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公开(公告)号：CN106887484B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201710237269.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了种铋金属纳米柱/石墨烯异质结高灵敏度光电探测器,采用分子束外延技术,运用固液气过程,在硅基片上以锡诱导生长铋纳米柱,然后转移单层石墨烯并且经过光刻,镀电极得到所述光电探测器。经测试知暗电流很小,在模拟太阳光光照下光电流强度高;且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点,在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108179455A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201810015642.7
申请日：2018-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
CPC classification number: C25D11/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C18/1216 , C23C18/1245
Abstract: 一种Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列复合异质结薄膜的制备方法，属于半导体纳米结构的制备技术领域。首先，采用阳极氧化法制备出高度有序、致密排列的二氧化钛纳米管阵列，然后通过浸泡的方式使乙酸铜前驱液进入纳米管内部，最后通过热处理使前驱体分解，得到p型Cu2O纳米颗粒并装载于纳米管管壁，形成了具有可见光响应的Cu2O纳米颗粒/TiO2纳米管阵列异质结薄膜。本发明方法简单、成本低、重复性好、可大规模生产等优点，得到的异质结在光催化、传感器和太阳能电池方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106504891B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201611176435.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种准各向同性磁芯膜的制备方法，涉及高频磁性器件特别是片上集成电感类器件中磁性薄膜的制备领域。本发明将基片倾斜，使基片与靶材呈一定角度进行溅射，形成了倾斜柱状结构，引入了单轴各向异性场；本发明磁性薄膜/绝缘层/磁性薄膜三明治结构中，上下两层磁性薄膜为易轴方向相反的倾斜柱状结构，以产生合适的层间交换耦合作用，抵消由于不同长宽比带来的形状各向异性场，使得总的有效各向异性场仅取决于倾斜溅射诱导的各向异性场；本发明磁芯膜由多个三明治结构堆叠形成，相邻三明治结构中磁性薄膜的易轴相互垂直，且通过厚度为20nm以上的隔离层隔离层间交换耦合作用，从而使得磁芯膜各个方向上都有相近的有效各向异性场和较高的磁导率。
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公开(公告)号：CN104987056B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510387961.7
申请日：2015-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/495 , C04B35/475 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种新型的铁电‑铁磁复合材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。包括铁磁相和铁电相，铁磁相的含量为30～99wt％，铁电相的含量为1～70wt％；铁磁相为改性的NiCuZn铁氧体，主要成分及含量为：氧化铁65～68wt％，氧化亚镍7～10wt％，氧化锌17～19wt％，氧化铜6～8wt％，碳酸锂0.5～1.5wt％，五氧化二钒2～4wt％；铁电相为铋系类钙钛矿铁电陶瓷，通式为An‑1Bi2BnO3n+3，A为Bi、Nd、Sm、W中的一种或两种，B为Ti、V中的一种或两种，n＝1～5。本发明在无需添加烧结助剂的情况下实现材料在低温下的高致密化，既能很好地适应LTCC工艺，又能在一定程度上减少磁性能和介电性能的损失。
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公开(公告)号：CN107382299A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710669053.6
申请日：2017-08-08
Applicant: 电子科技大学 , 赣州瓷创科技发展有限公司
IPC: C04B35/20 , C04B35/622 , C04B35/64
CPC classification number: C04B35/20 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/445
Abstract: 本发明公开了一种低介微波介质陶瓷的低温制备方法，属于微波介质陶瓷技术领域。本发明按照化学通式Li2(Mg1-xZnx)SiO4进行配料、球磨、烘干和预烧形成晶相，然后在预烧粉体中加入复合助烧剂进行二次球磨、烘干和低温烧结最终得到微波介质陶瓷材料。本发明通过Zn2+替代Mg2+能够初步降低微波介质陶瓷的致密化温度以及提高其介电性能；复合助烧剂在后续烧结过程中形成液相，使得烧结温度进一步降低至900℃，并且提高了微波介质陶瓷材料的致密性。本发明提供方法制备有利于具有较低的介电常数和较高的品质因数的Li2MgSiO4基微波介质陶瓷在LTCC的应用，满足了微波通信行业的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107192989A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710443474.7
申请日：2017-06-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及微波射频技术领域，提供一种微波射频接收机,包括接收天线、微波放大电路、逆自旋霍尔异质结构检波器件、电控电磁铁、微伏电压放大电路及采样电路；微波放大电路对射频微波频段电磁波信号进行增益放大；电控电磁铁设置在可控电流控制电路中，电控电磁铁提供偏置磁场；逆自旋霍尔异质结构检波器件利用电控电磁铁提供的偏置磁场进行磁场选频，并对微波放大电路输出的微波信号进行处理；微伏电压放大电路对逆自旋霍尔异质结构检波器件产生的电压进行信号放大处理；采样电路对微伏电压放大电路输出的电压信号进行采样处理，该微波射频接收机结构简单，体积较小，不存在镜频干扰的问题，可以实现快速宽带扫描。
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公开(公告)号：CN107190321A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710331977.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C30B29/24 , C30B19/00 , C30B25/02 , C30B29/02 , H01L43/10 , H01P3/00 , H01Q1/38
Abstract: 一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成。本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。
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公开(公告)号：CN104831358B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510177595.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种液相外延用钆镓石榴石单晶衬底的清洗方法，首先将衬底依次分别在70～80℃的三氯乙烯和去离子水中浸泡清洗；然后在70～80℃的重铬酸钾、浓硫酸和水的混合液中浸洗10～15次，每次浸洗时间为1～2s，取出后分别在70～80℃的去离子水中浸泡清洗2次；依次分别在70～80℃的碱液和去离子水中浸泡清洗；依次分别在弱碱和去离子水中浸泡清洗；最后在异丙醇蒸汽中清洗。本发明可有效去除衬底表面的杂质污迹，使衬底呈现镜面效果；通过清洗液对衬底表面轻微腐蚀，打开衬底基片晶键、活化表面，有利于各成膜原料的附着和生长，提高成膜率和薄膜质量；采用浸泡清洗，避免了较大基片由于超声清洗产生的应力问题。
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公开(公告)号：CN107025971A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710329753.0
申请日：2017-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01F1/40 , H01L29/167 , H01L21/02
CPC classification number: H01F1/405 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L29/167
Abstract: 具有室温铁磁性的稀磁半导体材料，包括一锗基片，一锗缓冲层，所述锗缓冲层生长于所述锗基片的表面，以及一锗铁薄膜，所述锗铁薄膜生长于所述锗缓冲层的表面，所述锗铁薄膜的组分为Ge1‑xFex，且x＝0.02‑0.05。本发明同时提供了该材料的制备方法。本发明得到的锗铁薄膜在室温(20℃)时具有铁磁性，饱和磁化强度4πMs在320‑450Gs范围，且导电性能强，电阻率在10‑3Ω·cm量级，由于其具有半导体和磁性材料的性质，即可以同时调控电子的电荷和自旋两种自由度，并且在室温下就具有铁磁性，在存储、通讯、计算等诸多领域将有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN106990284A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710322407.X
申请日：2017-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R21/08
CPC classification number: G01R21/08
Abstract: 本发明涉及微波电子设备技术领域，提供一种基于自旋泵浦效应的微波功率探测器及其制备方法，该基于自旋泵浦效应的微波功率探测器包括微纳尺度器件，该微纳尺度器件包括由磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，非磁性重金属薄膜层是在磁性薄膜层上生长所得；微纳尺度器件的磁性薄膜层磁矩在微波激励下发生铁磁共振拉莫尔进动，自旋泵浦产生自旋流注入到非磁性重金属薄膜层中，在逆自旋霍尔电压的测试过程中，逆自旋霍尔电压的磁场积分数值与微波功率的数值满足一定线性关系，该探测器结构简单，降低探测器制作成本，测试频率范围宽，测试微波功率的线性度高，应用范围广。
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