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。
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公开(公告)号：CN103578965B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210269511.4
申请日：2012-07-31
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30608 , H01L21/3083
摘要： 本发明公开了一种两种腐蚀深度的一次成形方法，包括采用具有横向腐蚀特性的腐蚀材料从多于一个入口处对腐蚀对象进行腐蚀。通过使用本发明，可以实现工艺流程的简化，提高效率，降低产生成本，还可能可以缩短生产时间。
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公开(公告)号：CN103776568A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201210395744.9
申请日：2012-10-18
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L19/04
摘要： 本发明公开了一种压力传感器，其包括硅杯、压敏电阻、绝缘层和金属膜。其中，所述硅杯包括位于该硅杯上部的感压膜和位于该硅杯侧边的支撑架；所述压敏电阻位于该硅杯的感压膜边界内；所述绝缘层覆盖于所述硅杯上表面；所述金属膜位于所述感压膜上方。利用金属具有热胀冷缩的特性，在感压膜上方放置金属膜，通过金属膜在温度升高时变长，迫使硅杯上感压膜发生更大变形来抵消或减少因使用温度升高使传感器输出信号减小的缺陷。
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公开(公告)号：CN103515200A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210197858.2
申请日：2012-06-15
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： 本发明公开了一种厚多晶硅的制备方法，包括：在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层；以及在所述种子层上，通过使用外延气体，外延生长出一层厚的多晶硅层。通过使用本发明能够高效地获得厚多晶硅，同时又能够解决反应炉内副产品的堆积带来的问题。
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公开(公告)号：CN102815662A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110151756.2
申请日：2011-06-08
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明提供一种在半导体衬底中制备腔体的方法，属于集成电路制造技术领域。该方法包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上各向异性刻蚀形成多个通孔或沟槽；对所述通孔进行各向同性刻蚀以使相邻通孔或相邻沟槽的底部之间相互连通形成腔体槽；以及外延生长外延半导体衬底层以密封形成所述腔体。该方法具有成本低、效率高、腔体之上的半导体衬底层的厚度易于控制的特点。
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公开(公告)号：CN105990423A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510054806.3
申请日：2015-02-02
申请人： 无锡华润上华半导体有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
摘要： 一种横向双扩散场效应管，对单个元胞中的源极结构部分加入多于一个的栅极沟槽结构，并从该栅极沟槽结构引出栅极引出端作为栅电极，因而当在栅电极加上一定电压时，沟槽两侧的栅绝缘层与第一导电类型阱都形成反型层，即导电沟道；当漏极结构(第二导电类型漏极掺杂区)上有电压时，导电沟道中有电流流过。如果栅极沟槽结构的个数为N个，则电流流过的导电沟道就有2N个，较之传统的LDMOS的单个元胞结构中电流密度显著增加，从而可以在多元胞结构下总体提高了单个器件的电流密度。因而，在同样的工作电流下，上述横向双扩散场效应管因为单个元胞结构更大的工作电流使得器件面积小、导通电阻小。
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