公开(公告)号：CN112740374A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980061909.9

申请日：2019-09-19

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 岛田宽哲 ,  谷山智志

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

摘要： 本发明提供一种基板处理装置，其具备：基板保持件，其将多个基板以预定的间隔排列并保持；反应管，其具备将上端封闭的顶棚和在下方能够使上述基板保持件出入的开口，且容纳上述基板保持件；加热机构，其设于上述反应管的周围，且对内部进行加热；气体供给机构，其对在上述反应管内保持于上述基板保持件的上述多个基板供给处理气体；气体排出机构，其与上述反应管内连通，且对上述反应管内的气氛进行排气；以及中断过滤器，其位于在上述反应管内从上述气体供给机构向上述气体排出机构的气体的流动的中途，且设于比上述基板靠下游的位置，从废气接受热，并且将供给来的惰性气体供给至上述反应管内。

公开(公告)号：CN112655078A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980053187.2

申请日：2019-07-17

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 堀田英树 ,  康豪杰 ,  长内理尚

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318

摘要： 具有通过将非同时地进行下述(a)和(b)的循环进行规定次数，从而在衬底上形成膜的工序：(a)从第1供给部向处理室内的衬底供给原料、并从设置在隔着衬底而与第1供给部相对的位置的排气口排气的工序；和(b)从第2供给部向处理室内的衬底供给反应体并从排气口排气的工序，在(a)中，从第3供给部向处理室内供给非活性气体，其中，该第3供给部设置在处理室内的区域中的、由俯视观察时连结第1供给部与排气口的直线的垂直平分线分隔的排气口侧的区域。

公开(公告)号：CN112655071A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201980058184.8

申请日：2019-08-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 山本康介 ,  福留誉司 ,  板桥贤 ,  伏见直茂 ,  松崎和爱

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/31

摘要： 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。

公开(公告)号：CN112585298A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201980035271.1

申请日：2019-04-22

申请人： 琳科技股份有限公司

发明人： 小野弘文 ,  八木茂雄 ,  山本健太

IPC分类号： C23C16/448 ,  B01J7/02 ,  H01L21/31

摘要： 提供在不使用喷雾器的方法中抑制突沸且气化空间的压力变动非常少的气化器。气化器(1)由容器主体(10)、设置于气化器(1)内并被加热的多孔质构件(30)、向多孔质构件(30)供给液体原料(L)的导入管(40)以及将气化的原料气体(G)排出到外部的气体排出路径(7)构成。导入管(40)的出口(41)与多孔质构件(30)接触或接近地配置。出口(41)与多孔质构件(30)接近地配置的情况下的从所述出口(41)到多孔质构件(30)的分离距离(H)在不超过从所述出口(41)到由于表面张力而从所述出口(41)成为液滴并垂下的液体原料(L)的下端的大小的范围内。

公开(公告)号：CN112534166A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201980050812.8

申请日：2019-05-31

申请人： 株式会社富士金

发明人： 近藤研太 ,  篠原努 ,  中田知宏 ,  佐藤秀信

IPC分类号： F16K7/16 ,  H01L21/31

摘要： 本发明提供一种能够以更加准确的流量稳定地供给且抑制了装置间流量的偏差的阀装置。该阀装置具有：阀体(2)；阀座(48)；金属合金制的内盘(3)，其具有内侧环状部(32)、外侧环状部(31)、以及将内侧环状部(32)和外侧环状部(31)连接的连接部(37)；金属合金制的隔膜(41)，其以覆盖内盘(3)以及阀座(48)的方式设置，通过在相对于阀座(48)不接触的开位置以及相对于阀座(48)接触的闭位置之间移动而进行第1流路(21)和第2流路(22、23)之间的连通以及切断；以及按压转接器(43)，其将隔膜(41)的周缘部朝向外侧环状部(31)按压，内盘(3)具有比阀座(48)的硬度高的硬度，并且具有比阀体(2)以及隔膜(41)这两者的硬度低的硬度。

公开(公告)号：CN112513324A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980050065.8

申请日：2019-07-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木悠介 ,  守屋刚 ,  光成正 ,  岩下伸也 ,  森贞佳纪 ,  野吕尚孝 ,  加贺谷宗仁 ,  田中谕志

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318

摘要： 提供一种成膜装置，该成膜装置具有：处理容器；支承机构，其将基板支承成能够升降；第1气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面供给第1气体；第2气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的背面供给第2气体；以及第3气体供给部，其向被所述支承机构支承着的基板的表面和背面中的至少任一者供给第3气体。

公开(公告)号：CN112469932A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980044418.3

申请日：2019-07-25

申请人： 株式会社华尔卡

发明人： 金相镐 ,  黑田路

IPC分类号： F16J15/10 ,  H01L21/31

摘要： 技术问题是提供一种复合密封件，该复合密封件兼具真空密封性能、耐等离子性、耐腐蚀气体性等性能，使用时不需要较强的按压力，无产生颗粒之虞，并且能够长期地维持真空密封性能，该技术问题的解决手段的特点是，所述复合密封件是由第一构件和第二构件左右相邻而成的环状的复合密封件，其中，所述第一构件包括密封主体部以及从所述密封主体部朝向所述复合密封件的厚度方向的上侧延伸设置的唇部，所述第一构件的唇部朝向与相邻的所述第二构件相反一侧的外侧以倾斜姿势延伸。

公开(公告)号：CN107408505B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201580076770.7

申请日：2015-02-25

申请人： 株式会社国际电气

发明人： 村田等 ,  八幡橘 ,  和田优一 ,  山口天和 ,  西堂周平

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/318

摘要： 缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。

公开(公告)号：CN107078053B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201580063223.5

申请日：2015-11-24

申请人： 株式会社樱花彩色笔

发明人： 菱川敬太 ,  采山和弘

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C14/22 ,  C23C14/52 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

摘要： 本发明提供一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，且可将因等离子体处理所导致的变色层气体化或形成微细碎屑而飞散的问题，抑制到不影响电子设备特性的程度，并且，具有良好的耐热性。具体而言，本发明提供一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其特征在于，所述变色层含有金属氧化物微粒，所述金属氧化物微粒含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi组成的组中的至少一种元素，且平均粒径为50μm以下。

公开(公告)号：CN112204715A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980035657.2

申请日：2019-05-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 加贺谷宗仁

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

摘要： 本发明提供在基片上形成薄膜时，膜厚的控制性高的技术。一种使用原子层沉积法在基片上形成薄膜的方法，其包括将前体供给到上述基片的步骤，其中，上述前体是具有一个氨基的氨基硅烷，上述步骤中的上述前体的供给时间小于上述前体在上述基片的吸附量达到饱和的时间。选择具有一个氨基的氨基硅烷作为前体，使其供给时间小于前体的吸附量达到饱和的时间，因此能够提高膜厚的控制性。