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公开(公告)号：CN108336199A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810194487.X
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN107134513A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710286221.3
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层、第二限制量子阱层和p型层，特征是：所述准备层、第一限制量子阱层、发光多量子阱层和第二限制量子阱层位置包含有倒六角锥结构；所述第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度宽0.03─0.3eV。本发明利用第一限制量子阱层和第二限制量子阱层的量子阱禁带宽度均比发光多量子阱层的量子阱禁带宽度更宽的特点，将更多的载流子限制在发光多量子阱中，提升电子和空穴的匹配度，从而进一步提升发光二极管的内量子效率。
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公开(公告)号：CN106848010A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611224503.2
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，特征是：准备层和黄光多量子阱层位置包含有倒六角锥结构，准备层是InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构，x＞y，InxGa(1‑x)N层厚度是InyGa(1‑y)N层厚度的2‑5倍。平均In组分较高的InxGa(1‑x)N/InyGa(1‑y)N叠层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄光发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN106783821A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48
摘要： 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN106811736B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201611222834.2
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种化学气相沉积装置，包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中，使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运，氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管，将氢化物或载气输运进入反应腔，起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管，反应气体沿径向从外侧向中心流动，最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置，可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流，相比长距离输运喷淋头，可大幅提升金属有机气体利用率，相比短距离输运喷淋头，将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积，可以满足生产型MOCVD的要求。
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公开(公告)号：CN109114439A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810869092.5
申请日：2018-08-01
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： F21K9/20 , F21V19/00 , F21V9/08 , F21Y115/10 , F21Y113/13
CPC分类号： F21K9/20 , F21V9/08 , F21V19/001 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
摘要： 本发明提供了一种无蓝光低色温双波段LED光源，该双波段LED光源包括一个或多个红光波段LED和一个或多个黄绿光波段LED；色温范围在1500-2500K之间；该光源通过匹配AlGaInP红光LED和AlGaInN黄绿光LED的波长和攻率获得一种高效率、高显指、低色温、无蓝光成分的光源，可用于家用照明和路灯等领域。
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公开(公告)号：CN106784190B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201611224132.8
申请日：2016-12-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法，该GaN基LED的结构包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层，在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层，厚度为2─20μm，C元素掺杂浓度为1×1019─1×1021cm‑3；量子阱层通电时发射蓝光，量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光，蓝光和黄光可混合成不同颜色的光。通过调节输入电流的大小，来调制量子阱层发射的蓝光与GaN黄带发光层发射的黄光的配比，从而可获得不同颜色的光，包括黄光、白光和蓝光。这种LED可发射包含白光在内的多种颜色的光，光的颜色可轻松变换，易于实现复杂的照明效果，或用于光通信领域。
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公开(公告)号：CN108470807A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810106850.8
申请日：2018-02-02
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明提供了一种半导体发光二极管的外延装置，该装置包括依次接触的N电极、N型半导体接触层、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层、P型半导体接触层和P电极；所述N电极与N型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过N型半导体接触层的掺杂浓度进行调节；或P电极与P型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过P型半导体接触层的掺杂浓度进行调节。本发明在半导体的表面与金属电极接触的界面改善电流扩展，由于金属与半导体的接触非常敏感，界面的电导性易于调控，外延中仅需很薄的一层，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。
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公开(公告)号：CN107170866A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710284866.3
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底和半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和多光谱发光多量子阱层；特征是：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，可以同时出射两种或三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k；所述多量子阱发光单元的发光波长由其量子阱禁带宽度决定，发光波长范围为380nm─700nm。本发明能在单芯片内直接出射多光谱，可使五基色白光封装所用芯片颗粒数大幅下降，对灯珠的电路设计、光学设计以及混光提供了很大的设计窗口。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
摘要： 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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