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公开(公告)号：CN101345527B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810116352.8
申请日：2008-07-09
申请人： 清华大学
摘要： 本发明设计了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种基于CeRAM单元的数模变换器，其组成包括一组CeRAM单元和一个镜像电流源；所有CeRAM单元的WL端连接在一起，作为共同的WL端；所有CeRAM单元的DL端连接在一起，作为共同的DL端；每个CeRAM单元的BL端相互独立；DL端连接到镜像电流源的Iin端。相比于传统的数模变换器，本发明结构简单，转换速度快，在转换信号位数较多时此种优势更加明显。同时本发明应用了新型的TMO材料和CeRAM单元，在国内外均属于新颖且空白的领域，有利于占据前沿技术中的领先地位。
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公开(公告)号：CN101692602A
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200910235237.7
申请日：2009-09-28
摘要： 单层电极薄膜体声波谐振器结构及其制造方法属于谐振器器件领域。在衬底上制作压电薄膜，声波反射层为布拉格反射结构或气隙结构，声波反射层形成在衬底里或衬底与压电薄膜之间，两个单独的电极组成的单层电极经过刻蚀形成在压电薄膜上。所述单层电极薄膜体声波谐振器结构可以和现有超大规模集成电路工艺兼容，易于芯片级的集成和大规模生产；相比较现有的声波谐振器结构，只使用单层电极，结构简单，使得制备工艺简单，成本降低，并且能够保持甚至加强现有声波谐振器结构的众多优点。
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公开(公告)号：CN101458335A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200910076388.2
申请日：2009-01-15
申请人： 清华大学
摘要： 一种采用无铅传感元件的环保型测距雷达，属于雷达探测距离的技术领域，其特征在于含有：超声探头，一个包含控制超声发射和接收处理超声信号的主机、一个用于显示和报警的显示报警头以及一个温度传感器。其中，主机利用环境温度来调查声波在空气中传播的速度，并由此计算所述测距雷达和被测障碍物的距离。所述超声探头用无铅传感元件作压电材料，所述主机能在1Hz－10Hz范围内调整扫描频率，以控制不同的超声探头去探测不同方向的在报警范围内的被测障碍物，提高测量精度并减小功耗。本发明具有无污染、低功耗、高精度等优点。
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公开(公告)号：CN100466320C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710063820.5
申请日：2007-02-12
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/24 , C04B35/46
摘要： 本发明涉及用于铁电存储器的掺钕钛酸铋铁电薄膜及其低温制备方法，属于微电子新材料与器件范围，该薄膜的组成及组分为：Bi4-xNdxTi3O12，其中，Nd中的x为掺钕钛酸铋中Nd占Nd和Bi元素总量的摩尔百分数；该Bi元素的过剩含量占Bi、Nd和Ti元素总量的摩尔百分数的范围为5%＜Bi＜20%；薄膜厚度为20nm～500nm。该制备方法由制备掺钕钛酸铋前驱体溶胶和低温制备掺钕钛酸铋铁电薄膜两部分组成；本发明制备出来的铁电薄膜具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr)，较低的操作电压(Vc)以及能与CMOS工艺技术兼容等特点。特别适用于铁电存储器应用。
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公开(公告)号：CN101359882A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810119212.6
申请日：2008-08-29
IPC分类号： H02N2/18 , H01L41/113
摘要： 本发明公开了一种谐振频率可调的压电振动能量收集装置，属于能量转化与收集技术领域。该装置采用支撑基片作为振动结构，通过固定在其上的压电材料来收集振动能量。该装置采用固定的质量块和可动的质量块相结合的方式，在较大范围内简单、精确地调节装置的谐振频率，使其与环境振动保持机械谐振，以最大化振动能量收集能力。根据本发明实现的能量收集装置，能够在较大频率范围内适用于不同的振动环境，可与传感器等相结合，使传感器具有自供电的能力。
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公开(公告)号：CN101236778A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810101920.7
申请日：2008-03-14
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11C11/22
摘要： 本发明公开了属于集成电路设计制造技术领域的一种交叉型铁电存储阵列结构。该阵列结构以交叉型铁电存储单元为基本组成部分，每个铁电存储单元在横纵方向上分别与同行或同列的存储单元共用控制线CL，同一列的存储单元之间共用列方向上的数据信号线BL，同一行的存储单元之间共用行方向上的BL，行与列之间不共用BL。本发明基于铁电存储器的数据存储和读写机理，借鉴了FeRAM合并PL阵列架构的部分原理和读写方式，使得存储单元的控制和数据读写均可以同时沿行列两个方向进行，可以很容易的实现多位数据的并行读写，优化电路的对称性和外围电路的排布，降低译码和驱动电路的数目和规模，并且可以减小BL线长度进而提高读写速度。
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公开(公告)号：CN100375890C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200510086376.X
申请日：2005-09-09
申请人： 清华大学
摘要： 一种含有可调零的GMR芯片的磁位移传感器，属于传感器技术领域，包括磁栅尺带、GMR芯片；GMR芯片使用巨磁电阻GMR纳米磁性薄膜作为磁阻敏感材料制作的磁传感器，含调零电阻；GMR芯片固定在印刷电路板(PCB)上，通过铝硅丝绑定实现与后处理电路的电信号联接。GMR芯片与PCB板构成动尺，当动尺在定尺上横向运动时，GMR芯片将检测到的磁栅的磁场强度强弱变化转化为电信号传给后处理电路，最后信号处理电路得出动尺相对于定尺移动的位移量。该发明热稳定性好、噪声低、响应时间快；磁场灵敏度和磁电阻变化率高，适合在低磁场下工作，便于与半导体电路集成，简化了器件结构，降低成本，在传感器技术领域有重大实用价值。
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公开(公告)号：CN101136404A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710175793.0
申请日：2007-10-12
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/822 , H01L21/8247
摘要： 本发明涉及铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该电容包括：以硅为衬底，在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜，以及上电极金属层；在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜。该方法由铁酸铋BFO和钛酸铋BXT前驱体溶胶的制备，以及铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容的制备三部分组成。本发明利用该方法制备出来的铁电电容具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr)，较低的操作电压(Vc)，较好的介电特性，并能与CMOS工艺技术相兼容的特点，且在室温下能够正常工作，适用于新型高密度存储器以及集成铁电器件。
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公开(公告)号：CN101034021A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710064141.X
申请日：2007-03-02
申请人： 清华大学
IPC分类号： G01L1/18
摘要： 本发明属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本发明在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。
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公开(公告)号：CN1119917C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN00105555.0
申请日：2000-03-31
申请人： 清华大学
IPC分类号： H04R7/04
摘要： 本发明涉及用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法，首先在单晶硅衬底淀积一层氮化硅，硅衬底背面腐蚀，形成背腔，在氮化硅上淀积一层二氧化硅，射频磁控溅射金属Pt/Ti层，再光刻金属Pt/Ti层，以形成底层电极；用溶胶-凝胶法在Pt/Ti层上制备PZT铁电薄膜，在PZT铁电薄膜上制备顶层电极，去除其中一侧，即为本发明的悬臂式振膜结构。采用本发明制备的悬臂式振膜结构，集成微麦克风和扬声器，其灵敏度和声输出有了明显提高。
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