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公开(公告)号：CN103385035A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201280008716.5
申请日：2012-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , B05D1/60 , C23C14/042 , C23C14/243 , C23C14/542 , C23C14/564 , H01L51/0003 , H01L51/56
Abstract: 蒸镀颗粒放出喷嘴部(30)包括蒸镀颗粒发生部(41)、至少一级的中间喷嘴部(51)、蒸镀颗粒放出喷嘴部(61)和热交换器(43、63、53)。蒸镀颗粒放出喷嘴部(61)由热交换器(63)控制成比蒸镀材料成为气体的温度低的温度，中间喷嘴部(51)由热交换器(53)控制成蒸镀颗粒发生部(41)与蒸镀颗粒放出喷嘴部(61)之间的温度。
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公开(公告)号：CN103329622A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280005723.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H05B33/145 , C23C14/042 , C23C14/54 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/0002 , H01L51/56 , H01L2251/558 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明的被成膜基板（200）中，第一膜（23R）的膜厚渐减部分（23sR）的y轴方向上的基端侧形成为与第一成膜区域（24R）重叠，第二膜（23B）的膜厚渐减部分（23sB）形成为位于第二成膜区域（24B）的y轴方向上的外侧，并且与第一膜（23R）的膜厚渐减部分（23sR）重叠而填补膜厚渐减部分（23sR）的膜厚逐渐减少的量。
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公开(公告)号：CN103314464A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201280005736.7
申请日：2012-01-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/3262 , C23C14/044 , C23C14/12 , H01L27/3211 , H01L51/0011 , H01L51/56 , H05B33/10
Abstract: 被成膜基板（200）是在排列于规定方向上的多个蒸镀区域（24R、24G）中的各个蒸镀区域形成有蒸镀膜（23R、23G）的被成膜基板，蒸镀膜（24R）具有相对于被成膜基板（200）的法线方向倾斜的倾斜侧面（23s），蒸镀膜（23R）的上述规定方向上的宽度大于蒸镀区域（24R）的所述规定方向上的宽度与所述各蒸镀区域（24R、24G）间的区域（29）的所述规定方向上的宽度之和。
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公开(公告)号：CN103282540A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063869.5
申请日：2011-12-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/02263 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/562 , H01L21/67017 , H01L51/0008 , H01L51/56
Abstract: 蒸镀装置(50)的掩模(60)具有周期性的图案，仅一周期的图案的形成区域露出。掩模基材的与长边方向垂直的方向的长度比被成膜基板(200)的扫描方向的长度短。掩模(60)配设成掩模基材的长边方向与扫描方向垂直，并设置成能够通过卷出辊(91)和卷取辊(92)的旋转使露出区域在与扫描方向垂直的方向上移动。
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公开(公告)号：CN103270187A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062667.9
申请日：2011-12-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C23C16/4401 , C12M33/00 , C23C14/564 , H01L31/186 , H01L51/0011
Abstract: 在真空腔室（5）的防附着板（3）和闸门（4）的被蒸镀蒸镀颗粒的表面的至少一部分上设置有能够从防附着板（3）和闸门（4）剥离的薄膜（7），薄膜（7）包含熔点、升华点、相对于规定溶剂的溶解特性、相对于微生物的生物降解性、和光分解特性中的至少一个与在薄膜（7）上形成的蒸镀膜不同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103168114A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180049926.4
申请日：2011-10-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L51/0011 , C23C14/042 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/50 , C23C16/042 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L51/001 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H05B33/10
Abstract: 蒸镀装置（50）在被成膜基板（200）上的成膜的区域间竖立设置有分隔壁（26），蒸镀装置（50）具备：掩模单元（80），其具备相对位置被固定的遮蔽掩模（81）和蒸镀源（85）；接触单元，其使被成膜基板（200）与遮蔽掩模（81）经由分隔壁（26）接触；和移动单元，其在维持由接触单元进行的接触的状态下使掩模单元（80）和被成膜基板（200）中的至少一个相对移动。
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公开(公告)号：CN100394653C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510073803.0
申请日：2005-05-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2022 , H01S5/2214 , H01S5/2219 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 一种半导体激光装置，根据本发明的半导体激光装置，脊部(150)构成波导路，波导光沿脊部(150)被波导，该波导光的下部也存在于第一侧部(151)，但第二侧部(152)构成未达到所述波导光下面的区域。另一方面，由脊部(150)产生的散射光经由第一侧部(151)，在第二侧部(152)进行扩展，但在该第二侧部(152)上，由于在第一包层(108)上形成有成为光吸收体的光吸收层(127)，故散射光被吸收。通过由该第二侧部(152)吸收散射光，降低放射光的波动。另外，由于使光吸收层(127)与p侧欧姆电极(125)层电接触，故可避免向光吸收层(127)蓄积电荷的问题。
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公开(公告)号：CN1722554A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510083639.1
申请日：2005-07-13
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 川户伸一
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/227
Abstract: 提供了一种具有更高成品率的半导体激光器元件的制造方法。具有覆层、中间层和盖层的半导体激光器元件如下制造。在层压步骤中，沿层压方向层压多个层压层。接着，在突出步骤中，形成覆层、盖层和中间层的前体，使得覆层和盖层的宽度方向的长度沿层压方向变短或均匀，而中间层的前体沿宽度方向从覆层和盖层突出。在去除步骤中，去除中间层前体的突出体。
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公开(公告)号：CN110730983B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201780091753.X
申请日：2017-06-07
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 包括：阴极(22)，其设置在每个子像素上；阳极(25)，其为多个子像素共用并且设置在所述阴极的上层；发光层(EM)，其设置在所述阴极以及所述阳极之间；第一配线(HWx)，其设置在与所述阴极相同的层；第二配线(HWy)，其设置在所述第一配线的上层且所述阳极的下层，并与所述第一配线重叠。
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公开(公告)号：CN109791994B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201780059671.7
申请日：2017-09-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 蓝色发光层(34B)在第一子像素(3B)、第二子像素(3G)、第三子像素(3R)中共用地设置，绿色发光层(34G)在第二和第三子像素中共用地设置，红色发光层(34R)仅设置在第三子像素。
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