公开(公告)号：CN103972148A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410222756.0

申请日：2014-05-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  刘林杰 ,  郭庆磊 ,  母志强 ,  狄增峰

IPC: H01L21/762

CPC classification number: Y02P80/30 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供一种超薄绝缘体上材料的制备方法，包括步骤：1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)键合所述第二衬底的绝缘层与待转移层；4)退火剥离所述缓冲层与第一衬底；5)低剂量离子注入至所述第二掺杂单晶层与缓冲层的界面以上预设深度；6)键合所述第三衬底的绝缘层与缓冲层；7)退火剥离所述缓冲层与待转移层，获得两种绝缘体上材料。本发明采用两次注入剥离技术在制备超薄绝缘体上待转移层材料的同时，通过第二次剥离，还制备了另外一种绝缘体上材料，即，缓冲材料，这使得整个制备过程中几乎没有材料损耗。

公开(公告)号：CN103943547A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310024414.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  魏星 ,  王刚

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。根据本发明的方法，先在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；随后，对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；接着再将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。本发明采用增强吸附来实现键合片的有效剥离。剥离后的表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高。

公开(公告)号：CN103646909A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310724017.7

申请日：2013-12-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  郭庆磊 ,  叶林 ,  狄增峰

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供一种GOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：S1：提供一SOI衬底，在所述顶层硅表面形成一SiO2保护层；S2：从所述SiO2保护层正面进行离子注入，注入深度到达所述顶层硅中；S3：去除所述SiO2保护层，在所述顶层硅表面外延生长一SiGe层；S4：在所述SiGe层表面形成一Si帽层；S5：将步骤S4获得的结构进行锗浓缩，形成依次包含有背衬底、埋氧层、Ge层、SiO2层的叠层结构；S6：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到GOI结构。本发明利用预先对SOI衬底进行离子注入，然后外延SiGe层并进行锗浓缩，在锗浓缩的退火过程中，顶层硅中注入的离子减弱了Si与SiGe之间的晶格失配，使应力抵消释放，从而降低最后GOI材料的穿透位错密度，获得高质量的GOI结构。

公开(公告)号：CN103208425A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310095306.5

申请日：2013-03-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  郑晓虎 ,  王刚 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28255 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L22/14 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种石墨烯调制的高k金属栅Ge基MOS器件的制作方法，包括步骤：1）于Ge基衬底上引入石墨烯薄膜；2）对石墨烯薄膜进行氟化处理形成氟化石墨烯；3）采用臭氧等离子体活化氟化石墨烯表面，然后通过原子层沉积技术于氟化石墨烯表面形成高k栅介质；4）于高k栅介质表面形成金属电极。本发明利用石墨烯作为钝化层抑制Ge基衬底表面非稳定氧化物GeOx形成，同时阻挡栅介质与Ge基衬底间的互扩散，提高Ge与高k栅介质层之间的界面性质。氟化石墨烯能够在保持石墨烯优良特性的基础上使石墨烯变为质量较好的绝缘体，减少其对Ge基器件电学性能的影响。采用臭氧等离子处理Ge基石墨烯，然后采用原子层沉积技术可以获得超薄的Hf基高k栅介质层。

公开(公告)号：CN103204455A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210008150.8

申请日：2012-01-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  陈龙 ,  王刚 ,  魏星 ,  张苗 ,  王曦

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛，采用电子束外延形成具有偏析特性的金属纳米颗粒，最后采用化学气相沉积法与偏析方法制备出所述石墨烯阵列。采用本发明制备的石墨烯阵列具有很高的可控性和可靠性，石墨烯阵列的分布通过硅硅小角度键合进行控制，可达到较高的精度。本发明制备方法工艺简单，效果显著，且兼容于一般的半导体工艺，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN102347267B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110324597.1

申请日：2011-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  母志强 ,  王刚

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。