公开(公告)号：CN115979757A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211734844.X

申请日：2022-12-31

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 魏晓光 ,  朱涛 ,  焦倩倩 ,  董佳俊 ,  王锐 ,  阎海亮 ,  李嘉琳 ,  李青岭 ,  李玲 ,  金锐 ,  杨霏

IPC分类号： G01N1/28 ,  H01L23/544 ,  G01N1/32 ,  G01N1/44

摘要： 本发明提供一种比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品，包括：在清洗后的SiC晶圆表面沉积介质膜；在所述介质膜表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行预处理，形成具有预设图案的光刻胶膜，基于所述光刻胶膜对所述介质膜进行腐蚀处理，去除光刻胶膜，形成具有预设图案的介质膜；基于所述介质膜沉积金属层，在预设温度中对金属层进行激光退火处理；通过金属腐蚀液对激光退火后的金属层进行腐蚀处理，得到比接触电阻检测样品。本发明通过在进行光刻处理后的具有预设图案的介质膜上沉积金属层，然后优化了比接触电阻检测样品的制备过程，提升比接触电阻金属区退火均匀性，从而得到较准确的欧姆接触比接触电阻，从而有效的评估激光退火欧姆接触工艺效果。

公开(公告)号：CN115188722A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210839504.7

申请日：2022-07-15

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 周扬 ,  石浩 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  董少华 ,  魏晓光 ,  赵立强 ,  金锐 ,  陈堃

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/32

摘要： 本申请提供一种用于半导体芯片封装的结构，包括：基板；在所述基板的上表面上设置有凹槽，所述凹槽内设置有芯片载台，在所述芯片载台上设置有半导体芯片；在所述基板的上表面上还设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述基板的一侧表面设置有导电层，所述导电层与所述半导体芯片电连接；壳体，所述壳体罩设于所述基板上且在所述壳体内形成容纳半导体芯片、芯片载台、绝缘层和导电层的空腔，在所述空腔内填充有塑封料；导电端子，所述导电端子的一端与所述导电层连接，所述导电端子的另一端暴露在壳体外。本申请通过减少半导体芯片产生的热量在向外传输的过程中所经过的界面数量，降低了接触热阻，改善了散热效果。

公开(公告)号：CN115020488A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210646218.9

申请日：2022-06-08

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 高明超 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  李立 ,  晁武杰

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：体层，所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区，所述过渡区包括汇流区；栅极结构，位于部分元胞区上或者部分元胞区中；位于汇流区上的栅汇流条，所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口；镇流结构，位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中；阱区，位于栅极结构周围的部分元胞区中，第一开口底部的体层中具有阱区，所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同；位于阱区的顶部区域中的源掺杂区，所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中，降低闩锁风险。

公开(公告)号：CN114156338A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111487931.5

申请日：2021-12-07

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 李立 ,  王耀华 ,  金锐 ,  汪玉 ,  王鑫

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括：漂移层；位于所述漂移层一侧的集电层，所述集电层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层和所述集电层之间的缓冲层，所述缓冲层的导电类型与所述漂移层的导电类型相同，且所述缓冲层的掺杂浓度高于所述漂移层的掺杂浓度；在所述缓冲层的内部设置有浮置层，所述浮置层的导电类型与所述缓冲层的导电类型相反。所述缓冲层与所述浮置层的界面处形成结势垒，阻碍载流子的扩散，改变了绝缘栅双极型晶体管集电极一侧的载流子分布，降低了发射极漏电流，提高了绝缘栅双极型晶体管的正向击穿电压。

公开(公告)号：CN112582460A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910937911.X

申请日：2019-09-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  董少华 ,  王耀华 ,  桑玲 ,  吴军民 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供了一种半导体器件单元及其制作方法及形成器件，其特征在于，所述单元包括：具有两种掺杂特性半导体材料层堆叠而成的层叠层、栅控制结构和绝缘钝化层(31)；所述层叠层为凸台结构，上底面小于下底面，所述凸台侧面具有正斜角或直角结构；所述绝缘钝化层(31)设置于所述层叠层的侧面，且配合所述正斜角或直角结构与所述层叠层构成立方体结构；所述栅控制结构设置在所述绝缘钝化层(31)和所述层叠层之间。本发明可以实现受力面平整、受力均匀、绝缘栅受力小，可实现大面积互联。

公开(公告)号：CN112103330A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201910521437.2

申请日：2019-06-17

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网湖北省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 赵哿 ,  金锐 ,  朱涛 ,  和峰 ,  刘江 ,  李立 ,  高明超 ,  崔磊 ,  王耀华 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提出了一种功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，功率器件背面多峰值缓冲层结构包括：N型半导体衬底材料(100)、功率器件背面的表面界限(101)和设置于N型半导体衬底材料(100)和表面界限(101)之间的缓冲层；缓冲层包括：至少由两次离子注入形成的N型掺杂区域，本发明提供的背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，减少了功率器件的加工工艺整体热过程，大大提高了器件可靠性。

公开(公告)号：CN111312586A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010106956.5

申请日：2020-02-20

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 桑玲 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  王耀华 ,  金锐 ,  姜春艳 ,  杨霏 ,  赛朝阳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种提高p型掺杂离子注入准确度的方法。本发明包括初步确定仿真值、根据仿真值进行离子注入、对仿真值进行校准；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的p型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。

公开(公告)号：CN107634008B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201710552953.2

申请日：2017-07-07

申请人： 成都迈斯派尔半导体有限公司 ,  全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 杜文芳 ,  蒲奎 ,  章文红 ,  曾军 ,  穆罕默德·达尔维什 ,  王耀华 ,  刘江 ,  朱涛 ,  金锐 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供的高压功率器件的终端结构的制作方法，通过在氧化薄膜层的表面依次淀积硼磷硅玻璃层、氮化硅层和磷硅玻璃层，减小了在深槽刻蚀时所需的氧化薄膜层的厚度，有效缩短了制备周期，提高了产能。并且在向深槽表面涂覆填充材料之前，先对深槽表面进行软刻蚀，修补、平滑了深槽刻蚀后的粗糙表面，使表面平滑，而后在该表面上通过热生长形成第一氧化层后再将其完全刻蚀，以消除深槽表面的缺陷，接着通过热生长第二氧化层以形成缓冲层，减小填充材料与深槽表面的应力，以确保器件的实际的击穿电压值接近于设计值。

公开(公告)号：CN110119640A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910427488.9

申请日：2019-05-22

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 ,  国家电网有限公司

发明人： 张海峰 ,  甘杰 ,  谭浪 ,  原义栋 ,  胡晓波 ,  赵毅强 ,  金锐 ,  于艳艳 ,  蔡里昂

IPC分类号： G06F21/75

摘要： 本发明公开了一种双轨预充电逻辑单元及其预充电方法，该双轨预充电逻辑单元对现有的双轨预充电逻辑单元中的单轨LBDL逻辑与门以及单轨LBDL逻辑非门分别进行了改进，改进后的该双轨预充电逻辑单元共包括N1～N12，P1～P12，I1～I2共28个晶体管，相比于现有的双轨预充电逻辑单元本发明采用了更少的晶体管、占用更少的版图面积，同时保证了逻辑单元的抗DPA攻击能力。

公开(公告)号：CN109004024A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810706963.1

申请日：2018-07-02

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网河北省电力有限公司

发明人： 刘江 ,  金锐 ,  崔磊 ,  王耀华 ,  高明超 ,  赵哿 ,  吴鹏飞 ,  张璧君 ,  温家良 ,  潘艳

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底的表面形成第一阱区；在所述第一阱区中形成第二阱区；提供第二衬底，所述第二衬底导电类型与所述第一衬底导电类型相同；在所述第二衬底的表面形成第三阱区；将所述第一衬底未形成阱的表面和所述第二衬底未形成阱的表面进行键合。该方法采取背面直接键合的方式，形成高压逆阻IGBT，所形成的器件能够实现高压反向耐压，且制作工艺与传统IGBT制造工艺兼容，工艺简单，可实施性强，克服了现有技术中高压逆阻IGBT制作困难、成本高昂等问题。