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公开(公告)号：CN116404523A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310209912.9
申请日：2023-03-07
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种设有析氢氧层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有析氢氧层，用于吸附上限制层的氢原子和氧原子并进行脱附,通过异质界面降低析氢氧反应的过电位，加快反应动力学，通过电化学方法在外加偏压下吸附上限制层中的氢原子和氧原子，并对氢原子和氧原子进行高效脱附，减少对界面和表面的Mg氧化，析氢氧质量比活性较传统的Pt/C提升5倍以上，形成H2和O2排出表面，提升上限制层的p型掺杂元素的离化率并降低受主激活能，提升上限制层的空穴浓度。
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公开(公告)号：CN113745968B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110994831.5
申请日：2021-08-27
申请人： 因林光电科技(苏州)有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种半导体激光器及其制备方法，激光器包括：激光器外延结构，激光器外延结构包括衬底以及依次位于衬底一侧的光栅结构和脊形结构；光栅结构至少包括沿第一方向交替设置的第一介质层和第一子外延结构，第一介质层和第一子外延结构的折射率不同；脊形结构至少包括叠层设置的上光场限制层、上接触层和第一电极层，第一电极层位于上接触层远离衬底的一侧；位于衬底远离光栅结构一侧的第二电极层。本发明解决了现有技术中光栅结构在器件内部或者上表面时引起的光栅反射率较低、光损耗较高、耦合效率低、器件串联电阻较大以及成本高，而影响半导体激光器的器件性能和可靠性的技术问题。
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公开(公告)号：CN116345308A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211485563.5
申请日：2022-11-24
申请人： II-VI特拉华有限公司
发明人： 叶夫根尼·齐比克 , 维尔弗里德·麦纽尔特
摘要： 本申请涉及包括反向P‑N结的半导体激光二极管。边缘发射GaAs基半导体激光器将隧道结与反向p‑n结相结合使用来解决与使用高铝含量p型包覆层布置相关联的氧化问题。特别地，在n型GaAs基底上形成隧道结，其中在隧道结之上形成p型包覆层和波导层。此后在有源区的顶部上生长N型波导层和包覆层。由于p型层定位在有源区下方，并且在处理期间不暴露于空气，因此可以使用相对高的铝含量，这改进了器件的热和电特性。由于n型材料不需要高的铝含量，因此它可以被进一步处理以形成脊结构，而不会引入该结构的任何实质性氧化。
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公开(公告)号：CN116345307A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310124406.X
申请日：2023-02-16
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，下波导层与下限制层之间和下波导层与有源层之间设有范德瓦斯非线性层。所述范德瓦斯非线性层将非拓扑变换路径转变为拓扑变换路径，抑制有源层的In组分涨落和应变，提升峰值增益，改善热稳定性和热退化，提升界面质量，降低非辐射复合中心，提升激光元件的激射功率和斜率效率；范德瓦斯非线性层使有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，降低光场耗散，抑制光场泄漏到衬底，提升远场图像FFP质量。
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公开(公告)号：CN116316068A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310116317.0
申请日：2023-02-15
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明提出了一种GaN基激光二极管及其制作方法，所述GaN基激光二极管包括自上至下依次设置的P‑GaN层、P‑Cladding层、P‑波导层、量子阱、N‑波导层、N‑Cladding层和N‑GaN层，所述P‑GaN层位于所述P‑Cladding层中间部位并形成脊状结构，且所述脊状结构的宽度小于所述P‑Cladding层的宽度，所述P‑Cladding层上位于所述脊状结构周边区域设置有绝缘层，所述脊状结构与所述绝缘层的接触面开设有开口朝上的孔洞，所述脊状结构和孔洞上设置有导电层，所述P电极设置在所述导电层上，所述N电极设置在所述N‑GaN层上。本发明所提出的GaN基激光二极管能够形成更高的光限制效果，以满足更高的使用需求。
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公开(公告)号：CN116316065A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310319900.1
申请日：2023-03-29
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
IPC分类号： H01S5/20
摘要： 本发明提出了一种具有光场损耗控制层的半导体激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上波导层和下波导层形成光场损耗控制层；上波导层和下波导层中含有In，且In组分含量均小于有源层中的In组分含量；下波导层中Si/0浓度比例≥上波导层Si/0浓度比例；下波导层中Si/C浓度比例≥上波导层Si/C浓度比例。本发明降低上波导层和下波导层的内部光学损耗，增强激光器的限制因子，将更多光限制在有源层中，降低激光器的内损耗，减少电子阻挡层的未电离Mg杂质吸光损耗，并改善激光器有源层的空穴输运和折射率色散，提升激光器的峰值增益和模式增益，从而降低激光器的阀值和提升光功率与量子效率。
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公开(公告)号：CN116266691A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202111556559.9
申请日：2021-12-17
摘要： 一种光器件及光器件的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底；位于第二基底内的第一波导以及位于第一波导两侧的第一凹槽；位于第二基底内的第二波导以及位于第二波导两侧的第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于第一凹槽的深度；位于第二基底内的第三波导以及位于第三波导两侧的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出所述埋氧层表面，所述第三波导包括第三起始区，所述第三起始区在衬底表面的投影为三角形。所述结构能够有效减小回波损耗。
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公开(公告)号：CN115995759B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310282675.9
申请日：2023-03-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种多波长激光器，应用于半导体技术领域，该多波长激光器包括至少一个激光器阵列单元，所述激光器阵列单元包括SOI结构和III‑V族半导体激光器结构，SOI结构包括硅衬底、BOX层和顶硅层，所述顶硅层中刻蚀有硅波导结构，所述硅波导结构的侧向刻蚀有REC氮化硅介质光栅，III‑V族半导体激光器结构包括N型InP层、多量子阱MQWs层、P型InP层、III‑V族脊波导、P面金属电极和N面金属电极，其中，所述硅波导结构与所述III‑V族脊波导沿同一方向对准。本发明还提供了一种多波长激光器的制作方法，制备工艺简单、各通道波长易精确控制。
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公开(公告)号：CN116207614A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211608043.9
申请日：2022-12-14
申请人： 中山大学 , 新启航半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种强耦合电注入GaN基半导体拓扑微腔polariton激光芯片，包括两个第一n型电极、第一n‑GaN二维拓扑光子晶体、n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层、第二n型电极、两个绝缘有机物；两个所述的绝缘有机物呈水平设置，所述的n‑InGaN层、InGaN量子阱有源层、p‑InGaN层、p‑AlGaN阻拦层、p‑GaN注入层、n+‑GaN层由下到上依次叠加设置，均位于两个所述的绝缘有机物之间，且与绝缘有机物连接；两个绝缘有机物均设置在所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且所述的第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部还与n‑InGaN层的底部连接；所述的第一n型电极设置在第一n‑GaN二维拓扑光子晶体的顶部，且位于绝缘有机物的正下方；所述的第二n型电极的底部同时与绝缘有机物的顶部、n+‑GaN层的顶部连接。
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公开(公告)号：CN115954754A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211680074.5
申请日：2022-12-26
申请人： 安徽格恩半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域；为了解决如何减少氮化物半导体激光器的内部光损耗问题；该激光器从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述有源层与上波导层及下波导层的界面处分别设置有非线性光学频率变换结构；所述有源层为阱层和垒层组成InxGa1‑xN/AlyInzGa1‑y‑zN周期结构，阱层为InxGa1‑xN，垒层为AlyInzGa1‑y‑zN。本发明可用于宽域调谐激光器的频率，提升光学限制效应，有效降低激光器的内损耗，降低激光器室温阈值电压，使得斜率效率提升至1.5W/A，室温连续工作寿命提升至1万小时。
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