公开(公告)号：CN117790320A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310901126.5

申请日：2023-07-21

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 小野田正敏 ,  后藤亮介 ,  永尾友一 ,  宇井利昌

IPC: H01L21/425 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及提供一种可降低形成显示器的TFT的氧化物半导体膜的电阻值的离子束照射装置及离子束照射方法。离子束照射装置设为在显示器面板的制造步骤中使用，且对于具有氧化物半导体膜的照射对象物(T)照射包含既定的离子的离子束，该离子束照射装置具备将照射对象物(T)加热的加热装置(30)，且构成为在加热装置(30)将照射对象物(T)加热之后，以使得至少一部分的离子可贯通氧化物半导体膜的方式照射离子束(IB)。

公开(公告)号：CN116072490A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202210850031.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 大槻佑介 ,  小野田正敏 ,  西村一平

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及一种基板固定装置，其能够实现马达的小型化，并且能够精密地控制基板相对于离子束的倾斜。本发明的基板固定装置具备：固定架，其固定被照射离子束的基板；以及驱动机构，其使固定架绕规定的轴旋转，来改变所固定的基板相对于离子束的倾斜；驱动机构具备：动力源，其输出使固定架旋转的动力；减速器，其设置于从动力源到固定架的动力传递路径的中途；第一轴部件，其通过从减速器输出的动力而与固定架一起旋转；第一检测器，其检测第一轴部件的旋转动作；以及动力控制部，其基于第一检测器的检测值控制动力源。

公开(公告)号：CN115692144A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210791252.5

申请日：2022-07-05

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 平井裕也 ,  赵维江 ,  糸井骏 ,  岩波悠太

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明涉及氢供给装置及具备其的离子束照射装置，尤其涉及一种能够以简单的构成来实现呈稳定的氢供给的氢供给装置。一种氢供给装置(H)，被配置于高电位，且具备：于内部具有储氢合金的瓶子(7)。

公开(公告)号：CN109427522B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201810531366.X

申请日：2018-05-29

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 藤本龙吾

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供微粒诊断方法和微粒诊断装置。为了通过高效的清扫来降低微粒的产生，诊断离子束照射装置中的微粒产生部位。该微粒诊断方法包括：输送和照射步骤(S1)，通过规定的输送线路(L1)将第一基板向离子束(IB)的照射位置输送，并向输送到照射位置的第一基板照射离子束(IB)；第一判断步骤(S2)，判断在输送和照射步骤(S1)中被照射了离子束(IB)的第一基板上附着的微粒是多是少；输送步骤(S3)，当在第一判断步骤(S2)中判断为微粒多时，通过输送线路(L1)将第二基板输送到照射位置；以及第二判断步骤(S4)，判断在输送步骤(S3)中输送到照射位置的第二基板上附着的微粒是多是少。

公开(公告)号：CN112439747A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010342663.7

申请日：2020-04-27

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 藤本龙吾 ,  国立圭一

IPC: B08B7/04 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明提供一种离子束照射装置的清洗方法，是能够提前使束线内的颗粒减少并稳定化的有效且高效的清洗方法。所述清洗方法是采用含卤气体对被处理物进行离子束照射处理的离子束照射装置中的清洗方法，向被照射物照射含氢气体由来的离子束后，向被照射物照射稀有气体由来的离子束。

公开(公告)号：CN112153761A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010355827.X

申请日：2020-04-29

Applicant: 日新离子机器株式会社 ,  姫路理化股份有限公司

Inventor： 小野田正敏 ,  后藤亮介 ,  清水一男 ,  岸本康広

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/44 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明提供加热装置，能够将加热器(30)插入真空腔室内并抑制由于电热丝(32)的光而端子部(33)被加热。一种加热装置，对基板(W)进行加热，具备收纳基板(W)的真空腔室(S2)以及插入真空腔室(S2)的内部的加热器(30)，加热器(30)具有：管状体(31)，贯通配置基板(W)的真空腔室(S2)的壁部设置；电热丝(32)，收纳在管状体(31)的内部，并且至少一部分配置在真空腔室(S2)内；以及端子部(33)，与电热丝(32)连接，端子部(33)配置在真空腔室(S2)的外部。

公开(公告)号：CN111739777A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201911140104.1

申请日：2019-11-20

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 竹村真哉

IPC: H01J37/317

Abstract: 本发明提供离子束照射装置和存储有离子束照射装置用程序的存储介质。能够自动确定基本运转参数的适当的初始值。离子束照射装置(100)由多个模块(M)生成满足处理条件的离子束并向被处理物(W)照射，该离子束照射装置(100)包括：机器学习部(92)，生成将新的处理时的处理条件和监测值至少作为说明变量的学习算法，该监测值表示该新的处理的上一次处理中的至少一个模块(M)的状态；以及基本运转参数输出部(94)，使用学习算法输出控制模块(M)的动作的基本运转参数的初始值。

公开(公告)号：CN111696888A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010099333.X

申请日：2020-02-18

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 萨米·K·哈托 ,  乔治·萨科 ,  马修·C·法雷尔 ,  迪安·焦拉

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能利用简易结构均匀地冷却基板的基板冷却装置和基板冷却方法。基板冷却装置包括：腔室，接收所述基板，并且具备多个侧壁部，多个侧壁部包围基板且在与所述基板的垂直侧面平行的垂直方向延伸；至少一个气体导入口，形成在所述腔室的第一侧壁部，在与所述基板的所述上表面和所述下表面平行的横向上，向所述腔室内导入冷却气体；以及至少一个气体出口，形成在与所述腔室的所述第一侧壁部隔着所述基板位于相反侧的所述腔室的第二侧壁部，将所述冷却气体的至少一部分沿着所述横向导向所述腔室的外部，所述气体导入口和所述气体出口以下述方式定位：使所述冷却气体以在所述横向横穿所述基板的所述上表面上和所述下表面上的方式流动。

公开(公告)号：CN111413002A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201911059736.5

申请日：2019-11-01

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 后藤亮介 ,  小野田正敏

IPC: G01K7/02 ,  G01K7/16 ,  G01K1/14 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板温度测定装置和半导体制造装置，基板的种类不限，采用接触式温度计能准确地测定基板温度。在用于被热源(H)加热的基板(S)的温度测定的基板温度测定装置(M)中，包括：具有和基板(S)相同的热透过率的小片(1)；安装有小片(1)的主体(3)；以及与小片(1)在第一方向上分开并安装在主体(3)上的热吸收构件(2)，小片(1)具有在第一方向上和热吸收构件(2)重叠的重复区域(G)，以及和热吸收构件(2)不重叠的非重复区域，非重复区域曝露在热源(H)下，接触式温度计(5)安装在重复区域(G)中。

公开(公告)号：CN111383973A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910783397.9

申请日：2019-08-23

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 西村一平 ,  小野田正敏

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供一种基板保持装置，能够避免使装置整体大型化且高成本而将基板从基板保持架抬起。基板保持装置具备：保持基板(W)的基板保持架(3)；使基板保持架(3)旋转的旋转机构(10)；多个升降销(P)，在位于比基板保持架(3)的基板载置面(3a)靠下方处的退避位置(x)与从该基板载置面(3a)突出的突出位置(y)之间升降移动；及动力传递机构(20)，介于旋转机构(10)与升降销(P)之间设置，将旋转机构(10)的使基板保持架(3)旋转的动力变换为使升降销(P)在退避位置(x)与突出位置(y)之间移动的动力而向升降销(P)传递。