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公开(公告)号：CN115394886A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211199953.6
申请日：2022-09-29
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种图形化衬底及其制备方法、LED芯片。所述图形化衬底结构包括衬底，衬底具有相对的第一面侧和第二面侧；及若干个台状的凸起结构，凸起结构形成在衬底的第一面侧，凸起结构的侧面形貌为圆台状，凸起结构的顶部具有凹槽，凹槽的上表面为曲面，且凹槽的侧面形貌为弧形。本发明提供的图形化衬底结构具有特殊设计的图形结构，在生长过程中，外延材料不会在凸起结构表面生长而只能通过侧向外延生长，所以外延层的晶体质量可以大幅提升。图形结构的特殊设计，可以改变光在芯片内部散射的效果，提高器件出光效率。基于本发明的图形化衬底制备的LED芯片，性能可以得到显著提升。
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公开(公告)号：CN115341282A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211123931.1
申请日：2022-09-15
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底改性处理方法及半导体发光器件的制造方法，该衬底改性处理方法通过在衬底表面涂覆反应溶液，生成多晶层铝酸钙的同时又利于相邻衬底之间的分离。其中，碱金属盐经过化学反应后生成氧化物，具有较多优点：首先，生成的氧化物能够与衬底中的氧化铝发生反应生成偏铝酸盐，偏铝酸盐溶于水后实现相邻衬底之间的分离；偏铝酸盐又能进一步分解为氧化物及氧化铝中间产物，该氧化铝中间产物能够与氧化钙以较高的反应速率生成铝酸钙，加速多晶层的生成；氧化物在与衬底中的氧化铝发生反应时，会在衬底表面形成微凹坑，从而加速反应并释放应力；此外，衬底表面残余的氧化物还能进一步溶于水，从而也能促进相邻衬底之间的分离。
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公开(公告)号：CN115338997A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211110587.2
申请日：2022-09-13
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种用于蓝宝石晶棒的多线切割机的切割方法及多线切割机，该方法包括：将蓝宝石晶棒固定在多线切割机的晶棒固定装置上，并使蓝宝石晶棒的待切割端面与切割线的切割方向平行；将蓝宝石晶棒垂直朝向切割线移动，缠绕有多条切割线的导轮做旋转运动，并通过冷却装置向蓝宝石晶棒表面喷射冷却介质，冷却介质的成分包括水基切削液和碱性化合物，所述导轮的旋转运动使所述切割线往复运动以切割所述蓝宝石晶棒；其中，蓝宝石晶棒的第一端单位体积被喷射的碱性化合物的流量大于第二端单位体积被喷射的碱性化合物的流量。该切割方法及多线切割机可减小由于出入线端切割能力不一致所导致的各晶片翘曲度的差异。
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公开(公告)号：CN115332052A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210977056.7
申请日：2022-08-15
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种可降低形变应力的衬底加工方法及衬底，包括：将晶棒切割为晶片，并对晶片进行研磨，以改善晶片的平整度；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一方向平行的第一沟槽，第一方向与晶片的平边方向平行，多个第一沟槽在晶片的第一径向方向上间隔设置，且多个第一沟槽沿第一径向方向布满晶片的第一表面；利用开槽部件在晶片的第一表面上开设多个与第一沟槽垂直的第二沟槽，多个第二沟槽在晶片的第二径向方向上间隔设置，且多个第二沟槽沿第二径向方向布满晶片的第一表面；对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片进行高温退火；利用抛光设备对开设有第一沟槽和第二沟槽的晶片的第二表面进行抛光。该方法减小了晶片的翘曲和变形程度。
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公开(公告)号：CN115246091A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110890808.1
申请日：2021-08-04
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明提供一种衬底加工方法以及半导体器件制造方法，衬底加工过程中，自晶棒切割得到多个衬底之后，对衬底的表面进行处理，可以是衬底的单面或者双面，然后对衬底进行退火。在退火过程中，在催化剂的作用下，表面处理剂中的有机可溶钙盐与衬底发生反应，形成一层较软材料的改性层，该改性层为疏松结构，起到软化衬底的作用，降低了衬底表面的硬度。表面处理剂中的有机可溶钙盐易溶于水，可配制成均匀溶液喷洒在衬底表面，使衬底表面涂敷得更均匀，提高衬底软化深度的均匀性。在后续的研磨及抛光过程中，能够显著提高研磨和抛光效率，降低衬底的加工难度。通过调整退火工序的温度及时间，控制表面处理剂与衬底的反应程度，控制被软化的衬底的厚度，进而降低后续机械加工的难度，提高衬底的加工质量。
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公开(公告)号：CN115166890A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210801135.2
申请日：2022-07-07
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 一种偏振元件、发光二极管以及发光装置，本申请提出一种偏振元件，包括透明基板、若干条金属线和周期性阵列结构，所述若干条金属线以预设间距平行布置在所述透明基板的安装面上；每条所述金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度；周期性阵列结构，包括凸起或凹坑，所述周期性阵列结构设置在所述透明基板上。本申请提供的偏振元件可让Te光（TE，Transverse Electric：横向电场，TE偏振光是在y方向具有电场的振动成分的光）转化为Tm光（Transverse Magnetic：横向磁场，TM偏振光是在x方向具有电场的振动成分的光），并反射通过偏振元件，提升出光强度，进而提升偏振元件的出光效率。
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公开(公告)号：CN115083888A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210739947.9
申请日：2022-06-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述的衬底加工方法包括对晶棒进行切割处理，获得衬底；对衬底的切割表面进行单面减薄，以对衬底的总厚度偏差进行修复；对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用减薄和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力、衬底的翘曲度及总厚度偏差，进而消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，降低了衬底的生产成本。
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公开(公告)号：CN115083886A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210739822.6
申请日：2022-06-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种衬底加工方法、发光二极管制造方法及衬底、发光二极管，所述衬底加工方法包括将晶棒进行切割处理，获得衬底，对衬底的切割表面进行刻蚀处理，以对衬底的翘曲度进行初步修复，对衬底的翘曲部分进行隐切处理，以对衬底的翘曲度进行进一步补偿修复。本发明所述的衬底加工方法不包括研磨、铜抛等制程，采用刻蚀和隐切步骤降低线切后衬底产生的内应力及翘曲度，消除了研磨制程对于衬底造成再次损伤，简化了衬底加工步骤，节省了衬底材料，进而降低了衬底的生产成本。
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公开(公告)号：CN115070976A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210897318.9
申请日：2022-07-28
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本申请提供了一种蓝宝石双面抛光衬底的加工工艺，通过高温蚀刻的作用，达到消除应力及去除部分研磨损伤层的效果，将传统加工制程中上蜡、铜抛、下蜡、清洗、退火、反面上蜡、铜抛、下蜡8个步骤变更为一个蚀刻替代，简化整体的工序，节省了>50h的制程时间；通过蚀刻过程中添加磷酸保证蚀刻溶液的配比处于稳定状态，以达到稳定的蚀刻速率和较高的均匀性，另外，蚀刻溶液配比的稳定可以提升寿命，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN111516160B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010391502.7
申请日：2020-05-11
申请人： 福建晶安光电有限公司
摘要： 本发明涉及一种多线切割机，尤其涉及一种可提高多线切割后衬底品质的多线切割机槽轮槽距的设计，适用于使用固结磨料多线切割加工晶硅、碳化硅、水晶、蓝宝石等硬质材料。本发明根据实际生产中切割线的粗细、损耗规律、沟槽的位置和切割能力之间的关系，结合线切割能力的衰减变化规律设计出一种槽距符合切割规律的槽轮。通过此设计可在切割过程中使钻石线稳定磨耗、切割稳定进行，切割后会得到整体厚度均匀和表面质量较优的衬底，提高切割后衬底品质，减少后续加工成本。
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