-
公开(公告)号：CN115027108B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210958530.1
申请日：2022-08-11
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B7/12 , B32B7/06 , B32B27/00 , B32B15/08 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , H01M4/66 , H01M4/70 , H05K1/09 , H05K3/38
摘要： 本发明公开了一种金属箔、覆铜层叠板、线路板、半导体、负极材料和电池，所述金属箔包括层叠设置的金属层和载体层，所述金属箔在应用过程中可通过所述金属层的粗化处理面与应用载体压合；则所述金属箔与所述应用载体的剥离强度A，和所述金属箔的载体层与所述金属层的与粗化处理面相对的另一侧面的初始剥离力B的关系如下：A/B≥6；其中，所述初始剥离力B指的是：所述金属箔在进行与应用载体的压合工艺之前，所述载体层与所述金属层之间的剥离力。采用本发明实施例，通过对金属层的剥离强度和载体层的初始剥离力的比值进行优化，有效提高了金属箔的品质，减少应用金属箔的产品的不良率。
-
公开(公告)号：CN115087198A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210958770.1
申请日：2022-08-11
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： H05K1/09 , H05K1/11 , H01M4/70 , H01M4/66 , B32B15/20 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/04 , B32B3/30 , B32B7/12 , B32B7/06 , B32B33/00
摘要： 本发明公开了一种金属箔的支持体、金属箔及其应用，所述支持体包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的粗糙度Rz（a）与所述第二表面的粗糙度Rz（b）的比值X满足，且所述第一表面的光泽度A与所述第二表面的光泽度B的比值Y满足。采用本发明实施例的技术手段，优化了支持体的双侧表面的粗糙度之比和光泽度之比，通过对金属箔的支持体的结构优化，有效提高金属箔的支持体的输送性能，有效提高了金属箔的品质，减少应用金属箔的产品的不良率。
-
公开(公告)号：CN115038238A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210958771.6
申请日：2022-08-11
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： H05K1/02 , H05K1/09 , H05K1/11 , B32B15/00 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B7/12 , B32B7/06 , B32B27/00 , B32B15/08 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00
摘要： 本发明公开了一种金属箔和印刷线路板。所述金属箔包括粗化处理面，所述粗化处理面上具有若干个金属晶粒和若干个金属瘤，在扫描电镜的放大倍数为20000倍、观测面积为420μm2的观察视野内，所述金属瘤的个数X满足X≤12，且所述金属瘤的最大径W满足0.1μm≤W≤6μm。采用本发明的技术手段，通过对金属箔粗化处理面上金属瘤的结构进行优化，使得粗化处理面上的晶粒均匀分布，优化了金属箔的结构，有效提高了金属箔的品质，减少金属箔应力集中，易在运输、始终过程中破损的风险，也减少了应用金属箔的产品的不良率。
-
公开(公告)号：CN118983129A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411157724.7
申请日：2024-08-22
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： H01B5/14 , H05K1/03 , H05K1/09 , H01M4/66 , H01M10/054 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开了一种金属箔、覆金属层叠板、线路板、半导体、负极和电池，所述金属箔，包括载体层和金属层，所述金属层设于所述载体层的一个表面上，在所述金属层和所述载体层的应变分别处于0.2％～0.5％的范围内，所述金属层的弹性模量值E金和所述载体层的弹性模量值E载之间满足关系式：1100≤|R1E金‑R2E载|≤50000；其中，R1为所述金属层的方阻值，R2为所述载体层的方阻值。采用本发明，其能够降低金属箔表面出现褶皱的概率，减少分层现象，有效提高金属箔的耐拉性能和成品率。
-
公开(公告)号：CN118973239A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411023390.4
申请日：2024-07-29
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： H05K9/00
摘要： 本发明公开了一种电磁屏蔽罩及线路板。电磁屏蔽罩包括：层叠设置的第一连接层、第一屏蔽层和绝缘层，所述绝缘层的第一延伸率ε1与所述电磁屏蔽罩的第二延伸率ε2的比值的范围为3‑18。本发明提供一种电磁屏蔽罩及线路板，保证台阶处电磁屏蔽罩能够顺利弯曲，避免电磁屏蔽罩断裂。
-
公开(公告)号：CN118946128A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411166391.4
申请日：2024-08-23
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开一种电磁屏蔽膜及线路板，电磁屏蔽膜包括屏蔽层，屏蔽层上开设有若干个孔，且屏蔽层的一侧表面上设有若干个凸起部，凸起部的密度为100个～600个/mm2，屏蔽层的残留率为40％～80％；其中，残留率为开孔后的屏蔽层与开孔前的屏蔽层之间的重量比。本发明通过屏蔽层上开设有若干个孔，并对屏蔽层的残留率及表面的凸起部密度进行优化，能够保证对线路板表面的排汽效率，同时保证孔开设所占的体积不会过大，以确保屏蔽层的屏蔽效能，此外，能够确保在单位面积内存在足够数量的凸起部，以在电磁屏蔽膜压合在线路板基板上时，能够有效地刺穿胶膜层，使得屏蔽层与线路板基板的地层连接，保证干扰电荷正常导出，实现电磁屏蔽功能。
-
公开(公告)号：CN118660385A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410855124.1
申请日：2024-06-28
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合金属箔、覆金属层叠板、芯片及电路板，包括：基底层和功能层；所述功能层设置在所述基底层一侧；所述基底层靠近所述功能层的表面为第一表面，在所述第一表面上的预设面积的区域内，附着的附着颗粒的数量密度大于0且小于0.8个/μm2，从而避免附着颗粒过于集中，并且可以带来更好的结合力，提高了复合金属箔电阻性能的稳定性。
-
公开(公告)号：CN118591081A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410821010.5
申请日：2024-06-24
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合金属箔、覆金属层叠板、芯片及电路板，其中，复合金属箔包括：基底层、功能层、第一表面和第二表面；所述功能层设置于所述基底层一侧；所述第一表面设置于所述基底层远离所述功能层一侧，所述第二表面设置于所述基底层靠近所述功能层的一侧，所述第二表面与所述功能层接触；所述第一表面的粗糙度大于所述第二表面的粗糙度，改善了复合金属箔使用中功能层边缘的毛边残留，提高线路的加工品质和使用可靠性。
-
公开(公告)号：CN118555735A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410811435.8
申请日：2024-06-21
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
IPC分类号： H05K1/02
摘要： 本发明公开了一种复合金属箔、覆金属层叠板、电子元器件及电路板。复合金属箔包括：功能层；在第一温度区间和第二温度区间内，所述功能层的电阻随温度变化满足预设公式；预设公式为：R＝A*T+B；其中，R为功能层的电阻值，单位为Ω，T为温度，单位为℃，所述第一温度区间为温度上升区间，所述第二温度区间为温度下降区间，A为负数，B为实数，且预设公式的可决系数R2＞0.98。本发明实施例可以实现对细小电子元器件的温度监控。
-
公开(公告)号：CN116798713B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310821003.0
申请日：2023-07-05
申请人： 广州方邦电子股份有限公司 , 珠海达创电子有限公司
摘要： 本发明提供一种薄膜电阻及电路板，薄膜电阻包括基底层和第一电阻层，基底层的至少一侧表面具有若干凸起，第一电阻层位于基底层具有凸起的一侧表面，基底层具有凸起的一侧表面的表面积与基底层投影面积之比为1.3‑10，第一电阻层位于基底层具有凸起一侧表面且与基底层同形设置。上述限定提高了沉积到基底层表面的第一电阻层的均匀性，进而提高了第一电阻层的方阻均匀性，有利于制备具有较高精度的埋入式电阻，有利于电路板乃至电子元件的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
127 条记录 (耗时 0.05 秒)
