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公开(公告)号：CN112233969A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011130743.2
申请日：2020-10-21
Applicant: 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备低应力GaN薄膜的方法，在双面抛光的蓝宝石衬底正反两面同时用卤化物气相外延法进行GaN薄膜的生长，控制生长条件，使双面外延GaN薄膜的厚度基本相同，得到低应力的GaN薄膜。本发明利用双面抛光蓝宝石衬底在正反两面同时外延GaN薄膜，控制生长条件使得两面外延的氮化镓厚度相近、分布均匀，这样两面氮化镓对于蓝宝石的应力减弱或相互抵消，从而得到低应力高质量的GaN薄膜的方法。本发明方法步骤简单，不仅可以实现低应力氮化镓薄膜外延，而且可以实现多片同时生长，提高产量，且在现有HVPE反应器中即可进行，无需对设备进行大的改进。双面外延并不会增加源气体的用量，且任一面都可以用做后续的外延晶面。
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公开(公告)号：CN111514941A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910109049.3
申请日：2019-02-03
Applicant: 南京大学 , 南通鼎新催化材料科技有限公司
IPC: B01J31/28 , C07C213/02 , C07C215/76
Abstract: 本发明公开了一种催化硝基苯加氢一步合成对氨基苯酚的新型催化剂的制备方法及应用路线。该催化剂的结构特征为活性炭负载镍硅合金后与磺酸功能化聚苯乙烯的复合结构，以镍硅合金作为加氢中心，聚苯乙烯上的磺酸基团作为酸催化中心，通过二者的协同作用，催化硝基苯加氢一步合成对氨基苯酚。催化剂的制备步骤如下：活性炭经酸处理后作为载体，以镍盐溶液为金属源，通过浸渍的方法负载一定含量的镍，再经干燥煅烧与硅烷反应得到活性炭负载的镍硅合金纳米粒子，即为NiSi/AC。以苯乙烯为单体，二乙烯基苯为交联剂与NiSi/AC混合并在惰性气氛下引发聚合得到固体复合物。该催化剂用于催化硝基苯加氢一步合成对氨基苯酚具有转化率高、选择性高的优点。
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公开(公告)号：CN106501986B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201610937447.0
申请日：2016-10-25
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1337 , G02B27/09 , G02B27/28
Abstract: 本发明公开了一种光学功能化薄膜、其制备方法及光路系统和光束整形方法。所述光学功能化薄膜包括光学透明衬底(11)和设置在光学透明衬底(11)一面的液晶聚合物薄膜(12)，液晶聚合物薄膜(12)中液晶聚合物的分子具有预设指向；所述光学功能化薄膜的制备方法包括如下步骤：在透明基板上形成光控取向膜并使其取向、旋涂液晶聚合物前体溶液、退火、紫外光照射、转移液晶聚合物薄膜至光学透明衬底上；所述光路系统包括依次层叠的至少两个光学功能化薄膜；所述光束整形方法为使用光路系统，对光束的波前进行操控，以产生设定光束。本发明提供的光路系统体积小，质量轻，应用范围广泛且具有可重构的优点。
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公开(公告)号：CN111272604A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010150097.X
申请日：2020-03-06
IPC: G01N5/04
Abstract: 本发明公开了一种季节性冻土冻融过程监测装置，以及利用该装置进行季节性冻土冻融过程监测的方法，其中季节性冻土冻融过程监测装置包括：冻融管、温度测量探针、温度信号接收装置；所述温度测量探针上等间距设置多个温度探头，所述多个温度探头独立布线，将测量的温度值发送至温度信号接收装置上显示；所述温度测量探针的长度大于冻融管的长度。该装置可以测量不同高度的土壤温度，进而监测冻土冻融过程，实现在不同阶段采样，为精确计算不同阶段冻土蒸发水量提供便利。
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公开(公告)号：CN108330536B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810228701.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PA‑MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107611004B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710691390.5
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备自支撑GaN衬底材料的方法，在衬底如蓝宝石或硅片上用水热法生长氧化镓纳米柱有序阵列，并在氨气气氛中对氧化镓纳米柱进行部分或全部氮化形成氮化镓包覆氧化镓即GaN@Ga2O3或者GaN纳米柱有序阵列；在上述含有GaN纳米柱有序阵列的衬底上进行GaN的氢化物气相外延(HVPE)横向外延和厚膜生长，获得低应力高质量的GaN厚膜材料；利用化学腐蚀去掉界面层氧化镓即可获得自支撑GaN衬底材料；或者利用氧化镓/氮化镓与异质衬底如蓝宝石之间的热应力，采用控制降温速率的方法实现纳米柱与蓝宝石衬底的原位自分离获得GaN衬底材料。
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公开(公告)号：CN108615797A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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公开(公告)号：CN108051884A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810004764.6
申请日：2018-01-03
Applicant: 南京大学
IPC: G02B5/18 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/137 , G01V8/10
Abstract: 本发明公开了一种涡旋光束探测器及其制备方法，其中，涡旋光束探测器包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于第一基板和第二基板之间的胆甾相液晶层。本发明的涡旋光束探测器在第一基板靠近第二基板的一侧形成第一取向膜，第一取向膜包括第一取向区域和第二取向区域，第一取向区域和第二取向区域的取向膜分子指向矢正交排列，形成达曼叉形光栅；第二基板靠近第一基板的一侧形成第二取向膜，且对应设置，以此控制两基板之间胆甾相液晶的螺旋结构在相邻区域扭曲90度排列，构成一个基于胆甾相液晶的二维达曼叉形光栅，由此实现探测器对涡旋光束的宽波段、高效率、在线式无损探测，同时避免不同轨道角动量之间串扰，增加探测器的探测容量。
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公开(公告)号：CN104868023B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II‑VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II‑VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN107628637A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710691388.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 南京大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 一种在衬底上用水热法生长III族氧化物与氮化物纳米柱有序阵列，具体步骤如下：将III族硝酸盐或者氯化物(如Ga(NO3)3·nH2O)溶解于去离子水中得到一定X3+浓度的溶液；添加碱性物质或表面活性物质，调节PH值在6.5-9之间；将衬底和溶液放入到具有聚四氟乙烯内衬的高压釜中；将高压釜在85-150℃温度下水浴加热，反应时间视需要在2-10h之间。待反应完成后，将衬底取出，用去离子水洗涤吹干；将衬底置于高温管式炉中空气或氧气气氛下退火一定时间(1-10h)，温度范围800-1000℃；经上述过程，通过控制工艺条件，即衬底上可得到具有一定长径比和密度分布的III族氧化物纳米柱有序阵列；III族X是Ga、In或Al；衬底包括蓝宝石或者硅衬底。
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